公开(公告)号：US20110079251A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12749087

申请日：2010-03-29

申请人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

发明人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

IPC分类号： B08B5/00

CPC分类号： C23C16/4405

摘要： A method for in-situ cleaning of a deposition system is disclosed. The method includes providing a deposition system with portions of the deposition system deposited with at least a group III element or a compound of a group III element. Halogen containing fluid is introduced into the deposition system. The halogen containing fluid is permitted to react with the group III element to form a halide. The halide in solid state is converted to a gaseous state. The halide in gaseous state is purged out of the deposition system.

摘要翻译： 公开了一种用于原位清洗沉积系统的方法。 该方法包括为沉积系统提供沉积有至少III族元素或III族元素的化合物的沉积系统的部分。 将含卤素的流体引入沉积系统。 允许含卤素的流体与III族元素反应形成卤化物。 固态卤化物转化为气态。 气态卤化物从沉积系统中排出。

公开(公告)号：US20100273291A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12731030

申请日：2010-03-24

申请人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sung Won Jun ,  Sandeep Nijwahan ,  Xizi Dong ,  Tze Poon ,  Lori D. Washington ,  Jacob Grayson

发明人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sung Won Jun ,  Sandeep Nijwahan ,  Xizi Dong ,  Tze Poon ,  Lori D. Washington ,  Jacob Grayson

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for removing unwanted deposition build-up from one more interior surfaces of a substrate processing chamber after a substrate is processed in a chamber to form, for example, Group III-V materials by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) deposition processes and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition processes. In one embodiment, a method for removing unwanted deposition build-up from one or more interior surfaces of a substrate processing chamber is provided. The method comprises depositing one or more Group III containing layers over a substrate disposed in the substrate processing chamber, transferring the substrate out of the substrate processing chamber, and pulsing a halogen containing gas into the substrate processing chamber to remove at least a portion of the unwanted deposition build-up from one or more interior surfaces of the substrate processing chamber.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于在衬底在腔室中处理以形成例如III-V族材料之后，从衬底处理室的多个内表面去除不想要的沉积积累的方法和装置， 有机化学气相沉积（MOCVD）沉积工艺和/或氢化物气相外延（HVPE）沉积工艺。 在一个实施例中，提供了从衬底处理室的一个或多个内表面去除不想要的沉积积聚的方法。 该方法包括在设置在衬底处理室中的衬底上沉积一个或多个含III族的层，将衬底转移到衬底处理室之外，并将含卤素的气体脉冲到衬底处理室中以去除至少一部分 从衬底处理室的一个或多个内表面积聚不需要的沉积物。

公开(公告)号：US20110030615A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12847713

申请日：2010-07-30

申请人： KEVIN GRIFFIN ,  Olga Kryliouk ,  Jie Su

发明人： KEVIN GRIFFIN ,  Olga Kryliouk ,  Jie Su

IPC分类号： C23C16/52 ,  B08B7/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45572

摘要： The present invention generally provides a method and apparatus for cleaning a showerhead of a deposition chamber, such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber. In one embodiment, the showerhead is cleaned without exposing the chamber to the atmosphere outside of the chamber (i.e., in situ cleaning). In one embodiment, flow of liquid coolant through a cooling system that is in fluid communication with the showerhead is redirected to bypass the showerhead, and the liquid coolant is drained from the showerhead. In one embodiment, any remaining coolant is flushed from the showerhead via a pressurized gas source. In one embodiment, the showerhead is then heated to an appropriate cleaning temperature. In one embodiment, the flow of liquid coolant from the cooling system is then redirected to the showerhead and the system is adjusted for continued processing. Thus, the entire showerhead cleaning process is performed with minimal change to the flow of coolant through the cooling system.

摘要翻译： 本发明总体上提供了一种用于清洁诸如金属有机化学气相沉积（MOCVD）室的沉积室的喷头的方法和装置。 在一个实施例中，清洁喷头而不将室暴露于室外的大气（即，原位清洁）。 在一个实施例中，通过与喷头流体连通的冷却系统的液体冷却剂的流动被重定向以绕过喷头，并且液体冷却剂从喷头排出。 在一个实施例中，任何剩余的冷却剂通过加压气体源从喷头冲洗。 在一个实施例中，然后将喷头加热到适当的清洁温度。 在一个实施例中，来自冷却系统的液体冷却剂的流动然后被重定向到喷头，并且系统被调整以用于继续处理。 因此，整个喷头清洁过程是通过冷却系统对冷却剂流动的最小变化进行的。

公开(公告)号：US20120235116A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13387713

申请日：2010-07-30

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Lu Chen ,  Tetsuya Ishikawa

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Lu Chen ,  Tetsuya Ishikawa

IPC分类号： H01L33/04 ,  C30B25/02 ,  H01B1/02 ,  C30B25/08

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/325

摘要： One embodiment of a quantum well structure comprises an active region including active layers that comprise quantum wells and barrier layers wherein some or all of the active layers are p type doped. P type doping some or all of the active layers improves the quantum efficiency of III-V compound semiconductor light emitting diodes by locating the position of the P-N junction in the active region of the device thereby enabling the dominant radiative recombination to occur within the active region. In one embodiment, the quantum well structure is fabricated in a cluster tool having a hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition chamber with a eutectic source alloy. In one embodiment, the indium gallium nitride (InGaN) layer and the magnesium doped gallium nitride (Mg—GaN) or magnesium doped aluminum gallium nitride (Mg—AlGaN) layer are grown in separate chambers by a cluster tool to avoid indium and magnesium cross contamination. Doping of group III-nitrides by hydride vapor phase epitaxy using group III-metal eutectics is also described. In one embodiment, a source is provided for HVPE deposition of a p-type or an n-type group III-nitride epitaxial film, the source including a liquid phase mechanical (eutectic) mixture with a group III species. In one embodiment, a method is provided for performing HVPE deposition of a p-type or an n-type group III-nitride epitaxial film, the method including using a liquid phase mechanical (eutectic) mixture with a group III species.

摘要翻译： 量子阱结构的一个实施例包括有源区，包括有源层，其包括量子阱和阻挡层，其中一些或全部有源层是p型掺杂的。 通过将PN结的位置定位在器件的有源区域中，P型掺杂部分或全部有源层提高了III-V族化合物半导体发光二极管的量子效率，从而能够在主动区域内发生主要的辐射复合 。 在一个实施例中，量子阱结构在具有共晶源合金的氢化物气相外延（HVPE）沉积室的簇工具中制造。 在一个实施例中，氮化铟镓（InGaN）层和掺杂镁的氮化镓（Mg-GaN）或镁掺杂的氮化铝镓（Mg-AlGaN）层通过簇工具在分开的室中生长以避免铟和镁的交叉 污染。 还描述了使用III族金属共晶体通过氢化物气相外延掺杂的III族氮化物。 在一个实施例中，提供了用于HVPE沉积p型或n型III族氮化物外延膜的源，该源包括具有III族的液相机械（共晶）混合物。 在一个实施例中，提供了一种用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法，该方法包括使用具有III族物质的液相机械（共晶）混合物。

公开(公告)号：US20110027973A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12842883

申请日：2010-07-23

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/481 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04

摘要： One embodiment of fabricating a p-down light emitting diode (LED) structure comprises depositing a high crystal quality p type contact layer, depositing an active region on top of the p type contact layer, and depositing an n type contact layer on top of the active region using a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process. The high crystal quality p type contact layer is deposited at high temperature to ensure the high crystal quality of the p type film. The n type contact layer is formed on top of the active region in a HVPE chamber at a low temperature to prevent thermal damage to the quantum wells in the active region below the n type contact layer. The processing chamber used to form the p type contact layer is a separate processing chamber than the processing chamber used to form the n type contact layer.

摘要翻译： 制造p-down发光二极管（LED）结构的一个实施例包括沉积高质量p型接触层，在p型接触层的顶部上沉积有源区，以及在n型接触层的顶部沉积n型接触层 活性区域使用氢化物​​气相外延（HVPE）工艺。 高品质p型接触层在高温下沉积以确保p型膜的高晶体质量。 n型接触层在HVPE室中的有源区域的顶部形成在低温下，以防止在n型接触层下面的有源区域中的量子阱的热损伤。 用于形成p型接触层的处理室是与用于形成n型接触层的处理室不同的处理室。

公开(公告)号：US08765501B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13036261

申请日：2011-02-28

申请人： Jie Su ,  Tuoh-Bin Ng ,  Olga Kryliouk ,  Sang Won Kang ,  Jie Cui

发明人： Jie Su ,  Tuoh-Bin Ng ,  Olga Kryliouk ,  Sang Won Kang ,  Jie Cui

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  C23C16/06 ,  C30B23/025 ,  C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30

摘要： Methods of epitaxy of gallium nitride, and other such related films, and light emitting diodes on patterned sapphire substrates, and other such related substrates, are described.

摘要翻译： 描述了氮化镓和其它这样的相关膜的外延方法以及图案化蓝宝石衬底上的发光二极管以及其它这样的相关衬底。

公开(公告)号：US20110204378A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13025971

申请日：2011-02-11

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/02502 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

摘要： Techniques for crack-free growth of GaN, and related, films on larger-size substrates via spatially confined epitaxy are described.

摘要翻译： 描述了通过空间限制外延在大尺寸基板上无GaN生长的技术和相关的膜。

公开(公告)号：US08716049B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13025971

申请日：2011-02-11

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/02502 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

摘要： Techniques for crack-free growth of GaN, and related, films on larger-size substrates via spatially confined epitaxy are described.

摘要翻译： 描述了通过空间限制外延在大尺寸基板上无GaN生长的技术和相关的膜。

公开(公告)号：US08148241B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12842896

申请日：2010-07-23

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45506 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

摘要： One embodiment of depositing a gallium nitride (GaN) film on a substrate comprises providing a source of indium (In) and gallium (Ga) and depositing a monolayer of indium (In) on the surface of the gallium nitride (GaN) film. The monolayer of indium (In) acts as a surfactant to modify the surface energy and facilitate the epitaxial growth of the film by suppressing three dimensional growth and enhancing or facilitating two dimensional growth. The deposition temperature is kept sufficiently high to enable the indium (In) to undergo absorption and desorption on the gallium nitride (GaN) film without being incorporated into the solid phase gallium nitride (GaN) film. The gallium (Ga) and indium (In) can be provided by a single source or separate sources.

摘要翻译： 在衬底上沉积氮化镓（GaN）膜的一个实施例包括提供铟（In）源和镓（Ga）源，并在氮化镓（GaN）膜的表面上沉积单层铟（In）。 铟（In）的单层作为表面活性剂，通过抑制三维生长和增强或促进二维生长来改变表面能并促进薄膜的外延生长。 沉积温度保持足够高以使得铟（In）能够在氮化镓（GaN）膜上进行吸收和解吸，而不被引入到固相氮化镓（GaN）膜中。 镓（Ga）和铟（In）可以由单个源或单独的源提供。

公开(公告)号：US20110027974A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12842896

申请日：2010-07-23

申请人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

发明人： Jie Su ,  Olga Kryliouk

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45506 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

摘要： One embodiment of depositing a gallium nitride (GaN) film on a substrate comprises providing a source of indium (In) and gallium (Ga) and depositing a monolayer of indium (In) on the surface of the gallium nitride (GaN) film. The monolayer of indium (In) acts as a surfactant to modify the surface energy and facilitate the epitaxial growth of the film by suppressing three dimensional growth and enhancing or facilitating two dimensional growth. The deposition temperature is kept sufficiently high to enable the indium (In) to undergo absorption and desorption on the gallium nitride (GaN) film without being incorporated into the solid phase gallium nitride (GaN) film. The gallium (Ga) and indium (In) can be provided by a single source or separate sources.

摘要翻译： 在衬底上沉积氮化镓（GaN）膜的一个实施例包括提供铟（In）源和镓（Ga）源，并在氮化镓（GaN）膜的表面上沉积单层铟（In）。 铟（In）的单层作为表面活性剂，通过抑制三维生长和增强或促进二维生长来改变表面能并促进薄膜的外延生长。 沉积温度保持足够高以使得铟（In）能够在氮化镓（GaN）膜上进行吸收和解吸，而不被引入到固相氮化镓（GaN）膜中。 镓（Ga）和铟（In）可以由单个源或单独的源提供。