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    Apparatus And Methods For Deposition Of Silicon Carbide And Silicon Carbonitride Films
    43.
    发明申请
    Apparatus And Methods For Deposition Of Silicon Carbide And Silicon Carbonitride Films 失效
    碳化硅和碳氮化硅薄膜沉积的装置和方法

    公开(公告)号：US20120122302A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US13288157

    申请日：2011-11-03

    申请人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder

    发明人： Timothy W. Weidman ,  Todd Schroeder

    IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/50

    CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

    摘要： Methods for deposition of silicon carbide films on a substrate surface are provided. The methods include the use of vapor phase carbosilane precursors and may employ plasma enhanced atomic layer deposition processes. The methods may be carried out at temperatures less than 600° C., for example between about 23° C. and about 200° C. or at about 100° C. This silicon carbide layer may then be densified to remove hydrogen content. Additionally, the silicon carbide layer may be exposed to a nitrogen source to provide reactive N—H groups, which can then be used to continue film deposition using other methods. Plasma processing conditions can be used to adjust the carbon, hydrogen and/or nitrogen content of the films.

    摘要翻译： 提供了在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。 这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以采用等离子体增强的原子层沉积工艺。 该方法可以在低于600℃，例如约23℃至约200℃或约100℃的温度下进行。然后可以将该碳化硅层致密化以除去氢含量。 此外，碳化硅层可以暴露于氮源以提供反应性N-H基团，其然后可以用于使用其他方法继续膜沉积。 可以使用等离子体处理条件来调节膜的碳，氢和/或氮含量。

    Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
    45.
    发明授权
    Solar cell contact formation process using a patterned etchant material 有权
    使用图案化蚀刻剂材料的太阳能电池接触形成过程

    公开(公告)号：US07888168B2

    公开(公告)日：2011-02-15

    申请号：US12274023

    申请日：2008-11-19

    申请人： Timothy W. Weidman ,  Rohit Mishra

    发明人： Timothy W. Weidman ,  Rohit Mishra

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50

    摘要： Embodiments of the invention contemplate the formation of a high efficiency solar cell using novel methods to form the active region(s) and the metal contact structure of a solar cell device. In one embodiment, the methods include the use of various etching and patterning processes that are used to define point contacts through a blanket dielectric layer covering a surface of a solar cell substrate. The method generally includes depositing an etchant material that enables formation of a desired pattern in a dielectric layer through which electrical contacts to the solar cell device can be formed.

    摘要翻译： 本发明的实施例考虑使用新的方法形成高效太阳能电池来形成太阳能电池器件的有源区和金属接触结构。 在一个实施例中，所述方法包括使用各种蚀刻和图案化工艺，所述蚀刻和图案化工艺用于通过覆盖太阳能电池基板的表面的覆盖介电层限定点接触。 该方法通常包括沉积能够在可以形成与太阳能电池器件的电接触的电介质层中形成所需图案的蚀刻剂材料。

    Curing methods for silicon dioxide multi-layers
    46.
    发明授权
    Curing methods for silicon dioxide multi-layers 有权
    二氧化硅多层固化方法

    公开(公告)号：US07825044B2

    公开(公告)日：2010-11-02

    申请号：US12817840

    申请日：2010-06-17

    申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Timothy W. Weidman

    发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Timothy W. Weidman

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/489

    CPC分类号： H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31608

    摘要： Methods of curing a silicon oxide layer on a substrate are provided. The methods may include the processes of providing a semiconductor processing chamber and a substrate and forming an silicon oxide layer filling a portion of a trench on the substrate, the silicon oxide layer including carbon species as a byproduct of formation. The methods also include introducing an acidic vapor into the semiconductor processing chamber, the acidic vapor reacting with the silicon oxide layer to remove the carbon species from the silicon oxide layer. The methods may further include depositing additional silicon oxide over the cured silicon oxide to fill the trench. The methods may also include removing the acidic vapor from the semiconductor processing chamber.

    摘要翻译： 提供了在基板上固化氧化硅层的方法。 所述方法可以包括提供半导体处理室和衬底并形成填充衬底上的沟槽的一部分的氧化硅层的过程，所述氧化硅层包括作为形成副产物的碳物质。 所述方法还包括将酸性蒸汽引入半导体处理室，酸性蒸气与氧化硅层反应以从氧化硅层除去碳物质。 所述方法还可以包括在固化的氧化硅上沉积额外的氧化硅以填充沟槽。 所述方法还可以包括从半导体处理室去除酸性蒸汽。