公开(公告)号：US20120045901A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13212349

申请日：2011-08-18

申请人： JONG-HYUK KIM ,  Keon-Soo Kim ,  Kwang-Shik Shin ,  Hyun-Chul Back ,  Seong-Soon Cho ,  Young-Bae Yoon ,  Jung-Hwan Park

发明人： JONG-HYUK KIM ,  Keon-Soo Kim ,  Kwang-Shik Shin ,  Hyun-Chul Back ,  Seong-Soon Cho ,  Young-Bae Yoon ,  Jung-Hwan Park

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/76816

摘要： In a method of forming a pattern structure, a cut-off portion of the node-separated line of a semiconductor device is formed by a double patterning process by using a connection portion of the sacrificial mask pattern and the mask pattern to thereby improve alignment margin. The alignment margin between the mask pattern and the sacrificial mask pattern is increased to an amount of the length of the connection portion of the sacrificial mask pattern. The lines adjacent to the node-separated line include a protrusion portion protruding toward the cut-off portion of the separated line.

摘要翻译： 在形成图案结构的方法中，通过使用牺牲掩模图案和掩模图案的连接部分的双重图案化工艺来形成半导体器件的节点分离线的截止部分，从而改善对准边缘 。 掩模图案和牺牲掩模图案之间的对准边缘增加到牺牲掩模图案的连接部分的长度的量。 与节点分离线相邻的线包括向分离线的截止部分突出的突出部分。

公开(公告)号：US08759224B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13212349

申请日：2011-08-18

申请人： Jong-Hyuk Kim ,  Keon-Soo Kim ,  Kwang-Shik Shin ,  Hyun-Chul Back ,  Seong-Soon Cho ,  Young-Bae Yoon ,  Jung-Hwan Park

发明人： Jong-Hyuk Kim ,  Keon-Soo Kim ,  Kwang-Shik Shin ,  Hyun-Chul Back ,  Seong-Soon Cho ,  Young-Bae Yoon ,  Jung-Hwan Park

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/76816

摘要： In a method of forming a pattern structure, a cut-off portion of the node-separated line of a semiconductor device is formed by a double patterning process by using a connection portion of the sacrificial mask pattern and the mask pattern to thereby improve alignment margin. The alignment margin between the mask pattern and the sacrificial mask pattern is increased to an amount of the length of the connection portion of the sacrificial mask pattern. The lines adjacent to the node-separated line include a protrusion portion protruding toward the cut-off portion of the separated line.

摘要翻译： 在形成图案结构的方法中，通过使用牺牲掩模图案和掩模图案的连接部分的双重图案化工艺来形成半导体器件的节点分离线的截止部分，从而提高对准边缘 。 掩模图案和牺牲掩模图案之间的对准边缘增加到牺牲掩模图案的连接部分的长度的量。 与节点分离线相邻的线包括向分离线的截止部分突出的突出部分。

公开(公告)号：US08690865B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US11597969

申请日：2005-05-31

申请人： Mark R. Prausnitz ,  Mark G. Allen ,  Jung-Hwan Park ,  Yong-Kyu Yoon ,  Jin-Woo Park

发明人： Mark R. Prausnitz ,  Mark G. Allen ,  Jung-Hwan Park ,  Yong-Kyu Yoon ,  Jin-Woo Park

IPC分类号： A61B18/08 ,  A61N1/30

CPC分类号： A61K9/0004 ,  A61B5/14514 ,  A61B18/082 ,  A61B18/10 ,  A61B2018/00005 ,  A61B2018/00613 ,  A61K9/7023 ,  A61K41/0047 ,  A61M37/0015 ,  A61M37/0092 ,  A61M2037/0007 ,  A61M2037/0046 ,  A61N1/0412 ,  A61N1/0476 ,  A61N1/0492 ,  A61N1/327

摘要： The present invention comprises methods and devices for thermal treatment of a barrier to increase the permeability of the barrier. One form of increasing the permeability of the barrier comprises forming micropores which may be used for administration of active agents across the barrier, or may be used for sampling or collecting fluids, or may be used for detecting, measuring or determining analytes, or may be used for monitoring of physiological or other conditions. Devices of the present invention may comprise microheaters that are activated by inductive or ohmic heating power supply components.

摘要翻译： 本发明包括用于热处理屏障以增加屏障的渗透性的方法和装置。 增加屏障渗透性的一种形式包括形成微孔，该微孔可用于通过阻挡层施用活性剂，或可用于取样或收集流体，或可用于检测，测量或确定分析物，或者可以是 用于监测生理或其他条件。 本发明的装置可以包括由电感或欧姆加热电源部件激活的微热电。

公开(公告)号：US08450618B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13137656

申请日：2011-08-31

申请人： Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park ,  Sang-Youp Lee

发明人： Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park ,  Sang-Youp Lee

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K1/09

CPC分类号： H05K1/0366 ,  C08J5/046 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/0293 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49156

摘要： A printed circuit board includes; a thermoplastic reinforcement material having fibers secured by a thermoplastic polymer binder and having pores formed therein; a thermoplastic resin layer having the thermoplastic reinforcement material impregnated with a thermoplastic resin; and a circuit pattern formed over the thermoplastic resin layer, wherein the thermoplastic reinforcement material and the thermoplastic resin layer have a thickness ratio (thickness of the thermoplastic reinforcement material÷thickness of the thermoplastic resin layer) of 0.9 or higher.

摘要翻译： 印刷电路板包括： 一种热塑性增强材料，其具有通过热塑性聚合物粘合剂固定并具有形成在其中的孔的纤维; 热塑性树脂层，其具有浸渍有热塑性树脂的热塑性增强材料; 以及形成在热塑性树脂层上的电路图案，其中，热塑性增强材料和热塑性树脂层的厚度比（热塑性增强材料的厚度÷热塑性树脂层的厚度）为0.9以上。

公开(公告)号：US08174128B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12805292

申请日：2010-07-22

申请人： Nobuyuki Ikeguchi ,  Keungjin Sohn ,  JoonSik Shin ,  Jung-Hwan Park

发明人： Nobuyuki Ikeguchi ,  Keungjin Sohn ,  JoonSik Shin ,  Jung-Hwan Park

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H05K1/144 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/5385 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/056 ,  H05K1/182 ,  H05K3/4608 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674

摘要： A method of manufacturing a semiconductor package that includes: forming a first board; forming second boards, in each of which at least one cavity is formed; attaching the second boards to both sides of the first board, such that the second boards are electrically connected with the first board; and connecting at least one component with the first board by a flip chip method by embedding the component in the cavity. The method can prevent damage to the semiconductor chips and lower manufacturing costs, while the connection material may also mitigate stresses, to prevent cracking in the boards and semiconductor chips, while preventing defects such as bending and warpage. Defects caused by temperature changes may also be avoided. Furthermore, it is not necessary to use an underfill in the portions where the semiconductor chips are connected with the printed circuit board, which allows for easier reworking and lower costs.

摘要翻译： 一种制造半导体封装的方法，包括：形成第一板; 在其中形成有至少一个空腔的第二板; 将第二板连接到第一板的两侧，使得第二板与第一板电连接; 以及通过将所述部件嵌入所述空腔中，通过倒装芯片方法将至少一个部件与所述第一板连接。 该方法可以防止对半导体芯片的损坏并降低制造成本，同时连接材料还可以减轻应力，防止板和半导体芯片中的开裂，同时​​防止诸如弯曲和翘曲的缺陷。 也可以避免温度变化引起的缺陷。 此外，不需要在半导体芯片与印刷电路板连接的部分中使用底部填充，这允许更容易的返工和降低成本。

公开(公告)号：US20120012379A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13200355

申请日：2011-09-23

申请人： Ho-Sik Park ,  Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Sang-Youp Lee ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Jee-Soo Mok

发明人： Ho-Sik Park ,  Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Sang-Youp Lee ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Jee-Soo Mok

IPC分类号： H05K1/11

CPC分类号： H05K3/4069 ,  H05K3/20 ,  H05K3/281 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4658 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2203/0156 ,  H05K2203/066 ,  H05K2203/1189 ,  Y10T29/49124

摘要： A printed circuit board including: an insulation layer; a first pattern buried in one surface of the insulation layer; a first resin layer laminated on one surface of the insulation layer to cover the first pattern; a second pattern buried in the other surface of the insulation layer; a via electrically connecting the first pattern with the second pattern; and a second resin layer laminated on the other surface of the insulation layer to cover the second pattern.

摘要翻译： 一种印刷电路板，包括：绝缘层; 绝缘层的一个表面中的第一图案; 层叠在所述绝缘层的一个表面上以覆盖所述第一图案的第一树脂层; 掩埋在所述绝缘层的另一个表面中的第二图案; 通孔，电连接第一图案与第二图案; 以及层叠在所述绝缘层的另一表面上以覆盖所述第二图案的第二树脂层。

公开(公告)号：US20110315437A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13137656

申请日：2011-08-31

申请人： Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park ,  Sang-Youp Lee

发明人： Keung-Jin Sohn ,  Joon-Sik Shin ,  Joung-Gul Ryu ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park ,  Sang-Youp Lee

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H05K1/0366 ,  C08J5/046 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/0293 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49156

摘要： A printed circuit board includes; a thermoplastic reinforcement material having fibers secured by a thermoplastic polymer binder and having pores formed therein; a thermoplastic resin layer having the thermoplastic reinforcement material impregnated with a thermoplastic resin; and a circuit pattern formed over the thermoplastic resin layer, wherein the thermoplastic reinforcement material and the thermoplastic resin layer have a thickness ratio (thickness of the thermoplastic reinforcement material÷thickness of the thermoplastic resin layer) of 0.9 or higher.

摘要翻译： 印刷电路板包括： 一种热塑性增强材料，其具有通过热塑性聚合物粘合剂固定并具有形成在其中的孔的纤维; 热塑性树脂层，其具有浸渍有热塑性树脂的热塑性增强材料; 以及形成在热塑性树脂层上的电路图案，其中热塑性增强材料和热塑性树脂层具有0.9或更高的厚度比（热塑性增强材料的厚度÷热塑性树脂层的厚度）。

公开(公告)号：US20080045879A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11597969

申请日：2005-05-31

申请人： Mark Prausnitz ,  Mark Allen ,  Jung-Hwan Park ,  Yong-Kyu Yoon ,  Jin-Woo Park

发明人： Mark Prausnitz ,  Mark Allen ,  Jung-Hwan Park ,  Yong-Kyu Yoon ,  Jin-Woo Park

IPC分类号： A61N1/30

CPC分类号： A61K9/0004 ,  A61B5/14514 ,  A61B18/082 ,  A61B18/10 ,  A61B2018/00005 ,  A61B2018/00613 ,  A61K9/7023 ,  A61K41/0047 ,  A61M37/0015 ,  A61M37/0092 ,  A61M2037/0007 ,  A61M2037/0046 ,  A61N1/0412 ,  A61N1/0476 ,  A61N1/0492 ,  A61N1/327

摘要： The present invention comprises methods and devices for thermal treatment of a barrier to increase the permeability of the barrier. One form of increasing the permeability of the barrier comprises forming micropores which may be used for administration of active agents across the barrier, or may be used for sampling or collecting fluids, or may be used for detecting, measuring or determining analytes, or may be used for monitoring of physiological or other conditions. Devices of the present invention may comprise microheaters that are activated by inductive or ohmic heating power supply components.

摘要翻译： 本发明包括用于热处理屏障以增加屏障的渗透性的方法和装置。 增加屏障渗透性的一种形式包括形成微孔，该微孔可用于通过阻挡层施用活性剂，或可用于取样或收集流体，或可用于检测，测量或确定分析物，或者可以是 用于监测生理或其他条件。 本发明的装置可以包括由电感或欧姆加热电源部件激活的微热电。

公开(公告)号：US08647926B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US12923081

申请日：2010-08-31

申请人： Joon-Sik Shin ,  Nobuyuki Ikeguchi ,  Keungjin Sohn ,  Joung Gul Ryu ,  Sang-Youp Lee ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park

发明人： Joon-Sik Shin ,  Nobuyuki Ikeguchi ,  Keungjin Sohn ,  Joung Gul Ryu ,  Sang-Youp Lee ,  Jung-Hwan Park ,  Ho-Sik Park

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/145 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H05K1/183 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09127 ,  H05K2201/09536 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/05599

摘要： A method of fabricating a semiconductor plastic package can include: providing a core board, which includes at least one pad, and which has a coefficient of thermal expansion of 9 ppm/° C. or lower; stacking a build-up insulation layer over the core board; forming an opening by removing a portion of the build-up insulation layer such that the pad is exposed to the exterior; and placing a semiconductor chip in the opening and electrically connecting the semiconductor chip with the pad. This method can be utilized to provide higher reliability in the connection between the semiconductor chip and the circuit board.

摘要翻译： 制造半导体塑料封装的方法可以包括：提供包括至少一个焊盘并且具有9ppm /℃或更低的热膨胀系数的芯板; 在芯板上堆叠堆积绝缘层; 通过去除所述积层绝缘层的一部分使得所述垫暴露于外部而形成开口; 并将半导体芯片放置在开口中并将半导体芯片与焊盘电连接。 该方法可以用于在半导体芯片和电路板之间的连接中提供更高的可靠性。

公开(公告)号：US08580606B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13241315

申请日：2011-09-23

申请人： Jeong-Hee Park ,  Jung-Hwan Park ,  Hideki Horii ,  Sung-Lae Cho

发明人： Jeong-Hee Park ,  Jung-Hwan Park ,  Hideki Horii ,  Sung-Lae Cho

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1625 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a resistance variable memory device, the method including forming a diode on a semiconductor substrate; forming a lower electrode on the diode; forming a first insulating film on the lower electrode, the first insulating film having an opening; forming a resistance variable film filling the opening such that the resistance variable film includes an amorphous region adjacent to a sidewall of the opening and a crystalline region adjacent to the lower electrode; and forming an upper electrode on the resistance variable film.

摘要翻译： 一种形成电阻可变存储器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成二极管; 在二极管上形成下电极; 在所述下电极上形成第一绝缘膜，所述第一绝缘膜具有开口; 形成填充所述开口的电阻变化膜，使得所述电阻变化膜包括与所述开口的侧壁相邻的非晶区域和与所述下部电极相邻的结晶区域; 并在电阻变化膜上形成上电极。