公开(公告)号：US08981203B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13556838

申请日：2012-07-24

申请人： Suntae Hwang ,  Dongjoo You ,  Sungeun Lee ,  Seungyoon Lee

发明人： Suntae Hwang ,  Dongjoo You ,  Sungeun Lee ,  Seungyoon Lee

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/046

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/046 ,  H01L31/065 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A thin film solar cell module includes a substrate, at least one first cell positioned in a central area of the substrate, and at least one second cell positioned in an edge area of the substrate. Each of the first and second cells includes a first electrode, a second electrode, and at least one photoelectric conversion unit positioned between the first electrode and the second electrode. An amount of germanium contained in the photoelectric conversion unit of the first cell is less than an amount of germanium contained in the photoelectric conversion unit of the second cell positioned on the same level layer as the photoelectric conversion unit of the first cell.

摘要翻译： 薄膜太阳能电池模块包括基板，位于基板的中心区域中的至少一个第一单元和位于基板的边缘区域中的至少一个第二单元。 第一和第二单元中的每一个包括第一电极，第二电极和位于第一电极和第二电极之间的至少一个光电转换单元。 包含在第一单元的光电转换单元中的锗的量小于位于与第一单元的光电转换单元相同的层上的第二单元的光电转换单元中包含的锗的量。

公开(公告)号：US20150072464A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14546056

申请日：2014-11-18

申请人： Stion Corporation

发明人： Howard W.H. Lee

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

摘要： A tandem photovoltaic cell. The tandem photovoltaic cell includes a bifacial top cell and a bottom cell. The top bifacial cell includes a top first transparent conductive oxide material. A top window material underlies the top first transparent conductive oxide material. A first interface region is disposed between the top window material and the top first transparent conductive oxide material. The first interface region is substantially free from one or more entities from the top first transparent conductive oxide material diffused into the top window material. A top absorber material comprising a copper species, an indium species, and a sulfur species underlies the top window material. A top second transparent conductive oxide material underlies the top absorber material. A second interface region is disposed between the top second transparent conductive oxide material and the top absorber material. The bottom cell includes a bottom first transparent conductive oxide material. A bottom window material underlies the first bottom transparent conductive oxide material. A bottom absorber material underlies the bottom window material. A bottom electrode material underlies the bottom absorber material. The tandem photovoltaic cell further includes a coupling material free from a parasitic junction between the top cell and the bottom cell.

摘要翻译： 串联光伏电池。 串联光伏电池包括双面顶部电池和底部电池。 顶部双面电池包括顶部第一透明导电氧化物材料。 顶部玻璃材料位于顶部第一透明导电氧化物材料的正下方。 第一界面区域设置在顶窗材料和顶部第一透明导电氧化物材料之间。 第一界面区域基本上不含从扩散到顶部窗口材料中的顶部第一透明导电氧化物材料的一个或多个实体。 包括铜物质，铟物质和硫物质的顶部吸收体材料位于顶部窗口材料的正下方。 顶部第二透明导电氧化物材料位于顶部吸收体材料的正下方。 第二界面区域设置在顶部第二透明导电氧化物材料和顶部吸收材料之间。 底部单元包括底部第一透明导电氧化物材料。 底部窗材料位于第一底部透明导电氧化物材料的正下方。 底部吸收材料位于底部窗口材料的底部。 底部电极材料位于底部吸收体材料的下面。 串联光伏电池还包括没有顶部电池和底部电池之间的寄生连接的耦合材料。

公开(公告)号：US08962376B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13265850

申请日：2010-04-21

申请人： Petar Branko Atanackovic ,  Steven Grant Duvall

发明人： Petar Branko Atanackovic ,  Steven Grant Duvall

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L27/142 ,  H01L31/052 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/042 ,  H01L31/047 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： An optoelectronic device, including a semiconductor body having a surface to receive photons and a plurality of doped regions of opposite doping polarities, the doped regions extending substantially from the surface of the semiconductor body and into the semiconductor body, and being arranged in one or more pairs of opposite doping polarities such that each pair of doped regions forms a corresponding space charge region having a corresponding electric field therein, the space charge region extending substantially from the surface of the semiconductor body and into the semiconductor body such that photons entering the semiconductor body through the surface and travelling along paths within the space charge region generate electron-hole pairs in the space charge region that are separated in opposing directions substantially orthogonal to the photon paths by the electric field and collected by the corresponding pair of doped regions, thereby providing an electrical current to be conducted from the device.

摘要翻译： 一种光电器件，包括具有接收光子的表面和具有相反掺杂极性的多个掺杂区域的半导体本体，所述掺杂区域基本上从半导体本体的表面延伸并进入半导体本体，并被布置在一个或多个 成对的相反的掺杂极性，使得每对掺杂区域在其中形成具有相应电场的相应的空间电荷区域，空间电荷区域基本上从半导体本体的表面延伸并进入半导体本体，使得进入半导体体的光子 通过该表面并且沿着空间电荷区域内的路径行进，在空间电荷区域中产生电子 - 空穴对，该空间电荷区域通过电场在与光子路径基本正交的相反方向上分离并由相应的一对掺杂区域收集，从而提供 要进行的电流 从设备。

公开(公告)号：US08912424B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13612632

申请日：2012-09-12

申请人： Stephen W. Bedell ,  Keith E. Fogel ,  Bahman Hekmatshoar-Tabari ,  Devendra K. Sadana ,  Ghavam G. Shahidi ,  Davood Shahrjerdi

发明人： Stephen W. Bedell ,  Keith E. Fogel ,  Bahman Hekmatshoar-Tabari ,  Devendra K. Sadana ,  Ghavam G. Shahidi ,  Davood Shahrjerdi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method of forming a photovoltaic device that includes bonding a substrate to a germanium-containing semiconductor layer with a stressor layer, wherein the stressor layer cleaves the germanium-containing semiconductor layer. At least one semiconductor layer is formed on a cleaved surface of the germanium-containing semiconductor layer that is opposite the conductivity type of the germanium-containing semiconductor layer to provide a first solar cell. The first solar cell absorbs a first range of wavelengths. At least one second solar cell may be formed on the first solar cell, wherein the at least one second solar cell is composed of at least one semiconductor material to absorb a second range of wavelengths that is different than the first range wavelengths absorbed by the first solar cell.

摘要翻译： 一种形成光伏器件的方法，该光电器件包括将衬底粘合到含锗半导体层与应力层，其中所述应力层切割含锗半导体层。 在与含锗半导体层的导电类型相反的含锗半导体层的切割表面上形成至少一个半导体层以提供第一太阳能电池。 第一太阳能电池吸收第一波长范围。 可以在第一太阳能电池上形成至少一个第二太阳能电池，其中至少一个第二太阳能电池由至少一个半导体材料组成，以吸收不同于由第一太阳能电池吸收的第一范围波长的第二波长范围 太阳能电池。

公开(公告)号：US08889468B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13030464

申请日：2011-02-18

申请人： Howard W. H. Lee

发明人： Howard W. H. Lee

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/076 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

摘要： A tandem photovoltaic cell. The tandem photovoltaic cell includes a bifacial top cell and a bottom cell. The top bifacial cell includes a top first transparent conductive oxide material. A top window material underlies the top first transparent conductive oxide material. A first interface region is disposed between the top window material and the top first transparent conductive oxide material. The first interface region is substantially free from one or more entities from the top first transparent conductive oxide material diffused into the top window material. A top absorber material comprising a copper species, an indium species, and a sulfur species underlies the top window material. A top second transparent conductive oxide material underlies the top absorber material. A second interface region is disposed between the top second transparent conductive oxide material and the top absorber material. The bottom cell includes a bottom first transparent conductive oxide material. A bottom window material underlies the first bottom transparent conductive oxide material. A bottom absorber material underlies the bottom window material. A bottom electrode material underlies the bottom absorber material. The tandem photovoltaic cell further includes a coupling material free from a parasitic junction between the top cell and the bottom cell.

摘要翻译： 串联光伏电池。 串联光伏电池包括双面顶部电池和底部电池。 顶部双面电池包括顶部第一透明导电氧化物材料。 顶部玻璃材料位于顶部第一透明导电氧化物材料的正下方。 第一界面区域设置在顶窗材料和顶部第一透明导电氧化物材料之间。 第一界面区域基本上不含从扩散到顶部窗口材料中的顶部第一透明导电氧化物材料的一个或多个实体。 包括铜物质，铟物质和硫物质的顶部吸收体材料位于顶部窗口材料的正下方。 顶部第二透明导电氧化物材料位于顶部吸收体材料的正下方。 第二界面区域设置在顶部第二透明导电氧化物材料和顶部吸收材料之间。 底部单元包括底部第一透明导电氧化物材料。 底部窗材料位于第一底部透明导电氧化物材料的正下方。 底部吸收材料位于底部窗口材料的底部。 底部电极材料位于底部吸收体材料的下面。 串联光伏电池还包括没有顶部电池和底部电池之间的寄生连接的耦合材料。

公开(公告)号：US08859403B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13750932

申请日：2013-01-25

申请人： GigaSi Solar

发明人： Venkatraman Prabhakar

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L31/0368 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L31/0376 ,  H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L31/028 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76871 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2221/1089 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： Systems, methods, and products of processes consistent with the innovations herein relate to aspects involving crystallization of layers on substrates. In one exemplary implementation, there is provided a method of fabricating a device. Moreover, such method may include placing an amorphous/poly material on a substrate and heating the material via a sub-melt laser anneal process to transform the material into crystalline form.

摘要翻译： 与本文创新相一致的方法和方法的产品涉及涉及在基底上的层结晶的方面。 在一个示例性实施例中，提供了一种制造装置的方法。 此外，这种方法可以包括将非晶/多晶材料放置在衬底上并通过次熔融激光退火工艺加热材料以将材料转变成晶体形式。

公开(公告)号：US08859346B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13635403

申请日：2012-07-27

申请人： Xindi Zhang

发明人： Xindi Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： A method for manufacturing array substrate with embedded photovoltaic cell includes: providing a substrate; forming a buffer layer on the substrate; forming an amorphous silicon layer on the buffer layer; converting the amorphous silicon layer into a polysilicon layer; forming a pattern on the polysilicon layer; forming a first photoresist pattern on the polysilicon layer and injecting N+ ions; forming a gate insulation layer on the polysilicon layer; forming a second photoresist pattern on the gate insulation layer and injecting N− ions; forming a third photoresist pattern on the gate insulation layer and injecting P+ ions; forming a metal layer on the gate insulation layer so as to form a gate terminal; forming a hydrogenated insulation layer on the metal layer; forming a first ditch in the first insulation layer; and forming a second metal layer on the first insulation layer.

摘要翻译： 一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制造方法包括：提供基板; 在衬底上形成缓冲层; 在缓冲层上形成非晶硅层; 将所述非晶硅层转化为多晶硅层; 在多晶硅层上形成图案; 在多晶硅层上形成第一光致抗蚀剂图案并注入N +离子; 在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成第二光致抗蚀剂图案并注入N-离子; 在栅极绝缘层上形成第三光致抗蚀剂图案并注入P +离子; 在所述栅极绝缘层上形成金属层以形成栅极端子; 在所述金属层上形成氢化绝缘层; 在第一绝缘层中形成第一沟; 以及在所述第一绝缘层上形成第二金属层。

公开(公告)号：US08859321B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13017671

申请日：2011-01-31

申请人： Ahmed Abou-Kandil ,  Keith E. Fogel ,  Augustin J. Hong ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana

发明人： Ahmed Abou-Kandil ,  Keith E. Fogel ,  Augustin J. Hong ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/548

摘要： Fabrication of a tandem photovoltaic device includes forming a bottom cell having an N-type layer, a P-type layer and a bottom intrinsic layer therebetween. A top cell is formed relative to the bottom cell. The top cell has an N-type layer, a P-type layer and a top intrinsic layer therebetween. The top intrinsic layer is formed of an undoped material deposited at a temperature that is different from the bottom intrinsic layer such that band gap energies for the top intrinsic layer and the bottom intrinsic layer are progressively lower for each cell.

摘要翻译： 串联光伏器件的制造包括在其间形成具有N型层，P型层和底部本征层的底部电池。 相对于底部单元形成顶部单元。 顶部单元具有N型层，P型层和顶层本征层。 顶部本征层由在不同于底部本征层的温度沉积的未掺杂材料形成，使得顶部本征层和底部本征层的带隙能量对于每个单元而言逐渐降低。

公开(公告)号：US20140264346A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14209511

申请日：2014-03-13

申请人： Seagate Technology LLC

发明人： Ned Tabat ,  Xiaoyue Huang

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03762 ,  G11B5/105 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/6088 ,  G11B2005/0021 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548

摘要： In accordance with one implementation, a photodiode may be integrated by thin film processing within a slider. In accordance with another implementation, an apparatus can be configured to include a slider, a first layer of a metal disposed within the slider, a layer of amorphous silicon disposed adjacent the first layer of metal, a second layer of metal disposed adjacent the layer of amorphous silicon, and wherein the first layer of metal, the layer of amorphous silicon, and the second layer of metal are operable as a photodiode.

摘要翻译： 根据一个实施方案，光电二极管可以通过滑块内的薄膜处理来集成。 根据另一实施方案，一种装置可以被配置为包括滑块，设置在滑块内的金属的第一层，与第一金属层相邻设置的非晶硅层，邻近层的第二金属层 非晶硅，并且其中第一金属层，非晶硅层和第二金属层可用作光电二极管。

公开(公告)号：US08835980B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13310614

申请日：2011-12-02

申请人： Masahiko Hata ,  Taro Itatani

发明人： Masahiko Hata ,  Taro Itatani

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01L31/076 ,  H01L27/142

CPC分类号： H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a semiconductor wafer including: a base wafer containing silicon; an inhibitor that has been formed on the base wafer, has an aperture in which a surface of the base wafer is exposed, and inhibits crystal growth; and a light-absorptive structure that has been formed inside the aperture in contact with a surface of the base wafer exposed inside the aperture, where the light-absorptive structure includes a first semiconductor and a second semiconductor.

摘要翻译： 提供一种半导体晶片，其包括：含有硅的基底晶片; 已经形成在基底晶片上的抑制剂具有露出基底晶片的表面的孔，并抑制晶体生长; 以及已经形成在所述孔内的与所述孔内露出的所述基底晶片的表面接触的光吸收结构，其中所述光吸收结构包括第一半导体和第二半导体。