公开(公告)号：US09406582B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US12179225

申请日：2008-07-24

申请人： Fay Hua ,  Gregory M. Chrysler ,  James G. Maveety ,  Kramadhati V. Ravi

发明人： Fay Hua ,  Gregory M. Chrysler ,  James G. Maveety ,  Kramadhati V. Ravi

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/3011

摘要： A method and apparatus to minimize thermal impedance using copper on the die or chip backside. Some embodiments use deposited copper having a thickness chosen to complement a given chip thickness, in order to reduce or minimize wafer warpage. In some embodiments, the wafer, having a plurality of chips (e.g., silicon), is thinned (e.g., by chemical-mechanical polishing) before deposition of the copper layer, to reduce the thermal resistance of the chip. Some embodiments further deposit copper in a pattern of bumps, raised areas, or pads, e.g., in a checkerboard pattern, to thicken and add copper while reducing or minimizing wafer warpage and chip stress.

摘要翻译： 使用铜芯在芯片或芯片背面上最小化热阻抗的方法和装置。 一些实施例使用具有选择的厚度的沉积铜来补充给定的芯片厚度，以便减小或最小化晶片翘曲。 在一些实施例中，具有多个芯片（例如硅）的晶片在沉积铜层之前被薄化（例如通过化学机械抛光），以降低芯片的热阻。 一些实施例进一步将铜以凸起，凸起区域或焊盘（例如棋盘图案）的图案沉积，以增加和添加铜，同时减少或最小化晶片翘曲和芯片应力。

公开(公告)号：US07960831B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11840269

申请日：2007-08-17

申请人： Fay Hua ,  Albert T. Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

发明人： Fay Hua ,  Albert T. Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49179 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A ball-limiting metallurgy (BLM) stack is provided for an electrical device. The BLM stack resists tin migration toward the metallization of the device. A solder system is also provided that includes a eutectic-Pb solder on a substrate that is mated to a high-Pb solder, and that withstands higher temperature reflows and other higher temperature processes.

摘要翻译： 为电气设备提供了限流冶金（BLM）堆叠。 BLM堆叠抵抗锡朝向器件的金属化迁移。 还提供了一种焊料系统，其包括与高Pb焊料配合的衬底上的共晶Pb焊料，并且能够承受更高的温度回流和其它更高温度的工艺。

公开(公告)号：US07776651B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11073277

申请日：2005-03-04

申请人： Fay Hua

发明人： Fay Hua

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/10 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： Lead-free solders comprising 85-96% tin (Sn) and 4-15% Indium (In) by weight percentage (wt. %) and exemplary uses of the same are disclosed. The Sn—In solder undergoes a martensitic phase change when it is cooled from a reflow temperature to room temperature. As a result, residual stresses that would normally occur due to solder strain caused by relative movement between joined components are substantially reduced. Typically, the relative movement results from a coefficient of thermal expansion (CTE) mismatch between the joined components. The disclosed exemplary uses include flip-chip assembly and IC package to circuit board mounting, such as ball grid array packages.

摘要翻译： 公开了包含85-96％锡（Sn）和4-15％铟（In）重量百分比（重量％）的无铅焊料及其示例性用途。 Sn-In焊料从回流温度冷却至室温时，会发生马氏体相变。 结果，由于由连接的部件之间的相对运动引起的焊料应变通常会发生的残余应力显着降低。 通常，相对运动由连接的部件之间的热膨胀系数（CTE）失配产生。 所公开的示例性用途包括倒装芯片组装和IC封装到电路板安装，例如球栅阵列封装。

公开(公告)号：US07704798B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US12330080

申请日：2008-12-08

申请人： Fay Hua ,  Carl L. Deppisch ,  Joni G. Hansen ,  Youzhi E Xu

发明人： Fay Hua ,  Carl L. Deppisch ,  Joni G. Hansen ,  Youzhi E Xu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4275 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  Y10T428/249921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： A composite of two or more thermal interface materials (“TIMs”) is placed between a die and a heat spreader to improve cooling of the die in an integrated circuit package. The two or more TIMs vary in heat-dissipation capability depending upon the locations of die hot spots. In an embodiment, a more thermally conductive material may be positioned over one or more die hot spots, and a less thermally conductive material may be positioned abutting and/or surrounding the more thermally conductive material. The two or more TIMs may comprise a solder and a polymer. The composite TIM may be preformed as one unit or as a plurality of units. Methods of fabrication, as well as application of the package to an electronic assembly and to an electronic system, are also described.

摘要翻译： 将两个或多个热界面材料（“TIM”）的复合物放置在管芯和散热器之间，以改善集成电路封装中管芯的冷却。 根据模具热点的位置，两个或多个TIM的散热能力各不相同。 在一个实施例中，更多导热材料可以被定位在一个或多个管芯热点上方，并且较少的导热材料可以被定位成邻接和/或围绕更多导热材料。 两个或更多个TIM可以包括焊料和聚合物。 复合TIM可以作为一个单元或多个单元来执行。 还描述了制造方法以及将包装应用于电子组件和电子系统。

公开(公告)号：US07560373B1

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US12059281

申请日：2008-03-31

申请人： Fay Hua

发明人： Fay Hua

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10734

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods include applying a solder paste to a portion of a board, wherein the solder paste is not applied to a ball grid array region, and placing a BGA package comprising at least one low temperature solder ball on the ball grid array region, wherein the at least one low temperature solder ball comprises a eutectic tin bismuth based solder doped with at least one of copper and nickel.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法包括将焊膏施加到板的一部分，其中焊膏不施加到球栅阵列区域，并且将包括至少一个低温焊球的BGA封装放置在球栅阵列区域上，其中， 至少一个低温焊球包括掺杂有铜和镍中的至少一种的共晶锡铋基焊料。

公开(公告)号：US20080293188A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12220218

申请日：2008-07-22

申请人： Fay Hua ,  Carl L. Deppisch ,  Krista J. Whittenburg

发明人： Fay Hua ,  Carl L. Deppisch ,  Krista J. Whittenburg

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/42 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014

摘要： Reactive solder material. The reactive solder material may be soldered to semiconductor surfaces such as the backside of a die or wafer. The reactive solder material includes a base solder material alloyed with an active element material. The reactive solder material may also be applied to a portion of a thermal management device. The reactive solder material may be useful as a thermally conductive interface between a semiconductor surface and a thermal management device.

公开(公告)号：US07391112B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11142971

申请日：2005-06-01

申请人： Jianxing Li ,  Ming Fang ,  Ting Zhong ,  Fay Hua ,  Kevin J. Lee

发明人： Jianxing Li ,  Ming Fang ,  Ting Zhong ,  Fay Hua ,  Kevin J. Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A structure including a substrate, a copper bump formed over the substrate, and a barrier layer comprising an alloy of at least one of iron and nickel, formed over the copper bump, and methods to make such a structure.

摘要翻译： 包括衬底，形成在衬底上的铜凸块，以及包含在铜凸块上形成的铁和镍中的至少一种的合金的阻挡层的结构以及制造这种结构的方法。

公开(公告)号：US07314819B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US11173238

申请日：2005-06-30

申请人： Fay Hua ,  Albert T. Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

发明人： Fay Hua ,  Albert T. Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

IPC分类号： H01L21/44 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49179 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A ball-limiting metallurgy (BLM) stack is provided for an electrical device. The BLM stack resists tin migration toward the metallization of the device. A solder system is also provided that includes a eutectic-Pb solder on a substrate that is mated to a high-Pb solder, and that withstands higher temperature reflows and other higher temperature processes.

摘要翻译： 为电气设备提供了限流冶金（BLM）堆叠。 BLM堆叠抵抗锡朝向器件的金属化迁移。 还提供了一种焊料系统，其包括与高Pb焊料配合的衬底上的共晶Pb焊料，并且能够承受更高的温度回流和其它更高温度的工艺。

公开(公告)号：US20070284741A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11840269

申请日：2007-08-17

申请人： Fay Hua ,  Albert Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

发明人： Fay Hua ,  Albert Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49179 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A ball-limiting metallurgy (BLM) stack is provided for an electrical device. The BLM stack resists tin migration toward the metallization of the device. A solder system is also provided that includes a eutectic-Pb solder on a substrate that is mated to a high-Pb solder, and that withstands higher temperature reflows and other higher temperature processes.

摘要翻译： 为电气设备提供了限流冶金（BLM）堆叠。 BLM堆叠抵抗锡朝向器件的金属化迁移。 还提供了一种焊料系统，其包括与高Pb焊料配合的衬底上的共晶Pb焊料，并且能够承受更高的温度回流和其它更高温度的工艺。

公开(公告)号：US20070004086A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11173238

申请日：2005-06-30

申请人： Fay Hua ,  Albert Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

发明人： Fay Hua ,  Albert Wu ,  Kevin Jeng ,  Krishna Seshan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49179 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A ball-limiting metallurgy (BLM) stack is provided for an electrical device. The BLM stack resists tin migration toward the metallization of the device. A solder system is also provided that includes a eutectic-Pb solder on a substrate that is mated to a high-Pb solder, and that withstands higher temperature reflows and other higher temperature processes.

摘要翻译： 为电气设备提供了限流冶金（BLM）堆叠。 BLM堆叠抵抗锡朝向器件的金属化迁移。 还提供了一种焊料系统，其包括与高Pb焊料配合的衬底上的共晶Pb焊料，并且能够承受更高的温度回流和其它更高温度的工艺。