公开(公告)号：US20130105901A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13339787

申请日：2011-12-29

申请人： Woo-Young PARK ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

发明人： Woo-Young PARK ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a gate stacked structure including a gate dielectric layer over a semiconductor substrate, a metal layer formed over the gate dielectric layer, and a capping layer formed over the metal layer, where the capping layer includes a chemical element with a higher concentration at an interface between the capping layer and the metal layer than another region of the capping layer and the chemical element is operable to control an effective work function (eWF) of the gate stacked structure.

公开(公告)号：US20120273921A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13334048

申请日：2011-12-21

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung Lee ,  Kyung-Woong Park ,  Kun-Hoon Baek ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung Lee ,  Kyung-Woong Park ,  Kun-Hoon Baek ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device includes a dielectric layer, where the dielectric layer includes a metal oxide layer, a metal nitride carbide layer including hydrogen therein, and a reduction prevention layer inserted between the metal nitride carbide layer and the dielectric layer.

摘要翻译： 半导体器件包括电介质层，其中电介质层包括金属氧化物层，其中包含氢的金属氮化物碳化物层和插入在金属氮化物碳化物层和电介质层之间的还原性防止层。

公开(公告)号：US08962437B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13494400

申请日：2012-06-12

申请人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a first silicon layer over a semiconductor substrate, where the first silicon layer is doped with a dopant; forming an undoped second silicon layer over the first silicon layer; forming an opening by etching the second silicon layer and the first silicon layer; forming a storage node in the opening; and removing the first silicon layer and the second silicon layer.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括：在半导体衬底上形成第一硅层，其中所述第一硅层掺杂有掺杂剂; 在所述第一硅层上形成未掺杂的第二硅层; 通过蚀刻第二硅层和第一硅层形成开口; 在开口中形成存储节点; 以及去除所述第一硅层和所述第二硅层。

公开(公告)号：US20130277636A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13596637

申请日：2012-08-28

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Woo-Young Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A method for fabricating a variable resistance memory device includes forming a first electrode, forming a first metal oxide layer which satisfies chemical stoichiometry over the first electrode, forming a second metal oxide layer which is lower in oxygen content than the first metal oxide layer by reducing a part of the first metal oxide layer, and forming a second electrode over the second metal oxide layer.

摘要翻译： 一种可变电阻存储器件的制造方法，包括：形成第一电极，在第一电极上形成满足化学计量学的第一金属氧化物层，通过还原形成氧含量低于第一金属氧化物层的第二金属氧化物层 第一金属氧化物层的一部分，并且在第二金属氧化物层上形成第二电极。

公开(公告)号：US20120153406A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13223542

申请日：2011-09-01

申请人： Woo-Young PARK ,  Kee-Jeung Lee ,  Tae-Yoon Kim ,  Yun-Hyuck Ji

发明人： Woo-Young PARK ,  Kee-Jeung Lee ,  Tae-Yoon Kim ,  Yun-Hyuck Ji

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a gate dielectric layer over a substrate, forming a dipole capping layer over the gate dielectric layer, stacking a metal gate layer and a polysilicon layer over the dipole capping layer, and forming a gate pattern by etching the polysilicon layer, the metal gate layer, the dipole capping layer, and the gate dielectric layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅介质层，在栅介电层上形成偶极覆盖层，在偶极覆盖层上堆叠金属栅极层和多晶硅层，并通过蚀刻形成栅极图案 多晶硅层，金属栅极层，偶极覆盖层和栅极介电层。

公开(公告)号：US08319296B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12648337

申请日：2009-12-29

申请人： Kwan-Woo Do ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Mi-Hyoung Lee ,  Jeong-Yeop Lee

发明人： Kwan-Woo Do ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Mi-Hyoung Lee ,  Jeong-Yeop Lee

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

摘要： In a semiconductor device including a carbon-containing electrode and a method for fabricating the same, an electrode has a high work function due to a carbon-containing TiN layer contained therein. It is possible to provide a dielectric layer having a high permittivity and thus to reduce the leakage current by forming an electrode having a high work function. Also, sufficient capacitance of a capacitor can be secured by employing an electrode having a high work function and a dielectric layer having a high permittivity.

摘要翻译： 在包含含碳电极的半导体器件及其制造方法中，由于其中含有含碳的TiN层，电极具有高功函数。 可以提供具有高介电常数的介电层，从而通过形成具有高功函的电极来减小漏电流。 此外，通过使用具有高功函数的电极和具有高介电常数的电介质层，可以确保电容器的足够的电容。

公开(公告)号：US08288274B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12318468

申请日：2008-12-30

申请人： Deok-Sin Kil ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee ,  Ja-Yong Kim

发明人： Deok-Sin Kil ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee ,  Ja-Yong Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

摘要： A noble metal layer is formed using ozone (O3) as a reaction gas.

摘要翻译： 使用臭氧（O 3）作为反应气体形成贵金属层。

公开(公告)号：US08048757B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US20110171807A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US20110169134A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069280

申请日：2011-03-22

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter disposed entirely within an inner empty crevice of the storage node, a conductive capping layer over the supporter and contacting the storage node so as to seal an entrance to the inner empty crevice, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 一种电容器包括：柱状存储节点，完全位于存储节点的内部空缝隙内的支撑件，在支撑件上方的导电覆盖层，并与存储节点接触，以密封内部空缝隙的入口;电介质 存储节点上的平板节点以及电介质层上的平板节点。