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    Ferroelectric and high dielectric constant transistors
    1.
    发明授权
    Ferroelectric and high dielectric constant transistors 失效
    铁电和高介电常数晶体管

    公开(公告)号：US06559469B1

    公开(公告)日：2003-05-06

    申请号：US09686552

    申请日：2000-10-11

    申请人： Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan ,  Vikram Joshi ,  Narayan Solayappan ,  Joseph D. Cuchiaro

    发明人： Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan ,  Vikram Joshi ,  Narayan Solayappan ,  Joseph D. Cuchiaro

    IPC分类号： H01L2972

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

    摘要： An integrated circuit includes a layered superlattice material having the formula A1w1+a1A2w2+a2 . . . Ajwj+ajS1x1+s1S2x2+s2 . . . Skxk+skB1y1+b1B2y2+b2 . . . Blyl+blQz−q, where A1, A2 . . . Aj represent A-site elements in a perovskite-like structure, S1, S2 . . . Sk represent superlattice generator elements, B1, B2 . . . B1 represent B-site elements in a perovskite-like structure, Q represents an anion, the superscripts indicate the valences of the respective elements, the subscripts indicate the number of atoms of the element in the unit cell, and at least w1 and y1 are non-zero. Some of these materials are extremely low fatigue ferroelectrics and are applied in ferroelectric FETs in non-volatile memories. Others are high dielectric constant materials that do not degrade or break down over long periods of use and are applied as the gate insulator in volatile memories.

    摘要翻译： 集成电路包括具有公式A1w1 + a1A2w2 + a2的分层超晶格材料。 。 。 Ajwj + ajS1x1 + s1S2x2 + s2。 。 。 Skxk + skB1y1 + b1B2y2 + b2。 。 。 Blyl + blQz-q，其中A1，A2。 。 。 Aj代表钙钛矿结构中的A位元素，S1，S2。 。 。 Sk代表超晶格发生器元件B1，B2。 。 。 B1表示钙钛矿结构中的B位元素，Q表示阴离子，上标表示各元素的化合价，下标表示单元中元素的原子数，并且至少w1和y1为 非零。 这些材料中的一些是非常低的疲劳铁电体，并且被应用在非易失性存储器中的铁电FET中。 其他的是高介电常数材料，其在长期使用中不会劣化或分解，并且作为在绝缘体中的栅绝缘体。

    Ferroelectric integrated circuit having hydrogen barrier layer
    5.
    发明授权
    Ferroelectric integrated circuit having hydrogen barrier layer 有权
    具有氢阻挡层的铁电集成电路

    公开(公告)号：US06365927B1

    公开(公告)日：2002-04-02

    申请号：US09541290

    申请日：2000-04-03

    申请人： Joseph D. Cuchiaro ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

    发明人： Joseph D. Cuchiaro ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Larry D. McMillan

    IPC分类号： H01L2976

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A hydrogen diffusion barrier in an integrated circuit is located to inhibit diffusion of hydrogen to a thin film of metal oxide material in an integrated circuit. The hydrogen diffusion barrier comprises at least one of the following nitrides: aluminum titanium nitride (Al2Ti3N6), aluminum silicon nitride (Al2Si3N6), aluminum niobium nitride (AlNb3N6), aluminum tantalum nitride (AlTa3N6), aluminum copper nitride (Al2Cu3N4), tungsten nitride (WN), and copper nitride (Cu3N2). The thin film of metal oxide is ferroelectric or high-dielectric, nonferroelectric material. Preferably, the metal oxide comprises ferroelectric layered superlattice material. Preferably, the hydrogen barrier layer is located directly over the thin film of metal oxide.

    摘要翻译： 集成电路中的氢扩散阻挡层位于集成电路中以抑制氢扩散到金属氧化物材料的薄膜。 氢扩散阻挡层包括以下氮化物中的至少一种：氮化钛铝（Al 2 Ti 3 N 6），氮化硅铝（Al 2 Si 3 N 6），氮化铌（AlNb 3 N 6），氮化钽铝（AlTa 3 N 6），氮化铝铝（Al 2 Cu 3 N 4） （WN）和氮化铜（Cu3N2）。 金属氧化物的薄膜是铁电或高电介质非电介质材料。 优选地，金属氧化物包括铁电层状超晶格材料。 优选地，氢阻挡层位于金属氧化物的薄膜的正上方。

    Ferroelectric field effect transistor, memory utilizing same, and method of operating same
    6.
    发明授权
    Ferroelectric field effect transistor, memory utilizing same, and method of operating same 失效
    铁电场效应晶体管，利用其的存储器及其操作方法

    公开(公告)号：US06339238B1

    公开(公告)日：2002-01-15

    申请号：US09329670

    申请日：1999-06-10

    申请人： Myoungho Lim ,  Vikram Joshi ,  Joseph D. Cuchiaro ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

    发明人： Myoungho Lim ,  Vikram Joshi ,  Joseph D. Cuchiaro ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo

    IPC分类号： H01L2972

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/78391

    摘要： A ferroelectric non-volatile memory in which each memory cell consists of a single electronic element, a ferroelectric FET. The FET includes a source, drain, gate and substrate. A cell is selected for writing or reading by application of bias voltages to the source, drain, gate or substrate. A gate voltage equal to one truth table logic value and a drain voltage equal to another truth table logic value are applied via a row decoder, and a substrate bias equal to a third truth table logic value is applied via a column decoder to write to the memory a resultant Ids logic state, which can be non-destructively read by placing a voltage across the source and drain.

    摘要翻译： 一种铁电非易失性存储器，其中每个存储单元由单个电子元件，铁电FET组成。 FET包括源极，漏极，栅极和衬底。 通过对源极，漏极，栅极或衬底施加偏置电压来选择单元进行写入或读取。 通过行解码器施加等于一个真值表逻辑值的栅极电压和等于另一个真值表逻辑值的漏极电压，经由列解码器施加等于第三真值表逻辑值的衬底偏置以写入 记录结果Ids逻辑状态，通过在源极和漏极之间放置电压可以非破坏性地读取。