公开(公告)号：US20170213787A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：US15007791

申请日：2016-01-27

申请人： Michael S. Alfano ,  Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Joseph R. Siegel ,  Julius E. Din ,  Anwar Kashem

发明人： Michael S. Alfano ,  Bryan Black ,  Michael Z. Su ,  Joseph R. Siegel ,  Julius E. Din ,  Anwar Kashem

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16227

摘要： Various interposers and methods of manufacturing related thereto are disclosed. In one aspect, an apparatus is provided that includes an interposer that has a first side and a second side opposite the first side. The first side has a first reticle field and a second reticle field larger than the first reticle field. Plural conductor pads are positioned on the first side in the first reticle field. Plural dummy conductor pads are positioned on the first side in the second reticle field and outside the first reticle field.

公开(公告)号：US08647974B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13072554

申请日：2011-03-25

申请人： Roden R. Topacio ,  Michael Z. Su ,  Neil McLellan

发明人： Roden R. Topacio ,  Michael Z. Su ,  Neil McLellan

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： Various semiconductor chip input/output structures and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip that has a first conductor pad and a passivation structure. A second conductor pad is fabricated around but not in physical contact with the first conductor pad to leave a gap. The second conductor pad is adapted to protect a portion of the passivation structure.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片输入/输出结构及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括提供具有第一导体焊盘和钝化结构的半导体芯片。 围绕第二导体焊盘制造第二导体焊盘而不与第一导体焊盘物理接触以留下间隙。 第二导体焊盘适于保护钝化结构的一部分。

公开(公告)号：US20130341783A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13529736

申请日：2012-06-21

申请人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

发明人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54446 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Various interposers and method of manufacturing related thereto are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes coupling an identification structure to an interposer. The identification structure is operable to provide identification information about the interposer. The identification structure is programmable to create or alter the identification information.

摘要翻译： 公开了各种插入件及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括将识别结构耦合到插入器。 识别结构可操作以提供关于插入器的识别信息。 识别结构是可编程的，以创建或改变识别信息。

公开(公告)号：US20130147028A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13313584

申请日：2011-12-07

申请人： Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Gamal Refai-Ahmed

发明人： Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Gamal Refai-Ahmed

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： Various heat spreaders and methods of making and using the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming a heat spreader that has a surface adapted to establish thermal contact with a first semiconductor chip and a second semiconductor chip on a substrate. The surface includes a first portion adapted to thermally contact a solder-based thermal interface material and a second portion having an opening adapted to hold an organic thermal interface material.

摘要翻译： 公开了各种散热器及其制造和使用方法。 一方面，提供了一种制造方法，其包括形成具有适于与衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片建立热接触的表面的散热器。 表面包括适于热接触基于焊料的热界面材料的第一部分和具有适于保持有机热界面材料的开口的第二部分。

公开(公告)号：US08299633B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12643477

申请日：2009-12-21

申请人： Michael Z. Su

发明人： Michael Z. Su

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/54 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Various methods and apparatus for establishing thermal pathways for a semiconductor device are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a first semiconductor chip that has a substrate and a first active circuitry portion extending a first distance into the substrate. A barrier is formed in the first semiconductor chip that surrounds but is laterally separated from the first active circuitry portion and extends into the substrate a second distance greater than the first distance.

摘要翻译： 公开了用于建立半导体器件的热通路的各种方法和装置。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有衬底的第一半导体芯片和将第一距离延伸到衬底中的第一有源电路部分。 在所述第一半导体芯片中形成屏障，所述第一半导体芯片围绕所述第一半导体芯片，但是与所述第一有源电路部分横向分离，并且延伸到所述衬底中比所述第一距

公开(公告)号：US08293581B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12388064

申请日：2009-02-18

申请人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

发明人： Michael Z. Su ,  Lei Fu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods pertaining to die scribe structures are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes fabricating an active region of a semiconductor die so that the active region has at least one corner. A scribe structure is fabricated around the active region so that the scribe structure includes at least one fillet.

摘要翻译： 公开了与模切结构相关的装置和方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括制造半导体管芯的有源区，使得有源区具有至少一个拐角。 围绕活动区域制造划线结构，使得划线结构包括至少一个圆角。

公开(公告)号：US20120043539A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12860256

申请日：2010-08-20

申请人： Seth Prejean ,  Dales Kent ,  Ronnie Brandon ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Michael Bienek ,  Joseph Siegel ,  Bryan Black

发明人： Seth Prejean ,  Dales Kent ,  Ronnie Brandon ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Michael Z. Su ,  Michael Bienek ,  Joseph Siegel ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/14 ,  H01L23/42 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes applying a thermal interface tape to a side of a semiconductor wafer that includes at least one semiconductor chip. The thermal interface material tape is positioned on the at least one semiconductor chip. The at least one semiconductor chip is singulated from the semiconductor wafer with at least a portion of the thermal interface tape still attached to the semiconductor chip.

摘要翻译： 提供了一种制造方法，其包括将热界面带施加到包括至少一个半导体芯片的半导体晶片的侧面。 热界面材料带位于至少一个半导体芯片上。 至少一个半导体芯片从半导体晶片分离，其中至少一部分热界面带仍然附着到半导体芯片上。

公开(公告)号：US07679200B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11853122

申请日：2007-09-11

申请人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

发明人： Michael Z. Su ,  Jaime Bravo ,  Lei Fu ,  Jun Zhai

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Various semiconductor chip crack stops and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor substrate that has a first corner defined by a first edge and a second edge. A crack stop is formed in the semiconductor substrate. The crack stop includes a first projection extending to the first edge and a second projection extending to the second edge to fence off a portion of the semiconductor substrate that includes the first corner.

摘要翻译： 公开了各种半导体芯片裂纹停止及其制造方法。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有由第一边缘和第二边缘限定的第一拐角的半导体基板。 在半导体衬底中形成裂纹停止。 裂纹挡板包括延伸到第一边缘的第一突起和延伸到第二边缘的第二突出部，以围绕包括第一拐角的半导体衬底的一部分。

公开(公告)号：US10290606B2

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：US13529736

申请日：2012-06-21

申请人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

发明人： Michael Alfano ,  Joe Siegel ,  Michael Z. Su ,  Bryan Black ,  Julius Din

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065 ,  H01L23/14

摘要： Various interposers and method of manufacturing related thereto are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes coupling an identification structure to an interposer. The identification structure is operable to provide identification information about the interposer. The identification structure is programmable to create or alter the identification information.

公开(公告)号：US08617926B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12878795

申请日：2010-09-09

申请人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

发明人： Michael Z. Su ,  Gamal Refai-Ahmed ,  Bryan Black

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip with an insulating layer. The insulating layer includes a trench. A second semiconductor chip is stacked on the first semiconductor chip to leave a gap. A polymeric filler is placed in the gap wherein a portion of the polymeric filler is drawn into the trench.

摘要翻译： 提供一种制造方法，其包括为半导体芯片提供绝缘层。 绝缘层包括沟槽。 第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上以留下间隙。 将聚合物填料放置在间隙中，其中一部分聚合物填料被拉入沟槽。