公开(公告)号：US06949465B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10614971

申请日：2003-07-09

申请人： Hidemitsu Aoki ,  Kenichi Tokioka ,  Yoshiko Kasama ,  Tatsuya Koito ,  Keiji Hirano

发明人： Hidemitsu Aoki ,  Kenichi Tokioka ,  Yoshiko Kasama ,  Tatsuya Koito ,  Keiji Hirano

IPC分类号： B08B3/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76814 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832

摘要： According to this invention, residues generated after selectively removing a low-dielectric-constant film such as SiOC can be effectively removed without damage on an insulating film or metal film. Specifically, residues 126 and 128 generated after forming an interconnect trench in an SiOC film 116 are removed using a fluoride-free weak alkaline amine stripper. After the removing step, the wafer is rinsed with isopropyl alcohol and then dried without drying with pure water.

摘要翻译： 根据本发明，可以有效地除去在选择性地除去诸如SiOC的低介电常数膜之后产生的残留物，而不会在绝缘膜或金属膜上造成损坏。 具体地，使用无氟化的弱碱性胺汽提器除去在SiOC膜116中形成互连沟槽之后产生的残留物126和128。 除去步骤后，将晶片用异丙醇漂洗，然后用纯水干燥而干燥。

公开(公告)号：US06787480B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10071184

申请日：2002-02-11

申请人： Hidemitsu Aoki ,  Hiroaki Tomimori ,  Norio Okada ,  Tatsuya Usami ,  Koichi Ohto ,  Takamasa Tanikuni

发明人： Hidemitsu Aoki ,  Hiroaki Tomimori ,  Norio Okada ,  Tatsuya Usami ,  Koichi Ohto ,  Takamasa Tanikuni

IPC分类号： H01L21324

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883

摘要： In order to provide a manufacturing method of a semiconductor device which can improve the interconnection lifetime, while controlling the increase in resistance thereof, and, in addition, can raise the manufacturing stability; by applying a plasma treatment to the surface of a copper interconnection 17 with a source gas comprising a nitrogen element being used, a copper nitride layer 24 is formed, and thereafter a silicon nitride film 18 is formed. Hereat, under the copper nitride layer 24, a thin copper silicide layer 25 is formed.

摘要翻译： 为了提供能够提高互连寿命的半导体器件的制造方法，同时控制其电阻的增加，并且还可以提高制造稳定性; 通过使用包含氮元素的源气体在铜互连17的表面上施加等离子体处理，形成氮化铜层24，然后形成氮化硅膜18。 此时，在氮化铜层24的下方形成有薄的硅化铜层25。

公开(公告)号：US06465352B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09592523

申请日：2000-06-12

申请人： Hidemitsu Aoki

发明人： Hidemitsu Aoki

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814

摘要： In a semiconductor device fabricating process, a copper-based metal film is formed on an insulating layer, and an insulating film is formed on the copper-based metal film. A patterned resist film is formed on the insulating film, and the insulating film is dry-etched using the patterned resist film as a mask to form a hole penetrating through the insulating film. Thereafter, a plasma treatment using an non-oxidizing gas is carried out, and furthermore, a wet treatment using a resist remover liquid is carried out, for removing the resist film and a resist surface hardened layer which was generated in the dry-etching.

摘要翻译： 在半导体器件制造工艺中，在绝缘层上形成铜基金属膜，在铜基金属膜上形成绝缘膜。 在绝缘膜上形成图案化的抗蚀剂膜，并使用图案化的抗蚀剂膜作为掩模对绝缘膜进行干法蚀刻，以形成贯穿绝缘膜的孔。 此后，进行使用非氧化性气体的等离子体处理，此外，进行使用抗蚀剂去除液的湿式处理，以去除在干法蚀刻中产生的抗蚀剂膜和抗蚀剂表面硬化层。

公开(公告)号：US06444583B2

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09835412

申请日：2001-04-17

申请人： Hidemitsu Aoki

发明人： Hidemitsu Aoki

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D7/06 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/061 ,  C23G1/10 ,  C23G1/103 ,  C23G1/106 ,  C23G1/12 ,  C23G1/125 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/3212 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： In cleaning a substrate which has a metal material and a semiconductor material both exposed at the surface and which has been subjected to a chemical mechanical polishing treatment, the substrate is first cleaned with a first cleaning solution containing ammonia water, etc. and then with a second cleaning solution containing (a) a first complexing agent capable of easily forming a complex with the oxide of said metal material, etc. and (b) an anionic or cationic surfactant.

摘要翻译： 在清洗具有金属材料和半导体材料的基板上，两者都暴露在表面并进行了化学机械抛光处理之前，首先用含氨水等的第一清洗溶液清洗基板，然后用 第二清洗溶液，其包含（a）能够容易地与所述金属材料的氧化物形成络合物的第一络合剂等，和（b）阴离子或阳离子表面活性剂。

公开(公告)号：US06241584B1

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：US09316248

申请日：1999-05-21

申请人： Hidemitsu Aoki

发明人： Hidemitsu Aoki

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67046

摘要： A semiconductor device washing apparatus washes a surface of a semiconductor wafer after a chemical mechanical polishing process is performed for the surface. A roll brush is placed on the surface of the semiconductor wafer so as to contact with the surface. A first chemical liquid tank contains first chemical liquid. A first exhaust nozzle sprays the first chemical liquid onto the surface of the semiconductor wafer. A second chemical liquid tank contains second chemical liquid. A second exhaust nozzle sprays the second chemical liquid onto the surface of the semiconductor wafer. The first chemical liquid and the second chemical liquid are splayed onto the surface of the semiconductor wafer on the condition that the roll brush and the semiconductor wafer are rotated.

摘要翻译： 在对表面进行化学机械抛光处理之后，半导体器件清洗装置洗涤半导体晶片的表面。 将辊刷放置在半导体晶片的表面上以与表面接触。 第一化学液体容器包含第一化学液体。 第一排气喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片的表面上。 第二化学液体容器包含第二化学液体。 第二排气喷嘴将第二化学液体喷射到半导体晶片的表面上。 在辊刷和半导体晶片旋转的条件下，第一化学液体和第二化学液体被显示在半导体晶片的表面上。

公开(公告)号：US06183351B2

公开(公告)日：2001-02-06

申请号：US09292685

申请日：1999-04-15

申请人： Hidemitsu Aoki

发明人： Hidemitsu Aoki

IPC分类号： B24B5704

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B57/02

摘要： The first present invention provides an apparatus for activating a polishing liquid including polishing particles and hydrogen peroxide for carrying out a chemical mechanical polishing method to a surface of a wafer to be polished, wherein the apparatus comprises an ultraviolet ray irradiation system for an irradiation of an ultraviolet ray to the polishing liquid.

摘要翻译： 第一本发明提供了一种用于激活包括抛光颗粒和过氧化氢的抛光液体的装置，用于对要抛光的晶片的表面进行化学机械抛光方法，其中该装置包括用于照射的紫外线照射系统 对研磨液的紫外线。

公开(公告)号：US5989919A

公开(公告)日：1999-11-23

申请号：US828965

申请日：1997-03-27

申请人： Hidemitsu Aoki

发明人： Hidemitsu Aoki

IPC分类号： G01N21/73 ,  G01N1/28 ,  G01N21/31 ,  G01N33/00 ,  G01N33/20 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N33/20 ,  G01N2033/0095

摘要： First and second semiconductor substrate samples formed with a first oxide layer with holes and a third semiconductor substrate sample formed with a second oxide layer having no hole are prepared. The first and the third samples are subject to the same contaminating process for contaminating the surface of the first oxide layer of the first sample and the surface within the hole, and the surface of the second oxide layer of the third sample. All of the first and second layers of the first to third samples are dissolved by the HF vapor. The dissolved solutions are collected and analyzed the amount of contaminating material contained in respective solutions. The contamination amount in the hole is derived from the first, second and third contamination amount from an equation:contamination amount in the hole =first contamination amount-second contamination amount-(surface exposing ratio.times.third contamination amount)By this, in the process of fabrication of the semiconductor product, metal contaminant within the hole can be analyzed with high sensitivity, and can monitor washing effect.

摘要翻译： 制备形成有具有空穴的第一氧化物层的第一和第二半导体衬底样品以及形成有不具有孔的第二氧化物层的第三半导体衬底样品。 第一和第三样品经受相同的污染过程，污染第一样品的第一氧化物层的表面和孔内的表面以及第三样品的第二氧化物层的表面。 第一至第三样品的所有第一层和第二层都被HF蒸气溶解。 收集溶解的溶液并分析各溶液中所含的污染物质的量。 孔中的污染量来自第一，第二和第三污染量，其方式如下：孔中的污染量=第一污染量 - 第二污染量 - （表面曝光比率×第三污染量）由此，在制造过程中 的半导体产品，孔内的金属污染物可以高灵敏度地分析，并可以监测洗涤效果。

公开(公告)号：US5635053A

公开(公告)日：1997-06-03

申请号：US549646

申请日：1995-10-27

申请人： Hidemitsu Aoki ,  Masaharu Nakamori ,  Koji Yamanaka ,  Takashi Imaoka ,  Takashi Futatsuki ,  Yukinari Yamashita

发明人： Hidemitsu Aoki ,  Masaharu Nakamori ,  Koji Yamanaka ,  Takashi Imaoka ,  Takashi Futatsuki ,  Yukinari Yamashita

IPC分类号： B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F1/461 ,  C02F9/00 ,  C11D3/02 ,  C25B1/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C02F1/4618 ,  H01L21/67057 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46195 ,  C02F9/00 ,  Y02E60/366

摘要： Electric parts including semiconductor substrates, glass substrates and the like are washed with various cleaning solutions. After the cleaning, said parts are cleaned with either anolyte or catholyte electrolytic ionized water (EIW) produced from deionized water.

摘要翻译： 包括半导体基板，玻璃基板等的电气部件用各种清洗液洗涤。 清洁后，用去离子水生产的阳极电解液或阴极电解质电解水（EIW）清洗所述部件。

公开(公告)号：US5599438A

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：US622138

申请日：1996-03-27

申请人： Yoshimi Shiramizu ,  Masaharu Nakamori ,  Hidemitsu Aoki ,  Hirofumi Seo ,  Haruto Hamano

发明人： Yoshimi Shiramizu ,  Masaharu Nakamori ,  Hidemitsu Aoki ,  Hirofumi Seo ,  Haruto Hamano

IPC分类号： C02F1/36 ,  C02F1/38 ,  C02F1/461 ,  C02F1/48 ,  H01L21/306

CPC分类号： C02F1/38 ,  C02F1/36 ,  C02F1/4618 ,  C02F1/48 ,  C02F1/481 ,  H01L21/02052 ,  C02F2001/46123 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46125 ,  C02F2201/46155 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/02 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/05 ,  C02F2209/06 ,  C02F2301/066

摘要： The method for producing electrolyzed water includes the step of applying a voltage to electrodes disposed in an electrolytic cell containing therein pure water including electrolyte therein. A strength of an electric field generated by applying a voltage to the electrodes is controlled to be variable by means of various techniques. The method makes it possible to produce electrolyzed water with a smaller amount of energy than prior methods.

摘要翻译： 生产电解水的方法包括向其中包含电解池的电极施加电压的步骤，其中包含其中包含电解质的纯水。 通过向电极施加电压而产生的电场强度通过各种技术被控制为可变的。 该方法使得可以生产比现有方法更少的能量的电解水。

公开(公告)号：US07442652B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US10357087

申请日：2003-02-03

申请人： Hidemitsu Aoki ,  Kaori Watanabe

发明人： Hidemitsu Aoki ,  Kaori Watanabe

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32134

摘要： A method for removing contamination on a semiconductor substrate is disclosed. The contamination contains at least one element belonging to one of 3A group, 3B group and 4A group of long-period form of periodic system of elements. The method comprises first and second process steps. The first process is wet processing the semiconductor substrate by first remover liquid that contains one of acid and alkali. The second process is wet processing the semiconductor substrate by second remover liquid that contains oxidizing reagent and one of hydrofluoric acid and salt of hydrofluoric acid.

摘要翻译： 公开了一种用于去除半导体衬底上的污染物的方法。 污染物含有至少一种属于3A组，3B组和4A组元素周期性系统中的一种元素。 该方法包括第一和第二处理步骤。 第一种方法是通过含有酸和碱之一的第一种去除剂液体来湿法处理半导体衬底。 第二种方法是通过含有氧化试剂和氢氟酸和氢氟酸盐之一的第二除去剂液体湿处理半导体衬底。