公开(公告)号：US20060128128A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11296568

申请日：2005-12-08

申请人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

发明人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76846

摘要： In a method for producing a conductive layer a substrate is provided. On the substrate, a layer comprised of at least two different metal nitrides is provided. Especially, on a surface of the substrate a first metal nitride layer, on a surface of the first metal nitride layer a second metal nitride layer, and on a surface of the second metal nitride layer a third metal nitride layer is deposited.

摘要翻译： 在制造导电层的方法中，提供了基板。 在衬底上提供由至少两种不同的金属氮化物组成的层。 特别地，在基板的表面上，沉积第一金属氮化物层，在第一金属氮化物层的表面上具有第二金属氮化物层，并且在第二金属氮化物层的表面上沉积第三金属氮化物层。

公开(公告)号：US07531418B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11296568

申请日：2005-12-08

申请人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

发明人： Bernd Hintze ,  Stephan Kudelka ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76846

摘要： In a method for producing a conductive layer a substrate is provided. On the substrate, a layer includes at least two different metal nitrides. In one embodiment, on a surface of the substrate a first metal nitride layer is deposited, followed by a second metal nitride layer formed thereon. A third metal layer is then deposited on a surface of the second metal nitride layer.

摘要翻译： 在制造导电层的方法中，提供了基板。 在衬底上，层包括至少两种不同的金属氮化物。 在一个实施例中，在衬底的表面上沉积第一金属氮化物层，随后形成第二金属氮化物层。 然后在第二金属氮化物层的表面上沉积第三金属层。

公开(公告)号：US20080176375A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11970654

申请日：2008-01-08

申请人： Elke Erben ,  Stephan Kudelka ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Matthias Patz ,  Jonas Sundqvist

发明人： Elke Erben ,  Stephan Kudelka ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Matthias Patz ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： The present invention relates to a deposition of a dielectric layer. On a substrate having a structured area a crystallization seed layer for a dielectric layer is deposited via an atomic layer deposition technique employing a first and a second precursor on the structured area of the substrate. The first pre-cursor is a compound having the constitutional formula M1(R1Cp)x(R2)4-x, wherein M1 is one of hafnium and zirconium, Cp is cyclopentadienyl, R1 is independently selected of methyl, ethyl and alkyl, R2 is independently selected of hydrogen, methyl, ethyl, alkyl and alkoxyl, and x is one or two. The dielectric layer is deposited on the crystallization seed layer via an atomic layer deposition technique employing a third and a forth precursor wherein the third pre-cursor being a compound having the constitutional formula M2 R3 R4 R5 R6, wherein M2 is one of hafnium or zirconium and R3, R4, R5, and R6 are independently selected of alkyl amines.

摘要翻译： 本发明涉及电介质层的沉积。 在具有结构区域的基板上，通过使用第一和第二前体的原子层沉积技术在基板的结构化区域上沉积用于电介质层的结晶种子层。 第一个前体是具有结构式M 1（R 1）的化合物，其中R 1，R 2，R 2， 其中M 1是铪和锆中的一种，Cp是环戊二烯基，R 1独立地选自甲基，乙基 和烷基，R 2独立地选自氢，甲基，乙基，烷基和烷氧基，x是一个或两个。 介电层通过使用第三和第四前体的原子层沉积技术沉积在结晶种子层上，其中第三个前体是具有结构式M 2 O 3的化合物 其中M 2是铪或锆中的一种，R 2是R 5 R 4，R 5，R 6和R 6独立地选自烷基胺。

公开(公告)号：US20080182427A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11698337

申请日：2007-01-26

申请人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

发明人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention relates to a method for depositing a dielectric material comprising a transition metal oxide. In an initial step, a substrate is provided. In a further step, a first precursor comprising a transition metal containing compound, and a second precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a transition metal containing material. In another step, a third precursor comprising a dopant containing compound, and a fourth precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a dopant containing material. The transition metal comprises at least one of zirconium and hafnium. The dopant comprises at least one of barium, strontium, calcium, niobium, bismuth, magnesium, and cerium.

摘要翻译： 本发明涉及沉积包含过渡金属氧化物的电介质材料的方法。 在初始步骤中，提供衬底。 在另一步骤中，依次施加包含含过渡金属的化合物的第一前体和主要包含水蒸气，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第二前体，以在基底上沉积含有过渡金属的层 材料。 在另一步骤中，顺序地施加包含掺杂剂的化合物的第三前体和主要包含水蒸汽，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第四前体，以在衬底上沉积含掺杂剂材料的层。 过渡金属包括锆和铪中的至少一种。 掺杂剂包括钡，锶，钙，铌，铋，镁和铈中的至少一种。

公开(公告)号：US20080282535A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11748883

申请日：2007-05-15

申请人： Jonas Sundqvist ,  Frank Koestner ,  Bernd Hintze

发明人： Jonas Sundqvist ,  Frank Koestner ,  Bernd Hintze

IPC分类号： H05K3/10

CPC分类号： H01L27/101 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66181 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155

摘要： A method of fabricating an integrated circuit, including a functional layer on a substrate is disclosed. One embodiment includes providing a substrate in a process atmosphere. A first precursor and a second precursor are provided in the process atmosphere. The first precursor is removed from the process atmosphere. A third precursor is provided in the process atmosphere.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上制造功能层的集成电路的制造方法。 一个实施例包括在工艺气氛中提供衬底。 在工艺气氛中提供第一前体和第二前体。 将第一种前体从工艺气氛中除去。 在工艺气氛中提供第三前体。

公开(公告)号：US10930515B2

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：US16084992

申请日：2017-03-14

申请人： Md Sabbir Ahmed Khan ,  Jonas Sundqvist ,  Dmitry Suyatin

发明人： Md Sabbir Ahmed Khan ,  Jonas Sundqvist ,  Dmitry Suyatin

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  B82Y10/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

摘要： The present invention relates to a method for selective etching of a nanostructure (10). The method comprising: providing the nanostructure (10) having a main surface (12) delimited by, in relation to the main surface (12), inclined surfaces (14); and subjecting the nanostructure (10) for a dry etching, wherein the dry etching comprises: subjecting the nanostructure (10) for a low energy particle beam (20) having a direction perpendicular to the main surface (12); whereby a recess (16) in the nanostructure (10) is formed, the recess (16) having its opening at the main surface (12) of the nanostructure (10).

公开(公告)号：US20080283973A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12104814

申请日：2008-04-17

申请人： Lars Oberbeck ,  Jonas Sundqvist ,  Lothar Frey ,  Alejandro Avellan ,  Stefan Kudelka

发明人： Lars Oberbeck ,  Jonas Sundqvist ,  Lothar Frey ,  Alejandro Avellan ,  Stefan Kudelka

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469 ,  H05K3/00

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/45529 ,  C23C30/00 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

摘要： An integrated circuit including a dielectric layer and a method for producing an integrated circuit. In one embodiment, a dielectric layer is deposited in a process atmosphere. The process atmosphere includes a first starting component at a first point in time, a second starting component at a second point in time and a third starting component at a third point in time. The third starting component includes a halogen.

摘要翻译： 包括电介质层的集成电路和用于制造集成电路的方法。 在一个实施例中，在工艺气氛中沉积电介质层。 处理气氛包括在第一时间点的第一启动组件，在第二时间点的第二启动组件和在第三时间点的第三启动组件。 第三起始组分包括卤素。

公开(公告)号：US20070161180A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11331441

申请日：2006-01-13

申请人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

发明人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L28/40

摘要： The atomic layer deposition process according to the invention provides the following steps for the production of homogeneous layers on a substrate. The substrate is introduced into a reaction chamber. A first precursor is introduced into the reaction chamber, which first precursor reacts on the surface of the substrate to form an intermediate product. A second precursor is introduced into the reaction chamber, which second precursor has a low sticking coefficient and reacts with part of the intermediate product to form a first product. A third precursor is introduced into the reaction chamber, which third precursor has a high sticking coefficient and reacts with the remaining part of the intermediate product to form a second product. The second precursor and its first product reduce the effective sticking coefficient of the third precursor by partially covering the surface.

摘要翻译： 根据本发明的原子层沉积方法提供了在基底上生产均质层的以下步骤。 将基底引入反应室。 将第一前体引入反应室，其中第一前体在基材的表面上反应形成中间产物。 将第二前体引入反应室，该第二前体具有低粘附系数并与部分中间产物反应以形成第一产物。 将第三前体引入反应室，该第三前体具有高粘附系数并与中间产物的剩余部分反应以形成第二产物。 第二种前体及其第一种产物通过部分覆盖表面来降低第三种前体的有效粘附系数。

公开(公告)号：US20070269598A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11750073

申请日：2007-05-17

申请人： Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist ,  Elke Erben

发明人： Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist ,  Elke Erben

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/08

摘要： A method and apparatus for providing a gaseous precursor for a coating process. A starting material having a pulverulent precursor material is heated in order to cause a vaporization of the pulverulent precursor material, whereby a gaseous precursor is produced. A carrier gas is flowed past the starting material at a distance minimizing or preventing a convective gas flow, while transporting the gaseous precursor to a processing region containing a wafer to be coated.

摘要翻译： 一种用于提供涂覆工艺的气态前体的方法和装置。 加热具有粉状前体材料的起始材料，以便引起粉状前体材料的汽化，由此产生气态前体。 在将气态前体输送到包含待涂覆的晶片的处理区域的同时，载气以一定距离流过原料，使其最小化或防止对流气体流动。

公开(公告)号：US20080242097A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11729360

申请日：2007-03-28

申请人： Tim Boescke ,  Annette Saenger ,  Stefan Jakschik ,  Christian Fachmann ,  Matthias Patz ,  Alejandro Avellan ,  Thomas Hecht ,  Jonas Sundqvist

发明人： Tim Boescke ,  Annette Saenger ,  Stefan Jakschik ,  Christian Fachmann ,  Matthias Patz ,  Alejandro Avellan ,  Thomas Hecht ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/945 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

摘要： The invention refers to a selective deposition method. A substrate comprising at least one structured surface is provided. The structured surface comprises a first area and a second area. The first area is selectively passivated regarding reactants of a first deposition technique and the second area is activated regarding the reactants the first deposition technique. A passivation layer on the second area is deposited via the first deposition technique. The passivation layer is inert regarding a precursors selected from a group of oxidizing reactants. A layer is deposited in the second area using a second atomic layer deposition technique as second deposition technique using the precursors selected form the group of oxidizing reactants.

摘要翻译： 本发明涉及选择性沉积方法。 提供了包括至少一个结构化表面的衬底。 结构化表面包括第一区域和第二区域。 对于第一沉积技术的反应物，第一区域被选择性地钝化，并且第二区域被激活关于第一沉积技术的反应物。 通过第一沉积技术沉积第二区域上的钝化层。 对于选自一组氧化反应物的前体，钝化层是惰性的。 使用第二原子层沉积技术将层沉积在第二区域中，作为使用从氧化反应物组中选择的前体的第二沉积技术。