公开(公告)号：US07489492B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US12021764

申请日：2008-01-29

申请人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

IPC分类号： H02H3/22 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are an abrupt metal-insulator transition (MIT) device for bypassing super-high voltage noise to protect an electric and/or electronic system, such as, a high-voltage switch, from a super-high voltage, a high-voltage noise removing circuit for bypassing the super-high voltage noise using the abrupt MIT device, and an electric and/or electronic system including the high-voltage noise removing circuit. The abrupt MIT device includes a substrate, a first abrupt MIT structure, and a second abrupt MIT structure. The first and second abrupt MIT structures are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, of the substrate. The high-voltage noise removing circuit includes an abrupt MIT device chain connected in parallel to the electric and/or electronic system to be protected. The abrupt MIT device chain includes at least two abrupt MIT devices serially connected to each other.

摘要翻译： 提供了用于绕过超高压噪声以保护诸如高压开关的电和/或电子系统的突发金属 - 绝缘体转变（MIT）装置，从超高电压，高压噪声 使用突发MIT装置绕过超高压噪声的除电路，以及包括高压噪声去除电路的电气和/或电子系统。 突变MIT装置包括基板，第一突发MIT结构和第二突发MIT结构。 第一和第二突变MIT结构分别形成在基板的上表面和下表面上。 高电压噪声去除电路包括与要保护的电和/或电子系统并联连接的突变MIT装置链。 突发MIT设备链包括彼此串行连接的至少两个突发MIT设备。

公开(公告)号：US20090091003A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US12089778

申请日：2006-10-16

申请人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang

发明人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang

IPC分类号： H01L29/51 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01B3/12 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L49/003

摘要： Provided are an insulator that has an energy band gap of 2 eV or more and undergoes an abrupt MIT without undergoing a structural change, a method of manufacturing the insulator, and a device using the insulator. The insulator is abruptly transitioned from an insulator phase into a metal phase by an energy change between electrons without undergoing a structural change.

摘要翻译： 提供具有2eV以上的能带隙并且经历突发MIT而不经历结构变化的绝缘体，制造绝缘体的方法以及使用该绝缘体的器件。 通过电子之间的能量变化，绝缘体从绝缘体相突然转变为金属相，而不发生结构变化。

公开(公告)号：US20080277763A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11997050

申请日：2006-07-04

申请人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sun Jin Yun

发明人： Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/12 ,  H05B3/68

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68728

摘要： Provided are a wafer with the characteristics of abrupt metal-insulator transition (MIT), and a heat treatment apparatus and method that make it possible to mass-produce a large-diameter wafer without directly attaching the wafer to a heater or a substrate holder. The heat treatment apparatus includes a heater applying heat to a wafer having the characteristics of abrupt MIT and one surface covered with a thermally opaque film, and a plurality of fixing units formed along an edge portion of a top surface of the heater to fix the wafer to the heater.

摘要翻译： 提供具有突变金属 - 绝缘体转变特性（MIT）的晶片，以及使得可以批量生产大直径晶片而不将晶片直接附接到加热器或基板保持器的热处理设备和方法。 热处理装置包括对具有突然MIT特性的突起的晶片加热的加热器和覆盖有不透热膜的一个表面，以及沿着加热器顶面的边缘部分形成的多个固定单元，以固定晶片 到加热器。

公开(公告)号：US20080297358A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12090084

申请日：2006-06-27

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Wook Lee ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Sang Kuk Choi ,  Sun Jin Yun

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Wook Lee ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Sang Kuk Choi ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： G08B17/06 ,  G01K7/16

CPC分类号： G01K3/005 ,  G01K7/22

摘要： Provided are a temperature sensor using a metal-insulator transition (MIT) device subject to abrupt MIT at a specific temperature and an alarm including the temperature sensor. The abrupt MIT device includes an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films that contacts the abrupt MIT thin film. The abrupt MIT device generates abrupt metal-insulator transition at a specific transition temperature. The alarm includes a temperature sensor comprising an abrupt MIT device, and an alarm signaling device serially connected to the temperature sensor. Accordingly, the alarm can be manufactured to have a simple circuit and be of a small size by including the temperature sensor using an abrupt MIT device.

摘要翻译： 提供了使用在特定温度下经受突然MIT的金属 - 绝缘体转变（MIT）装置的温度传感器和包括温度传感器的警报。 突变的MIT装置包括突变的MIT薄膜和至少两个接触突变的MIT薄膜的电极薄膜。 突变MIT器件在特定转变温度下产生突然的金属 - 绝缘体转变。 报警装置包括一个温度传感器，它包括一个突然的MIT装置，和一个串联连接到温度传感器的报警信号装置。 因此，通过使用突然的MIT装置包括温度传感器，可以将报警器制造成具有简单的电路并且尺寸小。

公开(公告)号：US20100180941A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12506187

申请日：2009-07-20

申请人： JungWook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

发明人： JungWook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： G02B1/115 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/52

摘要： Provided are an antireflection film of a solar cell, the solar cell, and a method of manufacturing the solar cell. The antireflection film of a solar cell includes a low dielectric film formed of a material having a first dielectric constant; a high dielectric film formed of a material having a second dielectric constant higher than the first dielectric constant; and a gradient layer disposed between the low dielectric film and the high dielectric film, and formed so as to gradually increase a dielectric constant from the first dielectric constant to the second dielectric constant. According to the present invention, light absorption efficiency of a solar cell can be increased.

摘要翻译： 提供太阳能电池的防反射膜，太阳能电池以及制造太阳能电池的方法。 太阳能电池的防反射膜包括由具有第一介电常数的材料形成的低电介质膜; 由具有高于第一介电常数的第二介电常数的材料形成的高电介质膜; 以及设置在低电介质膜和高电介质膜之间的梯度层，并且形成为使介电常数从第一介电常数逐渐增大到第二介电常数。 根据本发明，能够提高太阳能电池的光吸收效率。

公开(公告)号：US20100259357A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12740624

申请日：2008-08-20

申请人： Jung Wook Lim ,  Jun Kwan Kim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

发明人： Jung Wook Lim ,  Jun Kwan Kim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

IPC分类号： H01C7/10 ,  H01C17/06

CPC分类号： H01C7/112 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01C7/1013 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49099

摘要： A thin film type varistor and a method of manufacturing the same are provided. The method includes: a depositing a first zinc oxide thin film at a low temperature through a sputtering method; and a forming a zinc oxide thin film for a varistor by treating the first zinc oxide thin film with heat at a low temperature in an environment in which an inert gas and oxygen are injected. Accordingly, it is possible to lower a processing temperature and simplify a manufacturing process while maintaining a varistor characteristic so as to be applied to a highly integrated circuit.

摘要翻译： 提供薄膜型压敏电阻及其制造方法。 该方法包括：通过溅射法在低温下沉积第一氧化锌薄膜; 以及通过在注入惰性气体和氧气的环境中在低温下处理第一氧化锌薄膜来形成用于变阻器的氧化锌薄膜。 因此，可以在保持压敏电阻特性的同时降低加工温度并简化制造工艺，从而应用于高度集成的电路。

公开(公告)号：US08242875B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12740624

申请日：2008-08-20

申请人： Jung Wook Lim ,  Jun Kwan Kim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

发明人： Jung Wook Lim ,  Jun Kwan Kim ,  Sun Jin Yun ,  Hyun Tak Kim

IPC分类号： H01C7/10

CPC分类号： H01C7/112 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01C7/1013 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49099

摘要： A thin film type varistor and a method of manufacturing the same are provided. The method includes: a depositing a first zinc oxide thin film at a low temperature through a sputtering method; and a forming a zinc oxide thin film for a varistor by treating the first zinc oxide thin film with heat at a low temperature in an environment in which an inert gas and oxygen are injected. Accordingly, it is possible to lower a processing temperature and simplify a manufacturing process while maintaining a varistor characteristic so as to be applied to a highly integrated circuit.

摘要翻译： 提供薄膜型压敏电阻及其制造方法。 该方法包括：通过溅射法在低温下沉积第一氧化锌薄膜; 以及通过在注入惰性气体和氧气的环境中在低温下处理第一氧化锌薄膜来形成用于变阻器的氧化锌薄膜。 因此，可以在保持压敏电阻特性的同时降低加工温度并简化制造工艺，从而应用于高度集成的电路。

公开(公告)号：US20120097227A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13182850

申请日：2011-07-14

申请人： JungWook LIM ,  Seong Hyun Lee ,  Sun Jin Yun

发明人： JungWook LIM ,  Seong Hyun Lee ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： H01L31/075

CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

摘要： Provided is a solar cell. The solar cell includes: a light absorbing layer; a window layer consisting of a p-type copper oxynitride layer on the light absorbing layer; a rear electrode below the light absorbing layer; and a transparent electrode on the window layer.

摘要翻译： 提供一个太阳能电池。 太阳能电池包括：光吸收层; 由光吸收层上的p型氧氮化铜层构成的窗口层; 在光吸收层下面的后电极; 和窗口层上的透明电极。

公开(公告)号：US20120237670A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13401867

申请日：2012-02-22

申请人： JungWook Lim ,  Seong Hyun Lee ,  Da Jung Lee ,  Sun Jin Yun

发明人： JungWook Lim ,  Seong Hyun Lee ,  Da Jung Lee ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： B05D5/00

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/50

摘要： Provided are fabricating methods of a solar cell capable of displaying a predetermined color. The method includes forming a first electrode on a substrate and forming a light-absorbing layer on the first electrode. The light-absorbing layer may have a composition ratio, a content of the amorphous portion, or an energy bandgap controlled to absorb a light with a predetermined wavelength. In addition, selective transmission layers may be formed on and below the light-absorbing layer to control the color displayed by the solar cell. Furthermore, a second electrode may be formed on the light-absorbing layer.

摘要翻译： 提供能够显示预定颜色的太阳能电池的制造方法。 该方法包括在基板上形成第一电极，并在第一电极上形成光吸收层。 光吸收层可以具有控制成吸收预定波长的光的组成比，非晶部分的含量或能带隙。 此外，可以在光吸收层的下面形成选择透射层，以控制由太阳能电池显示的颜色。 此外，可以在光吸收层上形成第二电极。

公开(公告)号：US20050142712A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10909339

申请日：2004-08-03

申请人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Jin Ho Lee

发明人： Jung Wook Lim ,  Sun Jin Yun ,  Jin Ho Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02252 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612

摘要： Provided is a method for forming a gate dielectric layer, in which a plasma oxide layer is finely formed by plasma at a temperature of 200° C. or below, and an atomic layer deposition (ALD) oxide layer is deposited. Further, the gate dielectric layer according to the present invention can be applied to a display device comprising a substrate such as a plastic substrate vulnerable to heat, have good interfacial characteristic, and allow a high dielectric layer to be applied thereto.

摘要翻译： 提供了一种用于形成栅介电层的方法，其中在200℃或更低的温度下通过等离子体精细地形成等离子体氧化物层，并沉积原子层沉积（ALD）氧化物层。 此外，根据本发明的栅介质层可以应用于包括易受热的塑料基板等基板的显示装置，具有良好的界面特性，并且可以向其施加高介电层。