公开(公告)号：US08486318B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13111850

申请日：2011-05-19

申请人： Deok Hoon Kim ,  Kyung Wook Paik ,  Kyoung Lim Suk ,  Jae Ok Kim

发明人： Deok Hoon Kim ,  Kyung Wook Paik ,  Kyoung Lim Suk ,  Jae Ok Kim

IPC分类号： B29C47/02

CPC分类号： H01R4/04 ,  C08G2650/40 ,  C08L71/00 ,  C08L71/02 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/04 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J133/24 ,  C09J135/06 ,  C09J143/04 ,  D01D5/0007 ,  D01F1/10 ,  H01R12/52 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0278 ,  H05K2201/029 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2874 ,  Y10T428/2878 ,  Y10T428/2887 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/2896 ,  Y10T442/30

摘要： Provided is a functional fiber and a fiber aggregate for realizing various functions, an adhesive for easily bonding electronic components, and a method for manufacturing the same. Particularly, a fiber extended in a length direction includes a carrier polymer and a plurality of functional particles, wherein the plurality of functional particles are embedded in the carrier polymer and physically fixed to the carrier polymer to be integrated.

摘要翻译： 提供了用于实现各种功能的功能性纤维和纤维聚集体，用于容易地结合电子部件的粘合剂及其制造方法。 特别地，沿长度方向延伸的纤维包括载体聚合物和多个功能性颗粒，其中多个功能性颗粒嵌入载体聚合物中并且物理地固定到载体聚合物上以使其一体化。

公开(公告)号：US20120272609A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13441716

申请日：2012-04-06

申请人： Jae Ok KIM

发明人： Jae Ok KIM

IPC分类号： E04B1/38 ,  E04B2/30

CPC分类号： E04F13/0857 ,  E04F13/14

摘要： A support device of a bearing angle for an architectural stone includes: a supporter having a screw hole formed at the center thereof and being movable along a spiral thread of an anchor bolt fixed to a wall body; and a cutting blade part being formed on the supporter and penetrating into an insulator by a rotational force generated by movement of the supporter so as to be supported in contact with the wall body.

摘要翻译： 用于建筑石材的支承角的支撑装置包括：支撑件，其具有形成在其中心处的螺钉孔，并且可沿固定到壁体的锚定螺栓的螺旋线移动; 以及切割刀片部分，其形成在所述支撑件上并且通过由所述支撑件的运动产生的旋转力而穿透到所述绝缘体中，以被支撑为与所述壁体接触。

公开(公告)号：US20120228805A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13111850

申请日：2011-05-19

申请人： Deok Hoon KIM ,  Kyung Wook PAIK ,  Kyoung Lim SUK ,  Jae Ok KIM

发明人： Deok Hoon KIM ,  Kyung Wook PAIK ,  Kyoung Lim SUK ,  Jae Ok KIM

IPC分类号： B29C47/02 ,  B29C47/00

CPC分类号： H01R4/04 ,  C08G2650/40 ,  C08L71/00 ,  C08L71/02 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/04 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J133/24 ,  C09J135/06 ,  C09J143/04 ,  D01D5/0007 ,  D01F1/10 ,  H01R12/52 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0278 ,  H05K2201/029 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2874 ,  Y10T428/2878 ,  Y10T428/2887 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/2896 ,  Y10T442/30

摘要： Provided is a functional fiber and a fiber aggregate for realizing various functions, an adhesive for easily bonding electronic components, and a method for manufacturing the same. Particularly, a fiber extended in a length direction includes a carrier polymer and a plurality of functional particles, wherein the plurality of functional particles are embedded in the carrier polymer and physically fixed to the carrier polymer to be integrated.

公开(公告)号：US06979657B2

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10294575

申请日：2002-11-15

申请人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

发明人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

IPC分类号： H01L21/283 ,  C23C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/334 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02299 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： The present invention provides a method for forming an improved dielectric layer for semiconductor devices such as gate structures and capacitors. The method utilizes a layer of (TaO)1−x(TiO)xN (x defined herein) as a substitute for SiO2, together with one or more additional procedures to minimize or prevent channel leakage and other problems that can minimize the performance of the structure.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成诸如栅极结构和电容器的半导体器件的改进的介电层的方法。 该方法利用一层（TaO）1-x（TiO）x N（本文所定义的x）作为SiO 2的替代物， 以及一个或多个附加程序来最小化或防止通道泄漏以及可以最小化结构性能的其他问题。

公开(公告)号：US20120231260A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13111824

申请日：2011-05-19

申请人： Deok Hoon KIM ,  Kyung Wook PAIK ,  Kyoung Lim SUK ,  Jae Ok KIM

发明人： Deok Hoon KIM ,  Kyung Wook PAIK ,  Kyoung Lim SUK ,  Jae Ok KIM

IPC分类号： C09J7/02 ,  C09K11/55 ,  C09K11/06 ,  H01F1/37 ,  C09K11/60 ,  C09K11/59 ,  C09K11/63 ,  C09K11/64 ,  C09K11/78 ,  C09K11/58 ,  C09K11/54 ,  C09K11/57 ,  H01F1/26 ,  B32B5/16 ,  B32B27/06 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B27/42 ,  B32B27/30 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01R4/04 ,  C08G2650/40 ,  C08L71/00 ,  C08L71/02 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/04 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J133/24 ,  C09J135/06 ,  C09J143/04 ,  D01D5/0007 ,  D01F1/10 ,  H01R12/52 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0278 ,  H05K2201/029 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2874 ,  Y10T428/2878 ,  Y10T428/2887 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/2896 ,  Y10T442/30

摘要： Provided is a functional fiber and a fiber aggregate for realizing various functions, an adhesive for easily bonding electronic components, and a method for manufacturing the same. Particularly, a fiber extended in a length direction includes a carrier polymer and a plurality of functional particles, wherein the plurality of functional particles are embedded in the carrier polymer and physically fixed to the carrier polymer to be integrated.

摘要翻译： 提供了用于实现各种功能的功能性纤维和纤维聚集体，用于容易地结合电子部件的粘合剂及其制造方法。 特别地，沿长度方向延伸的纤维包括载体聚合物和多个功能性颗粒，其中多个功能性颗粒嵌入载体聚合物中并且物理地固定到载体聚合物上以使其一体化。

公开(公告)号：US07371670B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11101424

申请日：2005-04-08

申请人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

发明人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

IPC分类号： H01L21/4757

CPC分类号： H01L21/02299 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： The present invention provides a method for forming an improved dielectric layer for semiconductor devices such as gate structures and capacitors. The method utilizes a layer of (TaO)1-x(TiO)xN (x defined herein) as a substitute for SiO2, together with one or more additional procedures to minimize or prevent channel leakage and other problems that can minimize the performance of the structure.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成诸如栅极结构和电容器的半导体器件的改进的介电层的方法。 该方法利用一层（TaO）1-x（TiO）x N（本文所定义的x）作为SiO 2的替代物， 以及一个或多个附加程序来最小化或防止通道泄漏以及可以最小化结构性能的其他问题。

公开(公告)号：US20050202627A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11101424

申请日：2005-04-08

申请人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

发明人： Kwang-Chul Joo ,  Jae-Ok Kim

IPC分类号： H01L21/283 ,  C23C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/334 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02299 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： The present invention provides a method for forming an improved dielectric layer for semiconductor devices such as gate structures and capacitors. The method utilizes a layer of (TaO)1-x(TiO)xN (x defined herein) as a substitute for SiO2, together with one or more additional procedures to minimize or prevent channel leakage and other problems that can minimize the performance of the structure.

公开(公告)号：US20120231689A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13075147

申请日：2011-03-29

申请人： Deok Hoon Kim ,  Kyung Wook Paik ,  Kyoung Lim Suk ,  Jae Ok Kim

发明人： Deok Hoon Kim ,  Kyung Wook Paik ,  Kyoung Lim Suk ,  Jae Ok Kim

IPC分类号： D03D15/00 ,  H01B1/22 ,  C09K11/08 ,  H01B1/20 ,  H01F1/01

CPC分类号： H01R4/04 ,  C08G2650/40 ,  C08L71/00 ,  C08L71/02 ,  C08L77/00 ,  C08L77/10 ,  C08L79/04 ,  C08L81/02 ,  C08L81/06 ,  C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J133/24 ,  C09J135/06 ,  C09J143/04 ,  D01D5/0007 ,  D01F1/10 ,  H01R12/52 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0278 ,  H05K2201/029 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2874 ,  Y10T428/2878 ,  Y10T428/2887 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/2896 ,  Y10T442/30

摘要： Provided is a functional fiber and a fiber aggregate for realizing various functions, an adhesive for easily bonding electronic components, and a method for manufacturing the same. Particularly, a fiber extended in a length direction includes a carrier polymer and a plurality of functional particles, wherein the plurality of functional particles are embedded in the carrier polymer and physically fixed to the carrier polymer to be integrated.

公开(公告)号：US06800907B2

公开(公告)日：2004-10-05

申请号：US10330341

申请日：2002-12-30

申请人： Jae-Ok Kim ,  Woo-Jin Kim ,  Jong-Hyuk Oh

发明人： Jae-Ok Kim ,  Woo-Jin Kim ,  Jong-Hyuk Oh

IPC分类号： H01L2362

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a method for fabricating a semiconductor device capable of suppressing stresses concentrated at bottom corners of a gate electrode as simultaneously as preventing an oxidation of a metal included in a gate electrode. The inventive method includes the steps of: forming a gate oxide layer on a substrate; forming a gate electrode including at least one metal layer on the gate oxide layer; forming an oxide layer on the substrate including the gate electrode at a temperature lower than oxidation temperature of the metal layer; and etching selectively the densified oxide layer so as to form an oxide spacer on the lateral sides of the gate electrode.

摘要翻译： 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件能够同时抑制栅电极中包含的金属的氧化同时抑制集中在栅电极的底角的应力。 本发明的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅氧化层; 在所述栅极氧化物层上形成包括至少一个金属层的栅电极; 在比所述金属层的氧化温度低的温度下在包括所述栅电极的所述基板上形成氧化物层; 并选择性地蚀刻致密的氧化物层，以在栅电极的侧面上形成氧化物间隔物。