公开(公告)号：US20100264462A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12764669

申请日：2010-04-21

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Markus Zundel

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Markus Zundel

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A semiconductor including a lateral HEMT and to a method for production of a lateral HEMT is disclosed. In one embodiment, the lateral HEMT has a substrate and a first layer, wherein the first layer has a semiconductor material of a first conduction type and is arranged at least partially on the substrate. Furthermore, the lateral HEMT has a second layer, wherein the second layer has a semiconductor material and is arranged at least partially on the first layer. In addition, the lateral HEMT has a third layer, wherein the third layer has a semiconductor material of a second conduction type, which is complementary to the first conduction type, and is arranged at least partially in the first layer.

摘要翻译： 公开了包括横向HEMT的半导体和用于制造横向HEMT的方法。 在一个实施例中，横向HEMT具有衬底和第一层，其中第一层具有第一导电类型的半导体材料并且至少部分地布置在衬底上。 此外，横向HEMT具有第二层，其中第二层具有半导体材料并且至少部分地布置在第一层上。 此外，横向HEMT具有第三层，其中第三层具有与第一导电类型互补的第二导电类型的半导体材料，并且至少部分地布置在第一层中。

公开(公告)号：US07737521B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11118609

申请日：2005-04-29

申请人： Markus Zundel ,  Norbert Krischke

发明人： Markus Zundel ,  Norbert Krischke

IPC分类号： H01L31/058

CPC分类号： H01L29/7815 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813

摘要： A power transistor is disclosed. In one embodiment, the power transistor has a cell array including a semiconductor body having a plurality of transistor cells with gate electrodes and with body and source electrode regions and at least one temperature sensing device integrated in the semiconductor body. The temperature sensing device is formed in a selected sense zone within the cell array, and the transistor cells lying in at least one zone of the cell array that is directly adjacent to the sense zone have an increased W/L ratio of their channel width (W) to their channel length (L) compared with the other transistor cells of the cell array.

摘要翻译： 公开了功率晶体管。 在一个实施例中，功率晶体管具有包括半导体本体的单元阵列，半导体本体具有多个具有栅电极的晶体管单元，并具有主体和源极电极区域以及集成在半导体本体中的至少一个温度感测器件。 温度感测装置形成在电池阵列内的选定的感测区域中，并且位于与感测区域直接相邻的电池阵列的至少一个区域中的晶体管单元具有增加其沟道宽度的W / L比（ W）与其单元阵列的其它晶体管单元相比其沟道长度（L）。

公开(公告)号：US20100078716A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12568915

申请日：2009-09-29

申请人： Erwin Bacher ,  Andreas Behrendt ,  Joerg Ortner ,  Walter Rieger ,  Rudolf Zelsacher ,  Markus Zundel

发明人： Erwin Bacher ,  Andreas Behrendt ,  Joerg Ortner ,  Walter Rieger ,  Rudolf Zelsacher ,  Markus Zundel

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor component comprises a semiconductor body with at least one protective trench in the semiconductor body. An insulation layer is situated at least at the bottom of the protective trench. An electrically conductive layer having a thickness D is formed on the insulation layer in the protective trench, wherein the electrically conductive layer only partly fills the protective trench.

摘要翻译： 半导体部件包括在半导体本体中具有至少一个保护沟槽的半导体本体。 绝缘层至少位于保护沟槽的底部。 在保护沟槽中的绝缘层上形成具有厚度D的导电层，其中导电层仅部分地填充保护沟槽。

公开(公告)号：US20090166729A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11965387

申请日：2007-12-27

申请人： Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth

发明人： Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095

摘要： A power semiconductor element having a lightly doped drift and buffer layer is disclosed. One embodiment has, underneath and between deep well regions of a first conductivity type, a lightly doped drift and buffer layer of a second conductivity type. The drift and buffer layer has a minimum vertical extension between a drain contact layer on the adjacent surface of a semiconductor substrate and the bottom of the deepest well region which is at least equal to a minimum lateral distance between the deep well regions. The vertical extension can also be determined such that a total amount of dopant per unit area in the drift and buffer layer is larger then a breakdown charge amount at breakdown voltage.

摘要翻译： 公开了一种具有轻掺杂漂移和缓冲层的功率半导体元件。 一个实施例具有在第一导电类型的深阱区之下并且在第二导电类型的轻掺杂漂移和缓冲层之间并且在深阱区之间。 漂移和缓冲层在半导体衬底的相邻表面上的漏极接触层和最深阱区的底部之间具有至少等于深阱区域之间的最小横向距离的最小垂直延伸。 也可以确定垂直延伸，使得漂移缓冲层中的每单位面积的掺杂剂的总量大于击穿电压时的击穿电荷量。

公开(公告)号：US07211860B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10857353

申请日：2004-05-28

申请人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

发明人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7831

摘要： In the case of the semiconductor component (1) according to the invention, the source regions (S), the body regions (B) and, if appropriate, the body contact regions (Bk) are in each case arranged in mesa regions (M) of adjacent trenches (30). In the edge region (R) of the cell array (Z) the insulation (GOX, FOX) of the underlying trench structures (30) by an insulating oxide layer (FOX) is comparatively thick and formed in the form of a field oxide (FOX) or thick oxide (FOX).

摘要翻译： 在根据本发明的半导体部件（1）的情况下，源极区域（S），主体区域（B）以及适当时的体接触区域（Bk）分别布置在台面区域（M ）相邻的沟槽（30）。 在单元阵列（Z）的边缘区域（R）中，通过绝缘氧化物层（FOX）的下面的沟槽结构（30）的绝缘（GOX，FOX）相对较厚并且形成为场氧化物 FOX）或厚氧化物（FOX）。

公开(公告)号：US06911693B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10446600

申请日：2003-05-28

申请人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

发明人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368

摘要： In order to form a MOS transistor device with a particularly low on resistance with a good avalanche strength at the same time, it is proposed to define the position and/or the configuration of avalanche breakdown regions by a variation and/or a course of the width and/or of the depth of the respective trench structure and/or of the respective mesa regions.

摘要翻译： 为了形成具有特别低的导通电阻并且同时具有良好的雪崩强度的MOS晶体管器件，建议通过变化和/或过程来定义雪崩击穿区域的位置和/或构造 宽度和/或各个沟槽结构和/或相应的台面区域的深度。

公开(公告)号：US06882004B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10282971

申请日：2002-10-29

申请人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

发明人： Markus Zundel ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L23/485 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L24/02 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component has a minimal size and area requirement. The semiconductor component is formed in a trench with wall regions and a bottom region. Terminal regions for the electrical connection of first and second contact regions (S, B) are formed at least partly within the trench (30).

摘要翻译： 半导体元件具有最小的尺寸和面积要求。 半导体部件形成在具有壁区域和底部区域的沟槽中。 至少部分地在沟槽（30）内形成用于第一和第二接触区域（S，B）的电连接的端子区域。

公开(公告)号：US09076821B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13402394

申请日：2012-02-22

申请人： Erwin Vogl ,  Markus Zundel

发明人： Erwin Vogl ,  Markus Zundel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/66 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： An anchoring structure for a metal structure of a semiconductor device includes an anchoring recess structure having at least one overhanging side wall, the metal structure being at least partly arranged within the anchoring recess structure.

摘要翻译： 用于半导体器件的金属结构的锚定结构包括具有至少一个悬垂侧壁的锚固凹槽结构，金属结构至少部分地布置在锚定凹槽结构内。

公开(公告)号：US08785997B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13473231

申请日：2012-05-16

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Alexander Susiti ,  Markus Zundel ,  Reinhard Ploss

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Alexander Susiti ,  Markus Zundel ,  Reinhard Ploss

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a first surface. The semiconductor device further includes a continuous silicate glass structure over the first surface. A first part of the continuous glass structure over an active area of the semiconductor body includes a first composition of dopants that differs from a second composition of dopants in a second part of the continuous glass structure over an area of the semiconductor body outside of the active area.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一表面的半导体本体。 半导体器件还包括在第一表面上的连续硅酸盐玻璃结构。 在半导体主体的有源区域上的连续玻璃结构的第一部分包括掺杂剂的第一组合物，其不同于连续玻璃结构的第二部分中的掺杂剂的第二组成，在半导体主体的在活性物外部的区域上 区。

公开(公告)号：US08698234B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13276854

申请日：2011-10-19

申请人： Franz Hirler ,  Markus Zundel

发明人： Franz Hirler ,  Markus Zundel

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/945

摘要： A semiconductor device including a connecting structure includes an edge region, a first trench and a second trench running toward the edge region, a first electrode within the first trench, and a second electrode within the second trench, the first and second electrodes being arranged in a same electrode plane with regard to a main surface of a substrate of the electronic device within the trenches, and the first electrode extending, at an edge region side end of the first trench, farther toward the edge region than the second electrode extends, at an edge region side end of the second trench, toward the edge region.

摘要翻译： 包括连接结构的半导体器件包括边缘区域，朝向边缘区域延伸的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽内的第一电极和第二沟槽内的第二电极，第一和第二电极被布置在 相对于沟槽内的电子器件的基板的主表面的相同的电极平面，并且在第一沟槽的边缘区域侧端延伸的第一电极比第二电极延伸到边缘区域延伸，在 第二沟槽的边缘区域侧端部朝向边缘区域。