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    Thin film oxide interface
    1.
    发明申请
    Thin film oxide interface 失效
    薄膜氧化物界面

    公开(公告)号：US20050136695A1

    公开(公告)日：2005-06-23

    申请号：US11046571

    申请日：2005-01-28

    申请人： Pooran Joshi ,  John Hartzell ,  Masahiro Adachi ,  Yoshi Ono

    发明人： Pooran Joshi ,  John Hartzell ,  Masahiro Adachi ,  Yoshi Ono

    IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L23/58 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/477

    CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772

    摘要： An oxide interface and a method for fabricating an oxide interface are provided. The method comprises forming a silicon layer and an oxide layer overlying the silicon layer. The oxide layer is formed at a temperature of less than 400° C. using an inductively coupled plasma source. In some aspects of the method, the oxide layer is more than 20 nanometers (nm) thick and has a refractive index between 1.45 and 1.47. In some aspects of the method, the oxide layer is formed by plasma oxidizing the silicon layer, producing plasma oxide at a rate of up to approximately 4.4 nm per minute (after one minute). In some aspects of the method, a high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HD-PECVD) process is used to form the oxide layer. In some aspects of the method, the silicon and oxide layers are incorporated into a thin film transistor.

    摘要翻译： 提供氧化物界面和制造氧化物界面的方法。 该方法包括形成硅层和覆盖硅层的氧化物层。 使用电感耦合等离子体源在低于400℃的温度下形成氧化物层。 在该方法的一些方面，氧化物层的厚度大于20纳米（nm），折射率在1.45和1.47之间。 在该方法的一些方面，通过等离子体氧化硅层形成氧化物层，以每分钟高达约4.4nm的速率产生等离子体氧化物（1分钟后）。 在该方法的某些方面，使用高密度等离子体增强化学气相沉积（HD-PECVD）工艺来形成氧化物层。 在该方法的一些方面，将硅和氧化物层结合到薄膜晶体管中。

    Enhanced thin-film oxidation process
    3.
    发明申请
    Enhanced thin-film oxidation process 有权
    增强薄膜氧化工艺

    公开(公告)号：US20060110939A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11327612

    申请日：2006-01-06

    申请人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    发明人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/31608 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31662

    摘要： A method is provided for additionally oxidizing a thin-film oxide. The method includes: providing a substrate; depositing an MyOx (M oxide) layer overlying the substrate, where M is a solid element having an oxidation state in a range of +2 to +5; treating the MyOx layer to a high density plasma (HDP) source; and, forming an MyOk layer in response to the HDP source, where k>x. In one aspect, the method further includes decreasing the concentration of oxide charge in response to forming the MyOk layer. In another aspect, the MyOx layer is deposited with an impurity N, and the method further includes creating volatile N oxides in response to forming the MyOk layer. For example, the impurity N may be carbon and the method creates a volatile carbon oxide.

    摘要翻译： 提供了另外氧化薄膜氧化物的方法。 该方法包括：提供衬底; 沉积覆盖衬底的MyOx（M氧化物）层，其中M是具有+2至+5范围内的氧化态的固体元素; 将MyOx层处理成高密度等离子体（HDP）源; 并且响应于HDP源形成MyOk层，其中k> x。 在一个方面，该方法还包括响应于形成MyOk层而降低氧化物电荷的浓度。 在另一方面，MyOx层沉积有杂质N，并且该方法还包括响应于形成MyOk层而产生挥发性N氧化物。 例如，杂质N可以是碳，并且该方法产生挥发性碳氧化物。

    High-density plasma oxidation for enhanced gate oxide performance
    4.
    发明申请
    High-density plasma oxidation for enhanced gate oxide performance 有权
    高密度等离子体氧化，提高栅极氧化性能

    公开(公告)号：US20050218406A1

    公开(公告)日：2005-10-06

    申请号：US11139726

    申请日：2005-05-26

    申请人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    发明人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/78642 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675

    摘要： A method is provided for forming a low-temperature vertical gate insulator in a vertical thin-film transistor (V-TFT) fabrication process. The method comprises: forming a gate, having vertical sidewalls and a top surface, overlying a substrate insulation layer; depositing a silicon oxide thin-film gate insulator overlying the gate; plasma oxidizing the gate insulator at a temperature of less than 400° C., using a high-density plasma source; forming a first source/drain region overlying the gate top surface; forming a second source/drain region overlying the substrate insulation layer, adjacent a first gate sidewall; and, forming a channel region overlying the first gate sidewall, in the gate insulator interposed between the first and second source/drain regions. When the silicon oxide thin-film gate insulator is deposited overlying the gate a Si oxide layer, a low temperature deposition process can be used, so that a step-coverage of greater than 65% can be obtained.

    摘要翻译： 提供一种用于在垂直薄膜晶体管（V-TFT）制造工艺中形成低温垂直栅极绝缘体的方法。 该方法包括：形成具有垂直侧壁和顶表面的栅极，覆盖衬底绝缘层; 沉积覆盖栅极的氧化硅薄膜栅极绝缘体; 使用高密度等离子体源在低于400℃的温度下等离子体氧化栅极绝缘体; 形成覆盖所述栅极顶表面的第一源极/漏极区域; 在第一栅极侧壁附近形成覆盖衬底绝缘层的第二源极/漏极区域; 以及在位于第一和第二源极/漏极区之间的栅极绝缘体中形成覆盖第一栅极侧壁的沟道区。 当氧化硅薄膜栅极绝缘体沉积在栅极上覆盖Si氧化物层时，可以使用低温沉积工艺，从而可以获得大于65％的阶梯覆盖率。

    High density plasma non-stoichiometric SiOxNy films
    6.
    发明申请
    High density plasma non-stoichiometric SiOxNy films 有权
    高密度等离子体非化学计量的SiOxNy薄膜

    公开(公告)号：US20070155137A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11698623

    申请日：2007-01-26

    申请人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    发明人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： G02B1/10 ,  C23C16/308 ,  C23C16/509 ,  G02B1/11

    摘要： A high-density plasma method is provided for forming a SiOXNY thin-film. The method provides a substrate and introduces a silicon (Si) precursor. A thin-film is deposited overlying the substrate, using a high density (HD) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process. As a result, a SiOXNY thin-film is formed, where (X+Y 0). The SiOXNY thin-film can be stoichiometric or non-stoichiometric. The SiOXNY thin-film can be graded, meaning the values of X and Y vary with the thickness of the SiOXNY thin-film. Further, the process enables the in-situ deposition of a SiOXNY thin-film multilayer structure, where the different layers may be stoichiometric, non-stoichiometric, graded, and combinations of the above-mentioned types of SiOXNY thin-films.

    摘要翻译： 提供了高密度等离子体法，用于形成SiO x N N Y Y薄膜。 该方法提供衬底并引入硅（Si）前体。 使用高密度（HD）等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺将薄膜沉积在衬底上。 结果，形成SiO（X + Y <2和Y> 0）的SiO N 薄膜。 SiO 2薄膜可以是化学计量的或非化学计量的。 SiO 2薄膜可以分级，这意味着X和Y的值随着SiO 2 X N的厚度而变化， SUB> Y 薄膜。 此外，该方法能够实现SiO 2薄膜多层结构的原位沉积，其中不同的层可以是化学计量的，非化学计量的，分级的， 以及上述类型的SiO x N N Y Y薄膜的组合。

    High density plasma grown silicon nitride
    7.
    发明申请
    High density plasma grown silicon nitride 审中-公开
    高密度等离子体生长氮化硅

    公开(公告)号：US20060079100A1

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：US11218111

    申请日：2005-09-01

    申请人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    发明人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/049 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675

    摘要： A method is provided for forming a silicon nitride (SiNx) film. The method comprises: providing a Si substrate or Si film layer; optionally maintaining a substrate temperature of about 400 degrees C., or less; performing a high-density (HD) nitrogen plasma process where a top electrode is connected to an inductively coupled HD plasma source; and, forming a grown layer of SiNx overlying the substrate. More specifically, the HD nitrogen plasma process includes using an inductively coupled plasma (ICP) source to supply power to a top electrode, independent of the power and frequency of the power that is supplied to the bottom electrode, in an atmosphere with a nitrogen source gas. The SiNx layer can be grown at an initial growth rate of at least about 20 Å in about the first minute.

    摘要翻译： 提供了形成氮化硅（SiNx）膜的方法。 该方法包括：提供Si衬底或Si膜层; 可选地保持约400℃或更低的衬底温度; 执行高电压（HD）氮等离子体处理，其中顶电极连接到感应耦合的HD等离子体源; 并且在衬底上形成SiN x的生长层。 更具体地说，HD氮等离子体处理包括使用电感耦合等离子体（ICP）源，在氮源的气氛中，独立于供给底部电极的功率的功率和频率，向顶部电极供电 加油站。 SiNx层可以在大约第一分钟内以至少约的初始生长速率生长。

    High density plasma process for silicon thin films
    9.
    发明申请
    High density plasma process for silicon thin films 失效
    硅薄膜的高密度等离子体工艺

    公开(公告)号：US20050202653A1

    公开(公告)日：2005-09-15

    申请号：US10871939

    申请日：2004-06-17

    申请人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    发明人： Pooran Joshi ,  Apostolos Voutsas ,  John Hartzell

    IPC分类号： H01L29/872 ,  B05D5/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  C30B1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/36 ,  H01L21/42 ,  H01L21/469 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786

    CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31612

    摘要： A method is provided for forming a Si and Si—Ge thin films. The method comprises: providing a low temperature substrate material of plastic or glass; supplying an atmosphere; performing a high-density (HD) plasma process, such as an HD PECVD process using an inductively coupled plasma (ICP) source; maintaining a substrate temperature of 400 degrees C., or less; and, forming a semiconductor layer overlying the substrate that is made from Si or Si-germanium. The HD PECVD process is capable of depositing Si at a rate of greater than 100 Å per minute. The substrate temperature can be as low as 50 degrees C. Microcrystalline Si, a-Si, or a polycrystalline Si layer can be formed over the substrate. Further, the deposited Si can be either intrinsic or doped. Typically, the supplied atmosphere includes Si and H. For example, an atmosphere can be supplied including SiH4 and H2, or comprising H2 and Silane with H2/Silane ratio in the range of 0-100.

    摘要翻译： 提供了形成Si和Si-Ge薄膜的方法。 该方法包括：提供塑料或玻璃的低温基材; 提供气氛; 执行高密度（HD）等离子体处理，例如使用电感耦合等离子体（ICP）源的HD PECVD工艺; 保持基板温度在400摄氏度以下; 并且形成由Si或Si-锗制成的衬底上的半导体层。 HD PECVD工艺能够以每分钟大于100埃的速率沉积Si。 衬底温度可以低至50摄氏度。可以在衬底上形成微晶Si，a-Si或多晶Si层。 此外，沉积的Si可以是固有的或掺杂的。 通常，供给的气氛包括Si和H.例如，可以提供包括SiH 4和H 2的气体，或者包含H 2和硅烷，H 2 /硅烷比在0-100范围内。

    Floating optical sensor mount
    10.
    发明授权
    Floating optical sensor mount 有权
    浮动光学传感器座

    公开(公告)号：US09422950B2

    公开(公告)日：2016-08-23

    申请号：US14000351

    申请日：2012-02-21

    申请人： John Hartzell ,  James Cirillo ,  Dustin Hromyak ,  Hung phi Nguyen ,  David B. Crowley ,  Michael A. Laurich

    发明人： John Hartzell ,  James Cirillo ,  Dustin Hromyak ,  Hung phi Nguyen ,  David B. Crowley ,  Michael A. Laurich

    IPC分类号： F01B25/26 ,  F15B15/00 ,  F15B15/28

    CPC分类号： F15B15/00 ,  F15B15/2846 ,  F15B15/2892 ,  G01D11/30 ,  Y10T29/49002

    摘要： A piston-cylinder actuator includes a unique mount for an absolute-position sensor. The mount is made from a bearing material provides a flexible connection between the sensor mount and the cylinder housing. This flexible connection allows the piston rod to deflect naturally, under its own weight or under other laterally-directed forces, while maintaining the distance and perpendicularity between the sensor and the rod surface, within acceptable limits. The sensor mount is made from a bearing material that will allow it to float directly on the rod surface without scuffing or otherwise damaging the rod surface, particularly the markings or other indicia on that surface. Due to the flexible connection between the sensor mount and the cylinder housing, the proper distance between the sensor and the rod surface can be maintained at all times.

    摘要翻译： 活塞气缸致动器包括用于绝对位置传感器的独特安装。 安装座由轴承材料制成，在传感器支架和气缸壳体之间提供灵活的连接。 这种柔性连接允许活塞杆在其自身重量下或在其它侧向力下自然偏转，同时保持传感器和杆表面之间的距离和垂直度在可接受的限度内。 传感器支架由轴承材料制成，可使其直接在杆表面上浮动，而不会磨损或以其他方式损坏杆表面，特别是该表面上的标记或其他标记。 由于传感器支架和气缸壳体之间的灵活连接，传感器和杆表面之间的适当距离可以始终保持。