公开(公告)号：US08691626B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US12878812

申请日：2010-09-09

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： A method of manufacturing is provided that includes placing a removable cover on a surface of a substrate. The substrate includes a first semiconductor chip positioned on the surface. The first semiconductor chip includes a first sidewall. The removable cover includes a second sidewall positioned opposite the first sidewall. A first underfill is placed between the first semiconductor chip and the surface wherein the second sidewall provides a barrier to flow of the first underfill. Various apparatus are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括将可移除的盖放置在基板的表面上。 衬底包括位于表面上的第一半导体芯片。 第一半导体芯片包括第一侧壁。 可拆卸盖包括与第一侧壁相对定位的第二侧壁。 第一底部填充物放置在第一半导体芯片和表面之间，其中第二侧壁为第一底部填充物的流动提供阻挡。 还公开了各种装置。

公开(公告)号：US20120061853A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US12878812

申请日：2010-09-09

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Gamal Refai-Ahmed Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

摘要： A method of manufacturing is provided that includes placing a removable cover on a surface of a substrate. The substrate includes a first semiconductor chip positioned on the surface. The first semiconductor chip includes a first sidewall. The removable cover includes a second sidewall positioned opposite the first sidewall. A first underfill is placed between the first semiconductor chip and the surface wherein the second sidewall provides a barrier to flow of the first underfill. Various apparatus are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括将可移除的盖放置在基板的表面上。 衬底包括位于表面上的第一半导体芯片。 第一半导体芯片包括第一侧壁。 可拆卸盖包括与第一侧壁相对定位的第二侧壁。 第一底部填充物放置在第一半导体芯片和表面之间，其中第二侧壁为第一底部填充物的流动提供阻挡。 还公开了各种装置。

公开(公告)号：US20100207250A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12388064

申请日：2009-02-18

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods pertaining to die scribe structures are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes fabricating an active region of a semiconductor die so that the active region has at least one corner. A scribe structure is fabricated around the active region so that the scribe structure includes at least one fillet.

摘要翻译： 公开了与模切结构相关的装置和方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括制造半导体管芯的有源区，使得有源区具有至少一个拐角。 围绕活动区域制造划线结构，使得划线结构包括至少一个圆角。

公开(公告)号：US20090065952A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US11853122

申请日：2007-09-11

申请人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

发明人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor chip crack stops and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor substrate that has a first corner defined by a first edge and a second edge. A crack stop is formed in the semiconductor substrate. The crack stop includes a first projection extending to the first edge and a second projection extending to the second edge to fence off a portion of the semiconductor substrate that includes the first corner.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片裂纹停止及其制造方法。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有由第一边缘和第二边缘限定的第一拐角的半导体基板。 在半导体衬底中形成裂纹停止。 裂纹挡板包括延伸到第一边缘的第一突起和延伸到第二边缘的第二突出部，以围绕包括第一拐角的半导体衬底的一部分。

公开(公告)号：US08624404B1

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13532126

申请日：2012-06-25

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Frank Kuechenmeister

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu ,  Frank Kuechenmeister

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06141 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

摘要： Integrated circuit packages comprise vias, each of which extends from a pad in communication with an integrated circuit on a semiconductor chip through insulating material overlying the semiconductor chip to an attachment surface facing a substrate. The portion of each via proximate the attachment surface is laterally offset from the portion proximate the pad from which it extends in a direction away from the center of the semiconductor chip. Metallic material received in the vias mechanically and electrically interconnects the semiconductor chip to the substrate.

摘要翻译： 集成电路封装包括通孔，每个通孔从与半导体芯片上的集成电路通信的焊盘延伸通过覆盖半导体芯片的绝缘材料到面向衬底的附接表面。 每个通孔的靠近附接表面的部分从靠近焊盘的部分横向偏移，从该部分沿着该部分沿远离半导体芯片的中心的方向延伸。 通孔中容纳的金属材料将半导体芯片机械地电连接到基板。

公开(公告)号：US08293581B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12388064

申请日：2009-02-18

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods pertaining to die scribe structures are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes fabricating an active region of a semiconductor die so that the active region has at least one corner. A scribe structure is fabricated around the active region so that the scribe structure includes at least one fillet.

摘要翻译： 公开了与模切结构相关的装置和方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括制造半导体管芯的有源区，使得有源区具有至少一个拐角。 围绕活动区域制造划线结构，使得划线结构包括至少一个圆角。

公开(公告)号：US07679200B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11853122

申请日：2007-09-11

申请人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

发明人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor chip crack stops and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor substrate that has a first corner defined by a first edge and a second edge. A crack stop is formed in the semiconductor substrate. The crack stop includes a first projection extending to the first edge and a second projection extending to the second edge to fence off a portion of the semiconductor substrate that includes the first corner.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片裂纹停止及其制造方法。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有由第一边缘和第二边缘限定的第一拐角的半导体基板。 在半导体衬底中形成裂纹停止。 裂纹挡板包括延伸到第一边缘的第一突起和延伸到第二边缘的第二突出部，以围绕包括第一拐角的半导体衬底的一部分。

公开(公告)号：US08723314B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13408102

申请日：2012-02-29

申请人： Michael Su ,  Lei Fu ,  Edward S. Alcid

发明人： Michael Su ,  Lei Fu ,  Edward S. Alcid

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/78

摘要： Various semiconductor workpieces and methods of dicing the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a channel in a metallization structure on a backside of a semiconductor workpiece. The semiconductor workpiece includes a substrate. The channel is in substantial alignment with a dicing street on a front side of the semiconductor chip.

摘要翻译： 公开了各种半导体工件及其切割方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体工件的背面上的金属化结构中形成通道。 半导体工件包括基板。 该通道与半导体芯片正面上的切割街大致对准。

公开(公告)号：US08231854B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12270026

申请日：2008-11-13

申请人： Hisashi Kajiura ,  Yongming Li ,  Xianglong Li ,  Yunqi Liu ,  Lingchao Cao ,  Lei Fu ,  Dacheng Wei ,  Yu Wang ,  Daoben Zhu

发明人： Hisashi Kajiura ,  Yongming Li ,  Xianglong Li ,  Yunqi Liu ,  Lingchao Cao ,  Lei Fu ,  Dacheng Wei ,  Yu Wang ,  Daoben Zhu

IPC分类号： D01F9/12 ,  C01B31/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  H01M4/9083 ,  Y10S977/845

摘要： An efficient and cost-effective method for treating carbon nanotubes (CNTs) is provided. The method includes comprising: dispersing said carbon nanotubes in a dispersing medium to prepare a dispersion system; mixing said dispersion system with adsorbent so that type-specific carbon nanotubes contained in said dispersion system are absorbed onto the adsorbent, wherein the adsorbent is modified by a chemical/biological modifier so as to have different adsorption selectivity to carbon nanotubes of different types; and separating the adsorbent from the dispersion system, whereby the type-specific carbon nanotubes adsorbed onto the adsorbent is separated from the carbon nanotubes of another type enriched in the dispersion system; carbon nanotubes produced by the treatment method, and CNTs devices comprising thereof.

摘要翻译： 提供了一种用于处理碳纳米管（CNT）的有效且经济有效的方法。 该方法包括：将所述碳纳米管分散在分散介质中以制备分散系统; 将所述分散系统与吸附剂混合，使包含在所述分散系统中的型号碳纳米管被吸附到吸附剂上，其中吸附剂被化学/生物改性剂改性，以对不同类型的碳纳米管具有不同的吸附选择性; 从分散体系分离吸附剂，由此吸附在吸附剂上的特定类型的碳纳米管与分散系统中富集的另一种类型的碳纳米管分离; 通过处理方法制造的碳纳米管，以及包含它们的CNTs器件。

公开(公告)号：US20120049343A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12862255

申请日：2010-08-24

申请人： Thomas Schulze ,  Frank Kuechenmeister ,  Michael Su ,  Lei Fu

发明人： Thomas Schulze ,  Frank Kuechenmeister ,  Michael Su ,  Lei Fu

IPC分类号： H01L23/488 ,  H05K1/11 ,  H05K1/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device disclosed herein includes a conductive connection structure having a stepped profile that serves as a stress relief feature. The conductive connection structure includes a stress buffer arrangement for a contact pad. The stress buffer arrangement has a stepped via that terminates at the contact pad, and the stepped via has a plurality of inwardly sloped and concentric sections in a stacked orientation. The connection structure also includes underbump metallization overlying at least a portion of the contact pad and lining the stepped via, and a conductive connection element coupled to the underbump metallization. The conductive connection element fills the lined recess.

摘要翻译： 本文公开的半导体器件包括具有作为应力消除特征的阶梯形轮廓的导电连接结构。 导电连接结构包括用于接触垫的应力缓冲装置。 应力缓冲装置具有在接触垫处终止的台阶通孔，并且阶梯式通孔具有多个沿着堆叠取向的向内倾斜和同心的部分。 连接结构还包括覆盖在接触垫的至少一部分上并且衬垫阶梯通孔的底部焊接金属化，以及耦合到下凸点金属化的导电连接元件。 导电连接元件填充衬里的凹槽。