公开(公告)号：US07638431B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11537589

申请日：2006-09-29

申请人： Amir A. Yasseri ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

发明人： Amir A. Yasseri ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/658 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/857

摘要： A metal is deposited onto a surface electrochemically using a deposition solution including a metal salt. In making a composite nanostructure, the solution further includes an enhancer that promotes electrochemical deposition of the metal on the nanostructure. In a method of forming catalyzing nanoparticles, the metal preferentially deposits on a selected location of a surface that is exposed through a mask layer instead of on unexposed surfaces. A composite nanostructure apparatus includes an array of nanowires and the metal deposited on at least some nanowire surfaces. Some of the nanowires are heterogeneous, branched and include different adjacent axial segments with controlled axial lengths. In some deposition solutions, the enhancer one or both of controls oxide formation on the surface and causes metal nanocrystal formation. The deposition solution further includes a solvent that carries the metal salt and the enhancer.

摘要翻译： 使用包含金属盐的沉积溶液电化学地将金属沉积在表面上。 在制备复合纳米结构时，溶液还包括促进金属在纳米结构上的电化学沉积的增强剂。 在形成催化纳米颗粒的方法中，金属优先沉积在通过掩模层而不是未暴露的表面暴露的表面的选定位置。 复合纳米结构设备包括纳米线阵列和沉积在至少一些纳米线表面上的金属。 一些纳米线是异质的，分支的并且包括具有受控轴向长度的不同的相邻轴向段。 在一些沉积溶液中，增强剂中的一个或两个控制表面上的氧化物形成并引起金属纳米晶体的形成。 沉积溶液还包括携带金属盐和增强剂的溶剂。

公开(公告)号：US20090253248A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12291301

申请日：2008-11-06

申请人： Hai-Lin Sun ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Hai-Lin Sun ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/60 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/06 ,  Y10S438/903 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/857

摘要： A method for making silicon nano-structure, the method includes the following steps. Firstly, providing a growing substrate and a growing device, the growing device comprising a heating apparatus and a reacting room. Secondly, placing the growing substrate and a quantity of catalyst separately into the reacting room. Thirdly, introducing a silicon-containing gas and hydrogen gas into the reacting room. Lastly, heating the reacting room to a temperature of 500˜1100° C.

摘要翻译： 一种制造硅纳米结构的方法，该方法包括以下步骤。 首先，提供增长的衬底和生长装置，该生长装置包括加热装置和反应室。 其次，将生长的基材和一定数量的催化剂分别置于反应室中。 第三，将含硅气体和氢气引入反应室。 最后，将反应室加热至500〜1100℃

公开(公告)号：US20090173716A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12381502

申请日：2009-03-12

申请人： Daniel Branton ,  Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Warren J. MoberlyChan ,  Gregor M. Schurmann

发明人： Daniel Branton ,  Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Warren J. MoberlyChan ,  Gregor M. Schurmann

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23C14/5873 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/541 ,  H01L21/0331 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： The invention provides a method for forming a patterned material layer on a structure, by condensing a vapor to a solid condensate layer on a surface of the structure and then localized removal of selected regions of the condensate layer by directing an ion beam at the selected regions, exposing the structure at the selected regions. A material layer is then deposited on top of the solid condensate layer and the exposed structure at the selected regions. Then the solid condensate layer and regions of the material layer that were deposited on the solid condensate layer are removed, leaving a patterned material layer on the structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在结构上形成图案化材料层的方法，其通过将蒸气冷凝在结构表面上的固体冷凝物层，然后通过将离子束引导到选定区域而局部去除冷凝物层的选定区域 ，在所选择的区域暴露结构。 然后将材料层沉积在固体冷凝物层的顶部和所选区域处的暴露结构。 然后去除沉积在固体冷凝物层上的固体冷凝物层和材料层的区域，在结构上留下图案化的材料层。

公开(公告)号：US07553776B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11499188

申请日：2006-08-04

申请人： Jillian M. Buriak ,  Patrick T. Hurley

发明人： Jillian M. Buriak ,  Patrick T. Hurley

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/306 ,  Y10S977/857

摘要： The present invention provides a method for preparing a silicon substrate and a silicon substrate having a silicon surface comprising a pattern of covalently bound monolayers. Each of the monolayers comprises an alkyne, wherein at least a portion of each monolayer is no more than about 5 molecules of the alkyne wide.

摘要翻译： 本发明提供一种制备硅衬底和硅衬底的方法，所述硅衬底具有包含共价结合单层图案的硅表面。 每个单层包含炔，其中每个单层的至少一部分不超过约5分子的炔。

公开(公告)号：US07524431B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11008438

申请日：2004-12-09

申请人： Daniel Branton ,  Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Warren J. MoberlyChan ,  Gregor M. Schürmann

发明人： Daniel Branton ,  Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Warren J. MoberlyChan ,  Gregor M. Schürmann

IPC分类号： C23C14/34 ,  B82B3/00

CPC分类号： C23C14/5873 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/541 ,  H01L21/0331 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： The invention provides a method for forming a patterned material layer on a structure, by condensing a vapor to a solid condensate layer on a surface of the structure and then localized removal of selected regions of the condensate layer by directing a beam of energy at the selected regions, exposing the structure at the selected regions. A material layer is then deposited on top of the solid condensate layer and the exposed structure at the selected regions. Then the solid condensate layer and regions of the material layer that were deposited on the solid condensate layer are removed, leaving a patterned material layer on the structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在结构上形成图案化材料层的方法，其通过将蒸汽冷凝在结构表面上的固体冷凝物层，然后通过将所选择的能量束引导到选定的区域来局部去除冷凝物层的选定区域 区域，在所选择的区域暴露结构。 然后将材料层沉积在固体冷凝物层的顶部和所选区域处的暴露结构。 然后去除沉积在固体冷凝物层上的固体冷凝物层和材料层的区域，在结构上留下图案化的材料层。

公开(公告)号：US07501069B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11421173

申请日：2006-05-31

申请人： Chang Liu ,  Nannan Chen

发明人： Chang Liu ,  Nannan Chen

IPC分类号： B81B5/00 ,  B81C3/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： H05K1/0289 ,  B81C99/008 ,  D03D1/0088 ,  D03D9/00 ,  D03D15/00 ,  D03D15/0066 ,  D10B2101/06 ,  D10B2101/08 ,  D10B2101/20 ,  D10B2401/16 ,  D10B2401/20 ,  D10B2403/02431 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5203 ,  H05K1/038 ,  H05K3/007 ,  H05K3/202 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0281 ,  H05K2201/029 ,  H05K2203/0152 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24802

摘要： This invention provides free-standing structures, functionalized free-standing structures and functional devices that are flexible, including nano- and micromachined flexible fabrics comprising woven networks and mesh networks. The present invention provides processing methods for making and functionalizing flexible free-standing structures having a wide range of integrated materials, devices and device components. The methods of the present invention are capable of providing large area functional electronic, optoelectronic, fluidic, and electromechanical devices and device arrays which exhibit good device performance in stretched, bent and/or deformed configurations.

摘要翻译： 本发明提供了独立结构，功能化独立结构和功能性装置，其是柔性的，包括纳米和微加工的柔性织物，其包括编织网络和网状网络。 本发明提供了制造和功能化具有广泛的一体化材料，装置和装置部件的柔性独立结构的加工方法。 本发明的方法能够提供在拉伸，弯曲和/或变形构造中表现出良好装置性能的大面积功能的电子，光电子，流体和机电装置和装置阵列。

公开(公告)号：US07442284B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11595561

申请日：2006-11-09

申请人： Zhifeng Ren ,  Jian Wen ,  Jinghua Chen ,  Zhongping Huang ,  Dezhi Wang

发明人： Zhifeng Ren ,  Jian Wen ,  Jinghua Chen ,  Zhongping Huang ,  Dezhi Wang

IPC分类号： H01M4/66

CPC分类号： H01G9/155 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01M4/133 ,  H01M4/137 ,  H01M4/366 ,  H01M4/583 ,  H01M4/602 ,  H01M4/663 ,  H01M4/96 ,  Y02E60/13 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/948

摘要： The present invention provides conductive carbon nanotube (CNT) electrode materials comprising aligned CNT substrates coated with an electrically conducting polymer, and the fabrication of electrodes for use in high performance electrical energy storage devices. In particular, the present invention provides conductive CNTs electrode material whose electrical properties render them especially suitable for use in high efficiency rechargeable batteries. The present invention also provides methods for obtaining surface modified conductive CNT electrode materials comprising an array of individual linear, aligned CNTs having a uniform surface coating of an electrically conductive polymer such as polypyrrole, and their use in electrical energy storage devices.

摘要翻译： 本发明提供了导电碳纳米管（CNT）电极材料，其包括涂覆有导电聚合物的对准的CNT基片，以及用于高性能电能存储装置的电极的制造。 特别地，本发明提供导电CNT电极材料，其电性能使它们特别适用于高效率可再充电电池。 本发明还提供了用于获得表面改性的导电CNT电极材料的方法，其包括具有导电聚合物如聚吡咯的均匀表面涂层的各种线性排列的CNT阵列，以及它们在电能存储装置中的用途。

公开(公告)号：US07435353B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11008402

申请日：2004-12-09

申请人： Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Gregor M. Schürmann ,  Daniel Branton

发明人： Jene A. Golovchenko ,  Gavin M. King ,  Gregor M. Schürmann ,  Daniel Branton

IPC分类号： C23C14/34 ,  B82B3/00

CPC分类号： C23C14/06 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/5873 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： The invention provides a method for forming a patterned material layer on a structure, by condensing a vapor to a solid condensate layer on a surface of the structure and then localized removal of selected regions of the condensate layer by directing a beam of energy at the selected regions. The structure can then be processed, with at least a portion of the patterned solid condensate layer on the structure surface, and then the solid condensate layer removed. Further there can be stimulated localized reaction between the solid condensate layer and the structure by directing a beam of energy at at least one selected region of the condensate layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在结构上形成图案化材料层的方法，其通过将蒸汽冷凝在结构表面上的固体冷凝物层，然后通过将所选择的能量束引导到选定的区域来局部去除冷凝物层的选定区域 地区。 然后可以将结构加工成具有结构表面上的图案化固体冷凝物层的至少一部分，然后去除固体冷凝物层。 此外，通过在冷凝物层的至少一个选定区域处引导能量束，可以刺激固体冷凝物层和结构之间的局部反应。

公开(公告)号：US20080149176A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11954183

申请日：2007-12-11

申请人： Brian M. Sager ,  Dong Yu ,  Matthew R. Robinson

发明人： Brian M. Sager ,  Dong Yu ,  Matthew R. Robinson

IPC分类号： H01L31/04 ,  B05D5/12 ,  H01B1/02 ,  B41F31/00

CPC分类号： H01L31/0322 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/025 ,  B22F2999/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/45544 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/52 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0749 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/892 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2991 ,  B22F1/02 ,  B22F2202/15 ,  B22F2202/01

摘要： CIGS absorber layers fabricated using coated semiconducting nanoparticles and/or quantum dots are disclosed. Core nanoparticles and/or quantum dots containing one or more elements from group IB and/or IIIA and/or VIA may be coated with one or more layers containing elements group IB, IIIA or VIA. Using nanoparticles with a defined surface area, a layer thickness could be tuned to give the proper stoichiometric ratio, and/or crystal phase, and/or size, and/or shape. The coated nanoparticles could then be placed in a dispersant for use as an ink, paste, or paint. By appropriate coating of the core nanoparticles, the resulting coated nanoparticles can have the desired elements intermixed within the size scale of the nanoparticle, while the phase can be controlled by tuning the stochiometry, and the stoichiometry of the coated nanoparticle may be tuned by controlling the thickness of the coating(s).

摘要翻译： 公开了使用涂覆的半导体纳米颗粒和/或量子点制造的CIGS吸收层。 含IB和/或IIIA和/或VIA的一种或多种元素的核心纳米颗粒和/或量子点可以涂覆有含有IB，IIIA或VIA族元素的一层或多层。 使用具有限定表面积的纳米颗粒，可以调节层厚度以获得适当的化学计量比和/或晶体相，和/或尺寸和/或形状。 然后将涂覆的纳米颗粒置于分散剂中用作油墨，糊剂或油漆。 通过适当地涂覆核心纳米颗粒，所得到的涂覆的纳米颗粒可以将期望的元素混合在纳米颗粒的尺寸范围内，而可以通过调整化学计量来控制相位，并且涂覆的纳米颗粒的化学计量可以通过控制 涂层厚度。

公开(公告)号：US07344756B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US10671381

申请日：2003-09-25

申请人： Chad Mirkin ,  Hua Zhang

发明人： Chad Mirkin ,  Hua Zhang

IPC分类号： B05D1/36

CPC分类号： G01Q70/16 ,  G01Q70/06 ,  G01Q80/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/86 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/877

摘要： A method for fabricating scanning probe microscopy (SPM) probes is disclosed. The probes are fabricated by forming a structural layer on a substrate, wherein the substrate forms a cavity. A sacrificial layer is located between the substrate and the structural layer. Upon forming the structural layer, the sacrificial layer is selectively removed, and the probe is then released from the substrate. The substrate may then later be reused to form additional probes. Additionally, a contact printing method using a scanning probe microscopy probe is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种制造扫描探针显微镜（SPM）探针的方法。 通过在衬底上形成结构层来制造探针，其中衬底形成空腔。 牺牲层位于衬底和结构层之间。 在形成结构层时，选择性地去除牺牲层，然后从衬底释放探针。 然后可以再次使用底物以形成另外的探针。 此外，还公开了使用扫描探针显微镜探针的接触印刷方法。