公开(公告)号：US08063452B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US11574483

申请日：2005-08-30

申请人： Akira Toriumi ,  Koji Kita ,  Kazuyuki Tomida ,  Yoshiki Yamamoto

发明人： Akira Toriumi ,  Koji Kita ,  Kazuyuki Tomida ,  Yoshiki Yamamoto

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L23/58 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645

摘要： A gate insulating film having a high dielectric constant, a semiconductor device provided with the gate insulating film, and a method for manufacturing such film and device are provided. The semiconductor device is provided with a group 14 (IVA) semiconductor board and a first oxide layer. The first oxide layer is composed of MO2 existing on the board, where M is a first metal species selected from the group 4 (IVB); and M′xOy, where M′ is a second metal species selected from the group 3 (IIIB) and a group composed of lanthanide series, and x and y are integers decided by the oxidation number of M.

摘要翻译： 提供具有高介电常数的栅极绝缘膜，设置有栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法。 半导体器件具有第14族（IVA）半导体基板和第1氧化物层。 第一氧化物层由存在于板上的MO2组成，其中M是选自第4组（IVB）的第一种金属; 和M'xOy，其中M'是选自组3（IIIB）的第二种金属和由镧系元素组成的组，x和y是由氧化数M决定的整数。

公开(公告)号：US20100019357A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US11574483

申请日：2005-08-30

申请人： Akira Toriumi ,  Koji Kita ,  Kazuyuki Tomida ,  Yoshiki Yamamoto

发明人： Akira Toriumi ,  Koji Kita ,  Kazuyuki Tomida ,  Yoshiki Yamamoto

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645

摘要： A gate insulating film having a high dielectric constant, a semiconductor device provided with the gate insulating film, and a method for manufacturing such film and device are provided. The semiconductor device is provided with a group 14 (IVB) semiconductor board and a first oxide layer. The first oxide layer is composed of MO2 existing on the board, where M is a first metal species selected from the group 4 (IVA); and M′xOy, where M′ is a second metal species selected from the group 3 (IIIA) and a group composed of lanthanide series, and x and y are integers decided by the oxidation number of M.

摘要翻译： 提供具有高介电常数的栅极绝缘膜，设置有栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法。 半导体器件具有第14族（IVB）半导体基板和第1氧化物层。 第一氧化物层由存在于板上的MO2组成，其中M是选自第4族（IVA）的第一种金属; 和M'xOy，其中M'是选自组3（IIIA）的第二种金属和由镧系元素组成的组，x和y是由氧化数M决定的整数。

公开(公告)号：US09343298B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13245247

申请日：2011-09-26

申请人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

发明人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

摘要： The disclosure provides a method for producing a stack of layers on a semiconductor substrate. The method includes producing a substrate a first conductive layer; and producing by ALD a sub-stack of layers on said conductive layer, at least one of said layers of the sub-stack being a TiO2 layer, the other layers of the sub-stack being layers of a dielectric material having a composition suitable to form a cubic perovskite phase upon crystallization of said sub-stack of layers. Crystallization is obtained via heat treatment. When used in a metal-insulator-metal capacitor, the stack of layers can provide improved characteristics as a consequence of the TiO2 layer being present in the sub-stack.

摘要翻译： 本公开提供了一种在半导体衬底上制造层叠层的方法。 该方法包括：制备基板第一导电层; 并且通过ALD在所述导电层上产生一层次叠层，所述子堆叠中的至少一层是TiO 2层，所述子堆叠的其它层是具有适合于 在所述子层叠层结晶时形成立方体钙钛矿相。 通过热处理获得结晶。 当用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器时，层叠层可以提供改进的特性，因为TiO 2层存在于子层中。

公开(公告)号：US5834404A

公开(公告)日：1998-11-10

申请号：US836285

申请日：1997-07-15

申请人： Takahiro Sagae ,  Masao Yamaguchi ,  Hiroyuki Adachi ,  Kazuyuki Tomida ,  Akihiro Takahashi ,  Takashi Kawana

发明人： Takahiro Sagae ,  Masao Yamaguchi ,  Hiroyuki Adachi ,  Kazuyuki Tomida ,  Akihiro Takahashi ,  Takashi Kawana

IPC分类号： A01N35/06 ,  A01N41/10 ,  C07C45/51 ,  C07C45/68 ,  C07C45/71 ,  C07C49/753 ,  C07C49/83 ,  C07C49/835 ,  C07C49/84 ,  C07C205/45 ,  C07C317/24 ,  C07C323/22 ,  C07D213/71 ,  A01N31/04 ,  A01N43/36 ,  C07C49/115 ,  C07D211/70

CPC分类号： C07D213/71 ,  A01N35/06 ,  A01N41/10 ,  C07C205/45 ,  C07C317/24 ,  C07C323/22 ,  C07C45/513 ,  C07C45/68 ,  C07C45/71 ,  C07C49/753 ,  C07C49/83 ,  C07C49/835 ,  C07C49/84 ,  C07C2102/20

摘要： The present invention is directed to substituted bicycloheptanedion e derivatives represented by a general formula �I!; ##STR1## wherein R represents C.sub.1 -C.sub.4 alkyl, R.sup.1 represents hydrogen, C.sub.1 -C.sub.10 alkyl, C.sub.2 -C.sub.4 alkenyl, C.sub.2 -C.sub.4 alkynyl, aralkyl, C.sub.2 -C.sub.4 haloalkynyl, C.sub.1 -C.sub.4 alkoxy C.sub.1 -C.sub.4 alkyl, C.sub.1 -C.sub.4 haloalkyl, C.sub.2 -C.sub.4 haloalkenyl, etc. and R.sup.2 represents optionally substituted phenyl or optionally substituted pyridyl, the salts thereof and herbicides comprising the same as the active ingredient.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 02259 Sec。 371日期1997年7月15日 102（e）日期1997年7月15日PCT 1995年11月7日PCT PCT。 公开号WO96 / 14285 日期：1996年5月17日本发明涉及由通式[I]表示的取代的双环庚烷二酮衍生物e衍生物。 其中R表示C 1 -C 4烷基，R 1表示氢，C 1 -C 10烷基，C 2 -C 4烯基，C 2 -C 4炔基，芳烷基，C 2 -C 4卤代炔基，C 1 -C 4烷氧基C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4卤代烷基，C 2 -C 4卤代烯基等，R 2表示任选取代的苯基或任选取代的吡啶基，其盐和除草剂与活性成分相同。

公开(公告)号：US08212050B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US11989846

申请日：2006-08-02

申请人： Yasuhiro Miyashita ,  Koichi Kutose ,  Kazuyuki Tomida ,  Shigeo Yamada

发明人： Yasuhiro Miyashita ,  Koichi Kutose ,  Kazuyuki Tomida ,  Shigeo Yamada

IPC分类号： C07D263/34 ,  C07D207/12 ,  C07C257/10 ,  A01P13/00

CPC分类号： C07D261/18 ,  A01N43/36 ,  C07D203/12 ,  C07D205/04 ,  C07D207/09 ,  C07D207/10 ,  C07D207/14 ,  C07D207/16 ,  C07D207/20 ,  C07D207/27 ,  C07D207/327 ,  C07D209/94 ,  C07D211/16 ,  C07D211/26 ,  C07D231/06 ,  C07D231/12 ,  C07D237/04 ,  C07D239/04 ,  C07D239/26 ,  C07D257/04 ,  C07D261/02 ,  C07D261/04 ,  C07D261/08 ,  C07D263/10 ,  C07D263/32 ,  C07D277/04 ,  C07D277/30 ,  C07D279/12 ,  C07D295/182 ,  C07D295/185 ,  C07D295/192 ,  C07D295/194 ,  C07D295/195 ,  C07D317/62 ,  C07D401/06 ,  C07D403/06 ,  C07D413/06 ,  C07D413/12 ,  C07D417/06 ,  C07D417/12 ,  C07D491/04

摘要： Novel amidine compounds which may be active ingredients in herbicides that are reliably effective at a lesser dose and highly safe, and herbicides containing these compounds as active ingredients are provided. Amidine compounds represented by a formula (1′) and herbicides containing at least one kind of these compounds as active ingredients, [wherein G is an optionally substituted nitrogen-containing heterocyclic group represented by a formula (2′) with a proviso that the number of carbons constituting the nitrogen-containing heterocycle of the nitrogen-containing heterocyclic group is 10 or less and that 2H-Indazole ring is excluded; Q′ represents cyano or the like; and A′ represents substituted phenyl or the like].

摘要翻译： 提供了可以是以较小剂量和高度安全性可靠地有效的除草剂中的活性成分的新型脒化合物，以及含有这些化合物作为活性成分的除草剂。 由式（1'）表示的脒化合物和含有至少一种这些化合物作为活性成分的除草剂[其中G是由式（2'）表示的任选取代的含氮杂环基，条件是数 构成含氮杂环基的含氮杂环的碳数为10以下，排除了2H-吲唑环; Q'表示氰基等; 和A'代表取代的苯基等〕。

公开(公告)号：US20120092807A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13245247

申请日：2011-09-26

申请人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

发明人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

摘要： The disclosure provides a method for producing a stack of layers on a semiconductor substrate. The method includes producing a substrate a first conductive layer; and producing by ALD a sub-stack of layers on said conductive layer, at least one of said layers of the sub-stack being a TiO2 layer, the other layers of the sub-stack being layers of a dielectric material having a composition suitable to form a cubic perovskite phase upon crystallization of said sub-stack of layers. Crystallization is obtained via heat treatment. When used in a metal-insulator-metal capacitor, the stack of layers can provide improved characteristics as a consequence of the TiO2 layer being present in the sub-stack.

摘要翻译： 本公开提供了一种在半导体衬底上制造层叠层的方法。 该方法包括：制备基板第一导电层; 并且通过ALD在所述导电层上产生一层次叠层，所述子堆叠中的至少一层是TiO 2层，所述子堆叠的其它层是具有适合于 在所述子层叠层结晶时形成立方体钙钛矿相。 通过热处理获得结晶。 当用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器时，层叠层可以提供改进的特性，因为TiO 2层存在于子层中。

公开(公告)号：US20110301355A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US11989846

申请日：2006-08-02

申请人： Yasuhiro Miyashita ,  Koichi Kutose ,  Kazuyuki Tomida ,  Shigeo Yamada

发明人： Yasuhiro Miyashita ,  Koichi Kutose ,  Kazuyuki Tomida ,  Shigeo Yamada

IPC分类号： C07D263/34 ,  C07C257/10 ,  C07D207/12 ,  A01P13/00

CPC分类号： C07D261/18 ,  A01N43/36 ,  C07D203/12 ,  C07D205/04 ,  C07D207/09 ,  C07D207/10 ,  C07D207/14 ,  C07D207/16 ,  C07D207/20 ,  C07D207/27 ,  C07D207/327 ,  C07D209/94 ,  C07D211/16 ,  C07D211/26 ,  C07D231/06 ,  C07D231/12 ,  C07D237/04 ,  C07D239/04 ,  C07D239/26 ,  C07D257/04 ,  C07D261/02 ,  C07D261/04 ,  C07D261/08 ,  C07D263/10 ,  C07D263/32 ,  C07D277/04 ,  C07D277/30 ,  C07D279/12 ,  C07D295/182 ,  C07D295/185 ,  C07D295/192 ,  C07D295/194 ,  C07D295/195 ,  C07D317/62 ,  C07D401/06 ,  C07D403/06 ,  C07D413/06 ,  C07D413/12 ,  C07D417/06 ,  C07D417/12 ,  C07D491/04

摘要： Novel amidine compounds which may be active ingredients in herbicides that are reliably effective at a lesser dose and highly safe, and herbicides containing these compounds as active ingredients are provided. Amidine compounds represented by a formula (1′) and herbicides containing at least one kind of these compounds as active ingredients, [wherein G is an optionally substituted nitrogen-containing heterocyclic group represented by a formula (2′) with a proviso that the number of carbons constituting the nitrogen-containing heterocycle of the nitrogen-containing heterocyclic group is 10 or less and that 2H-Indazole ring is excluded; Q′ represents cyano or the like; and A′ represents substituted phenyl or the like].

摘要翻译： 提供了可以是以较小剂量和高度安全性可靠地有效的除草剂中的活性成分的新型脒化合物，以及含有这些化合物作为活性成分的除草剂。 由式（1'）表示的脒化合物和含有至少一种这些化合物作为活性成分的除草剂[其中G是由式（2'）表示的任选取代的含氮杂环基，条件是数 构成含氮杂环基的含氮杂环的碳数为10以下，排除了2H-吲唑环; Q'表示氰基等; 和A'代表取代的苯基等〕。

公开(公告)号：US5228898A

公开(公告)日：1993-07-20

申请号：US651266

申请日：1992-02-03

申请人： Akiyoshi Ueda ,  Shigemi Suga ,  Hiroyuki Adachi ,  Toshio Aihara ,  Kazuyuki Tomida ,  Hideki Yamagishi ,  Hideo Hosaka

发明人： Akiyoshi Ueda ,  Shigemi Suga ,  Hiroyuki Adachi ,  Toshio Aihara ,  Kazuyuki Tomida ,  Hideki Yamagishi ,  Hideo Hosaka

IPC分类号： C07D239/26 ,  A01N31/06 ,  A01N35/06 ,  A01N37/18 ,  A01N37/34 ,  A01N37/42 ,  A01N41/06 ,  A01N41/08 ,  A01N41/10 ,  A01N43/40 ,  A01N43/54 ,  A01N43/56 ,  A01N43/76 ,  A01N43/78 ,  C07C20060101 ,  C07C45/67 ,  C07C49/323 ,  C07C49/433 ,  C07C49/477 ,  C07C49/517 ,  C07C49/733 ,  C07C49/747 ,  C07C49/792 ,  C07C49/813 ,  C07C49/83 ,  C07C49/84 ,  C07C65/36 ,  C07C67/30 ,  C07C69/76 ,  C07C201/12 ,  C07C205/45 ,  C07C205/46 ,  C07C253/30 ,  C07C255/56 ,  C07C309/86 ,  C07C317/24 ,  C07C317/44 ,  C07C323/22 ,  C07C323/52 ,  C07D213/50 ,  C07D213/61 ,  C07D213/70 ,  C07D231/16 ,  C07D239/34 ,  C07D239/38 ,  C07D239/52 ,  C07D239/56 ,  C07D239/58 ,  C07D277/24 ,  C07D277/34 ,  C07D521/00

CPC分类号： C07D213/70 ,  A01N35/06 ,  A01N37/18 ,  A01N37/42 ,  A01N41/06 ,  A01N41/10 ,  A01N43/40 ,  A01N43/56 ,  A01N43/78 ,  C07C205/45 ,  C07C255/56 ,  C07C317/24 ,  C07C45/673 ,  C07C45/676 ,  C07C49/433 ,  C07C49/477 ,  C07C49/517 ,  C07C49/733 ,  C07C49/747 ,  C07C49/792 ,  C07C49/813 ,  C07C49/84 ,  C07C65/36 ,  C07C69/76 ,  C07D213/50 ,  C07D213/61 ,  C07D231/16 ,  C07D277/34 ,  C07C2102/20

摘要： This invention relates to substituted bicycloheptadione derivatives with high herbicidal activity which are represented by general formula (I) ##STR1## (where R.sup.1 is a lower alkyl group, a phenyl group which may be substituted, an aralkyl group which may be substituted, or a heterocyclic group which may be substituted;R.sup.2 is, same or different, a halogen, an alkoxy group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an alkyl group, an alkoxyalkyl group, or an alkoxylcarbonyl group, and n is 0 to 4;R.sup.3 and R.sup.4 are, same or different, hydrogen or a lower alkyl group).

摘要翻译： PCT No.PCT / JP90 / 00850 Sec。 一九九二年二月三日 102（e）日期1993年2月3日PCT Filed 1990年6月29日PCT公布。 公开号WO91 / 00260 PCT 1991年1月10日。本发明涉及通式（I）表示的具有高除草活性的取代二环庚二酮衍生物（Ⅰ）（其中R1是低级烷基，可被取代的苯基， 可被取代的芳烷基或可被取代的杂环基; R 2相同或不同，为卤素，烷氧基，烷硫基，烷基磺酰基，烷基，烷氧基烷基或烷氧基羰基 基团，n为0至4; R 3和R 4相同或不同，为氢或低级烷基）。

公开(公告)号：US5110343A

公开(公告)日：1992-05-05

申请号：US527885

申请日：1990-05-24

申请人： Akiyoshi Ueda ,  Haruhito Ohishi ,  Toshio Aihara ,  Hisao Ishikawa ,  Kazuyuki Tomida ,  Hideo Hosaka

发明人： Akiyoshi Ueda ,  Haruhito Ohishi ,  Toshio Aihara ,  Hisao Ishikawa ,  Kazuyuki Tomida ,  Hideo Hosaka

IPC分类号： A01N35/06 ,  A01N37/34 ,  A01N37/36 ,  A01N41/10 ,  A01N43/10 ,  A01N43/16 ,  A01N43/18 ,  A01N43/28 ,  A01N43/36 ,  A01N43/40 ,  A01N43/56 ,  A01N57/22 ,  C07C45/54 ,  C07C49/813 ,  C07C49/83 ,  C07C49/835 ,  C07C49/84 ,  C07C65/40 ,  C07C205/45 ,  C07C255/40 ,  C07C255/46 ,  C07C255/56 ,  C07C317/24 ,  C07C317/44 ,  C07C323/22 ,  C07C323/52

CPC分类号： A01N57/22 ,  A01N35/06 ,  A01N37/34 ,  A01N37/36 ,  A01N41/10 ,  A01N43/10 ,  A01N43/16 ,  A01N43/18 ,  A01N43/28 ,  A01N43/36 ,  A01N43/40 ,  A01N43/56 ,  C07C205/45 ,  C07C255/40 ,  C07C255/46 ,  C07C255/56 ,  C07C317/24 ,  C07C317/44 ,  C07C323/22 ,  C07C323/52 ,  C07C45/54 ,  C07C49/813 ,  C07C49/83 ,  C07C49/835 ,  C07C49/84 ,  C07C65/40 ,  C07C2101/16

摘要： The invention relates to a herbicidal composition having an inert carrier and an effective amount of a compound having the formula ##STR1## wherein X is the same or different substituent selected from the group consisting of halogen, nitro, C.sub.1-6 alkyl, halo C.sub.1-6 alkyl, C.sub.1-6 alkoxy, C.sub.1-6 alkylthio and C.sub.1-6 alkylsulfonyl;n is 1, 2, 3 or 4;R.sup.1 is C.sub.1-6 alkyl which is substituted by cyano, halogen, hydroxy, C.sub.1-6 alkoxy, C.sub.1-6 alkylthio, C.sub.1-6 alkylsulfonyl or tetrahydropyranyloxy; C.sub.1-6 alkylthio, phenylthio, pyridyl or tetrahydropyranyl;R.sup.2 is C.sub.1-6 alkyl;l is 0, 1 or 2.