公开(公告)号：US07910388B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12196911

申请日：2008-08-22

申请人： Miin-Jang Chen ,  Wen-Ching Hsu ,  Suz-Hua Ho

发明人： Miin-Jang Chen ,  Wen-Ching Hsu ,  Suz-Hua Ho

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： The invention discloses a semiconductor light-emitting device and a method of fabricating the same. The semiconductor light-emitting device according to the invention includes a substrate, a buffer layer, a multi-layer structure, and an ohmic electrode structure. The buffer layer is selectively formed on an upper surface of the substrate such that the upper surface of the substrate is partially exposed. The multi-layer structure is formed to overlay the buffer layer and the exposed upper surface of the substrate. The multi-layer structure includes a light-emitting region. The buffer layer assists a bottom-most layer of the multi-layer structure in lateral and vertical epitaxial growth. The ohmic electrode structure is formed on the multi-layer structure.

摘要翻译： 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 根据本发明的半导体发光器件包括衬底，缓冲层，多层结构和欧姆电极结构。 缓冲层选择性地形成在衬底的上表面上，使得衬底的上表面部分露出。 形成多层结构以覆盖缓冲层和暴露的衬底的上表面。 多层结构包括发光区域。 缓冲层在横向和垂直外延生长中辅助多层结构的最底层。 欧姆电极结构形成在多层结构上。

公开(公告)号：US20110003420A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12592926

申请日：2009-12-04

申请人： Miin-Jang Chen ,  Sheng-Fu Yu ,  Ray-Ming Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Szu-Hua Ho

发明人： Miin-Jang Chen ,  Sheng-Fu Yu ,  Ray-Ming Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Szu-Hua Ho

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： The present invention discloses a method for fabricating gallium nitride(GaN)-based compound semiconductors. Particularly, this invention relates to a method of forming a transition layer on a zinc oxide (ZnO)-based semiconductor layer by the steps of forming a wetting layer and making the wetting layer nitridation. The method not only provides a function of protecting the ZnO-based semiconductor layer, but also uses the transition layer as a buffer layer for a following epitaxial growth of a GaN-based semiconductor layer, and thus, the invention may improve the crystal quality of the GaN-based semiconductor layer effectively.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造氮化镓（GaN）基化合物半导体的方法。 特别地，本发明涉及通过形成润湿层并进行润湿层氮化的步骤在基于氧化锌（ZnO）的半导体层上形成过渡层的方法。 该方法不仅提供保护ZnO类半导体层的功能，而且还使用过渡层作为GaN类半导体层的随后的外延生长的缓冲层，因此本发明可以提高晶体质量 GaN基半导体层。

公开(公告)号：US20080072959A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11896087

申请日：2007-08-29

申请人： Miin-Jang Chen ,  Wen-Ching Hsu ,  Ya-Lan Ho ,  Jung-Tsung Wang

发明人： Miin-Jang Chen ,  Wen-Ching Hsu ,  Ya-Lan Ho ,  Jung-Tsung Wang

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： The invention provides a solar cell and a method of fabricating the same. The solar cell, according to a preferred embodiment of the invention, includes a semiconductor structure combination and a multi-atomic-layer structure formed of at least one oxide. The semiconductor structure combination includes at least one p-n junction and has an illuminated surface. The multi-atomic-layer structure overlays the illuminated surface of the semiconductor structure combination. In particular, the multi-atomic-layer structure serves as a surface passivation layer, a transparent conductive layer, and further as an anti-reflective layer.

摘要翻译： 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。 根据本发明的优选实施例的太阳能电池包括由至少一种氧化物形成的半导体结构组合和多原子层结构。 半导体结构组合包括至少一个p-n结并具有照明表面。 多原子层结构覆盖半导体结构组合的照射表面。 特别地，多原子层结构用作表面钝化层，透明导电层，并且还用作抗反射层。

公开(公告)号：US20070119366A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11508864

申请日：2006-08-24

申请人： C.W. Lan ,  Wen-Ching Hsu ,  Kimsam Hsieh ,  Leif Wang ,  Ya Ho

发明人： C.W. Lan ,  Wen-Ching Hsu ,  Kimsam Hsieh ,  Leif Wang ,  Ya Ho

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B17/00 ,  C30B21/02

CPC分类号： C30B15/22 ,  C30B7/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48

摘要： A method and construction of growing wafer ingot by having a thermal shield disposed on an opening of a crucible, an opening approximating a polygonal contour disposed on the thermal shield to control gas current, heat conduction and heat radiation in ingot growth, an isotherm of condensation temperature in ingot growth approaching a polygonal form to grow the ingot into a form approximating the preset sectional form of a polygon for minimizing the material to be cut off in the subsequent process of slicing wafer ingot into chips.

摘要翻译： 通过将坩埚上的热屏蔽设置在坩埚的开口上的近似多边形轮廓的开口，以控制锭生长中的气流，热传导和热辐射，冷凝等温线，生长晶圆锭的方法和结构 晶锭生长中的温度接近多边形，以使锭生长成近似于多边形的预设截面形状的形式，以使在将晶片锭切片成芯片的后续过程中要切断的材料最小化。

公开(公告)号：US09051664B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13353488

申请日：2012-01-19

申请人： Jiunn-Yih Chyan ,  Jian-Jhih Li ,  Kun-Lin Yang ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Jiunn-Yih Chyan ,  Jian-Jhih Li ,  Kun-Lin Yang ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/306 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/30 ,  C30B33/10 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

CPC分类号： H01L29/16 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  Y10T428/24777

摘要： The instant disclosure relates to a nanostructuring process for an ingot surface prior to the slicing operation. A surface treatment step is performed for at least one surface of the ingot in forming a nanostructure layer thereon. The nanostructure layer is capable of enhancing the mechanical strength of the ingot surface to reduce the chipping ratio of the wafer during slicing.

摘要翻译： 本公开涉及在切片操作之前的锭表面的纳米结构化方法。 在其上形成纳米结构层的锭的至少一个表面进行表面处理步骤。 纳米结构层能够增强锭表面的机械强度，以降低切片期间晶片的切屑比。

公开(公告)号：US20130291936A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13858947

申请日：2013-04-09

申请人： Miin-Jang Chen ,  Hsin-Jui Chen ,  Wei-Cheng Wang ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Miin-Jang Chen ,  Hsin-Jui Chen ,  Wei-Cheng Wang ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02168 ,  Y02E10/50

摘要： A solar cell is provided. The solar cell includes a substrate, a first electrode, a second electrode, a seed layer, and a plurality of nanorods. The substrate has a first surface and a second surface opposite to each other. A conductive type of a portion of the substrate adjacent to the first surface is first conductive type, and a conductive type of the remaining portion of the substrate is second conductive type. The first electrode is disposed on the first surface. The second electrode is disposed on the second surface. The seed layer is disposed on the first surface. The nanorods are disposed on the seed layer.

摘要翻译： 提供太阳能电池。 太阳能电池包括基板，第一电极，第二电极，种子层和多个纳米棒。 基板具有彼此相对的第一表面和第二表面。 与第一表面相邻的基板的一部分的导电类型是第一导电类型，并且基板的剩余部分的导电类型是第二导电类型。 第一电极设置在第一表面上。 第二电极设置在第二表面上。 种子层设置在第一表面上。 纳米棒设置在种子层上。

公开(公告)号：US20120305965A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13472480

申请日：2012-05-16

申请人： Bo-Hsiang Tseng ,  Yi-Shan Hsieh ,  Bo-Wen Lin ,  Kun-Lin Yang ,  Chun-Yen Peng ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Bo-Hsiang Tseng ,  Yi-Shan Hsieh ,  Bo-Wen Lin ,  Kun-Lin Yang ,  Chun-Yen Peng ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L33/54

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007

摘要： A light emitting diode (LED) substrate includes a sapphire substrate which is characterized by having a surface consisting of irregular hexagonal pyramid structures, wherein a pitch of the irregular hexagonal pyramid structure is less than 10 μm. A symmetrical cross-sectional plane of each of the irregular hexagonal pyramid structures has a first base angle and a second base angle, wherein the second base angle is larger than the first base angle, and the second base angle is 50° to 70°. This LED substrate has high light-emitting efficiency.

摘要翻译： 发光二极管（LED）衬底包括蓝宝石衬底，其特征在于具有由不规则的六角锥结构组成的表面，其中不规则六角锥结构的间距小于10μm。 每个不规则六边形金字塔结构的对称横截面具有第一底角和第二底角，其中第二底角大于第一底角，第二底角为50°至70°。 该LED基板具有高的发光效率。

公开(公告)号：US20120273821A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13450424

申请日：2012-04-18

申请人： Cheng-Hung Wei ,  Bo-Wen Lin ,  Ching-Yen Peng ,  Hao-Chung Kuo ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Cheng-Hung Wei ,  Bo-Wen Lin ,  Ching-Yen Peng ,  Hao-Chung Kuo ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007

摘要： A method for patterning an epitaxial substrate includes: (a) forming an etch mask layer over an epitaxial substrate, and patterning the etch mask layer using a patterned cover mask layer to form the etch mask layer into a plurality of spaced apart mask patterns; and (b) etching the epitaxial substrate that is exposed from the mask patterns, and removing the mask patterns such that the epitaxial substrate is formed with a plurality of spaced apart substrate patterns.

摘要翻译： 用于图案化外延衬底的方法包括：（a）在外延衬底上形成蚀刻掩模层，并且使用图案化的掩模掩模层图案化蚀刻掩模层，以将蚀刻掩模层形成为多个间隔开的掩模图案; 和（b）蚀刻从掩模图案曝光的外延基板，以及去除掩模图案，使得外延基板形成有多个间隔开的基板图案。

公开(公告)号：US20120112158A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13024226

申请日：2011-02-09

申请人： Jiunn-Yih Chyan ,  Hung-Chi Chien ,  Kun-Lin Yang ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Jiunn-Yih Chyan ,  Hung-Chi Chien ,  Kun-Lin Yang ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  B32B3/00 ,  C30B1/10 ,  B32B3/30

CPC分类号： H01L33/007 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L33/12 ,  Y10S977/811 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612

摘要： The invention provides an epitaxial substrate, a semiconductor light-emitting device using such epitaxial substrate and fabrication thereof. The epitaxial substrate according to the invention includes a crystalline substrate. In particular, a crystal surface of the crystalline substrate thereon has a plurality of randomly arranged nanorods. The plurality of nanorods is formed of oxide of a material different from that forms the crystalline substrate.

摘要翻译： 本发明提供外延衬底，使用这种外延衬底的半导体发光器件及其制造。 根据本发明的外延衬底包括晶体衬底。 特别地，其上的晶体衬底的晶体表面具有多个随机布置的纳米棒。 多个纳米棒由不同于形成晶体衬底的材料的氧化物形成。

公开(公告)号：US20100248461A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US11808931

申请日：2007-06-13

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262

摘要： A thick gallium nitride (GaN) film is formed on a LiAlO2 substrate through two stages. First, GaN nanorods are formed on the LiAlO2 substrate through chemical vapor deposition (CVD). Then the thick GaN film is formed through hydride vapor phase epitaxy (HVPE) by using the GaN nanorods as nucleus sites. In this way, a quantum confined stark effect (QCSE) becomes small and a problem of spreading lithium element into gaps in GaN on using the LiAlO2 substrate is mended.

摘要翻译： 通过两个阶段在LiAlO 2衬底上形成厚的氮化镓（GaN）膜。 首先，通过化学气相沉积（CVD）在LiAlO 2衬底上形成GaN纳米棒。 然后通过使用GaN纳米棒作为核部位，通过氢化物气相外延（HVPE）形成厚的GaN膜。 以这种方式，量子限制效应（QCSE）变小，并且在使用LiAlO 2衬底时将锂元素扩散到GaN中的间隙中的问题被修补。