公开(公告)号：US6051099A

公开(公告)日：2000-04-18

申请号：US949720

申请日：1997-10-14

申请人： Raymond Bus-Kwoffie ,  Son Van Nguyen ,  Diana Perez ,  Andrew Chiuyan Ting ,  John Wesley Williams

发明人： Raymond Bus-Kwoffie ,  Son Van Nguyen ,  Diana Perez ,  Andrew Chiuyan Ting ,  John Wesley Williams

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32633

摘要： A can for use in an etching system including a continuous conductive wall with a first opening to be placed adjacent the reactor upper electrode and a second opening to be placed adjacent the reactor lower electrode. Preferably, the conductive wall is a dual wall further including an inner wall and an outer wall, the inner and outer wall separated by one or more openings configured normal to the height of the continuous wall, the openings allowing for the flow of coolant through the wall.

摘要翻译： 一种用于蚀刻系统的罐，包括具有邻近反应器上电极放置的第一开口的连续导电壁和邻近反应器下电极放置的第二开口。 优选地，导电壁是还包括内壁和外壁的双壁，内壁和外壁由一个或多个开口构成，垂直于连续壁的高度，开口允许冷却剂流过 壁。

公开(公告)号：US6001268A

公开(公告)日：1999-12-14

申请号：US869931

申请日：1997-06-05

申请人： Son Van Nguyen ,  Diana Perez ,  Andrew Chiuyan Ting ,  Cherngye Hwang ,  Martin Straub ,  Gerd Dworschak

发明人： Son Van Nguyen ,  Diana Perez ,  Andrew Chiuyan Ting ,  Cherngye Hwang ,  Martin Straub ,  Gerd Dworschak

IPC分类号： C04B41/53 ,  G11B5/10 ,  G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21 ,  C03C15/02

CPC分类号： B82Y15/00 ,  C04B41/5346 ,  G11B21/21 ,  G11B5/10 ,  G11B5/6005 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/6011

摘要： The invention is a method of patterning the air bearing surface of a ceramic slider preferably including alumina and titanium carbide. The method includes the steps of forming an etch pattern by depositing and developing a photoresist on the ceramic slider, and reactive ion etching the slider air bearing surface using an etchant gas of argon, sulfur hexafluoride, and methyltrifluoride flowing at a rate which provides a smooth patterned surface on the slider air bearing surface.

摘要翻译： 本发明是一种图案化陶瓷滑块的空气轴承表面的方法，优选地包括氧化铝和碳化钛。 该方法包括以下步骤：通过在陶瓷滑块上沉积和显影光致抗蚀剂来形成蚀刻图案，以及使用氩气，六氟化硫和三氟甲基磷酸盐的蚀刻剂气体，以提供平滑的速率流动的反应离子蚀刻滑块空气轴承表面 滑块空气轴承表面上的图案化表面。

公开(公告)号：US06477011B1

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：US09138770

申请日：1998-08-24

申请人： Richard Hsiao ,  Son Van Nguyen ,  Andrew Chiuyan Ting ,  John David Westwood

发明人： Richard Hsiao ,  Son Van Nguyen ,  Andrew Chiuyan Ting ,  John David Westwood

IPC分类号： G11B560

CPC分类号： G11B5/6005

摘要： The invention relates to a magnetic recording device comprising (a) a disk comprising a substrate, a metallic magnetic layer, a carbon layer and a lubricant layer; (b) a motor associated with a disk operable for rotating the disk; (c) a head supported on an air bearing slider for magnetically reading data to or magnetically writing data from the magnetic layer on the disk, the trailing surface of the slider coated with a multilayered film having low surface energy; and (d) an actuator connected to the slider for moving the head across the disk. The multilayered film on the trailing surface of the slider substantially reduces stiction of the slider.

摘要翻译： 本发明涉及一种磁记录装置，包括：（a）盘，包括基底，金属磁性层，碳层和润滑剂层; （b）与可操作以旋转盘的盘相关联的马达; （c）支撑在空气轴承滑块上的磁头，用于磁读取磁盘上的磁性层数据或磁性地写入数据，滑块的后表面涂覆有具有低表面能的多层薄膜; 和（d）连接到滑块的致动器，用于使头部跨过盘移动。 滑块的后表面上的多层薄膜基本上减小了滑块的静摩擦力。

公开(公告)号：US6132813A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US989051

申请日：1997-12-11

申请人： Pei C. Chen ,  Richard Hsiao ,  Son Van Nguyen ,  Andrew Chiuyan Ting

发明人： Pei C. Chen ,  Richard Hsiao ,  Son Van Nguyen ,  Andrew Chiuyan Ting

IPC分类号： B05D7/24 ,  G11B23/50 ,  B05D5/12

CPC分类号： B05D1/62 ,  G11B23/505 ,  G11B23/507

摘要： A method for modifying a substrate surface, including the step of applying a high density plasma to the substrate surface in the presence of a hydrofluorocarbon gas and a carrier gas to form an antiwetting layer on the substrate surface. Optionally, the method including a cleaning step of contacting the slider surface with a carrier gas for a period of time effective to clean the surface.

摘要翻译： 一种用于改变基板表面的方法，包括在存在氢氟烃气体和载气的情况下将高密度等离子体施加到基板表面的步骤，以在基板表面上形成反渗透层。 可选地，所述方法包括清洁步骤，使滑动器表面与载气接触一段时间以有效地清洁表面。

公开(公告)号：US6027660A

公开(公告)日：2000-02-22

申请号：US75625

申请日：1998-05-11

申请人： Richard Hsiao ,  Cherngye Hwang ,  Son Van Nguyen ,  Diana Perez

发明人： Richard Hsiao ,  Cherngye Hwang ,  Son Van Nguyen ,  Diana Perez

IPC分类号： C04B41/53 ,  C04B41/91 ,  G11B5/10 ,  G11B5/60 ,  G11B21/00 ,  G11B21/21 ,  B44C1/22

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  G11B21/00 ,  G11B21/21 ,  G11B5/6005 ,  G11B5/102

摘要： A method of patterning a ceramic slider by plasma etching is disclosed. The ceramic slider contains alumina and titanium carbide. The method includes the steps of forming an etch pattern by depositing and developing a photoresist on the ceramic slider, and reactive ion etching a first surface on the ceramic slider using an etchant gas. The etchant gas generally includes argon, and a fluorine containing gas. The power source density, during etching ranges from about 0.5 W/(cm.sup.2) to 8 W/(cm.sup.2). Another aspect of the invention is a ceramic slider resulting from the method of the invention having a smoothness ranging from about 20 to 300 .ANG. as measured by atomic force microscopy.

摘要翻译： 公开了通过等离子体蚀刻图案化陶瓷滑块的方法。 陶瓷滑块包含氧化铝和碳化钛。 该方法包括以下步骤：通过在陶瓷滑块上沉积和显影光致抗蚀剂来形成蚀刻图案，并且使用蚀刻剂气体对陶瓷滑块上的第一表面进行反应离子蚀刻。 蚀刻剂气体通常包括氩气和含氟气体。 在蚀刻期间的电源密度为约0.5W /（cm 2）至8W /（cm 2）。 本发明的另一方面是由本发明的方法获得的陶瓷滑块，其具有通过原子力显微镜测量的约20至300埃的平滑度。

公开(公告)号：US08476743B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US13228857

申请日：2011-09-09

申请人： Son Van Nguyen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, Jr. ,  Sanjay Mehta

发明人： Son Van Nguyen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, Jr. ,  Sanjay Mehta

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/31 ,  C23C8/54 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01B3/12 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/78648 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A carbon-rich carbon boron nitride dielectric film having a dielectric constant of equal to, or less than 3.6 is provided that can be used as a component in various electronic devices. The carbon-rich carbon boron nitride dielectric film has a formula of CxByNz wherein x is 35 atomic percent or greater, y is from 6 atomic percent to 32 atomic percent and z is from 8 atomic percent to 33 atomic percent.

摘要翻译： 提供具有等于或小于3.6的介电常数的富碳碳氮化硼介电膜，其可用作各种电子器件中的组分。 富碳碳氮化硼电介质膜具有C x B y N z的化学式，其中x为35原子％以上，y为6原子％〜32原子％，z为8原子％〜33原子％。

公开(公告)号：US20120175023A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13420728

申请日：2012-03-15

申请人： Son Van Nguyen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, JR. ,  Hosadurga Shobha ,  Tuan A. Vo

发明人： Son Van Nguyen ,  Alfred Grill ,  Thomas J. Haigh, JR. ,  Hosadurga Shobha ,  Tuan A. Vo

IPC分类号： C23C8/00 ,  C23C28/04

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867

摘要： An interconnect structure is provided that has improved electromigration resistance as well as methods of forming such an interconnect structure. The interconnect structure includes a composite M-MOx cap located at least on the upper surface of the Cu-containing material within the at least one opening. The composite M-MOx cap includes an upper region that is composed of the metal having a higher affinity for oxygen than copper and copper oxide and a lower region that is composed of a non-stoichiometric oxide of said metal.

摘要翻译： 提供了具有改进的电迁移阻力的互连结构以及形成这种互连结构的方法。 互连结构包括至少位于至少一个开口内的含Cu材料的上表面上的复合M-MOx帽。 复合M-MOx帽包括由与氧和氧化铜相比具有比氧更高的亲和性的金属构成的上部区域和由所述金属的非化学计量氧化物构成的下部区域。

公开(公告)号：US07960294B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12506954

申请日：2009-07-21

申请人： Francimar Campana Schmitt ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

发明人： Francimar Campana Schmitt ,  Li-Qun Xia ,  Son Van Nguyen ,  Shankar Venkataraman

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer having a low dielectric constant between two low k dielectric layers. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a barrier layer on the substrate, wherein the barrier layer comprises silicon and carbon and has a dielectric constant less than 4, depositing a dielectric initiation layer adjacent the barrier layer, and depositing a first dielectric layer adjacent the dielectric initiation layer, wherein the dielectric layer comprises silicon, oxygen, and carbon and has a dielectric constant of about 3 or less.

摘要翻译： 提供了用于处理用于沉积在两个低k电介质层之间具有低介电常数的粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层，其中阻挡层包括硅和碳并具有小于4的介电常数，沉积与阻挡层相邻的电介质起始层，以及 沉积与电介质起始层相邻的第一电介质层，其中介电层包括硅，氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。

公开(公告)号：US07892648B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11040778

申请日：2005-01-21

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： B32B9/04

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C≡C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，并且C原子的另一部分键合为Si-R-Si，其中R是苯基， - [CH 2] n - ，其中n大于或等于1，HC = CH，C = CH 2，C≡C或 一个[S] n连接，其中n是上面定义的。

公开(公告)号：US07479306B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11132108

申请日：2005-05-18

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： C23C16/22

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C≡C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，另一部分C原子键合为Si-R-Si，其中R为苯基， - [CH2] n-，其中n大于或等于1，HC-CH，C-CH2，C≡C或 一个[S] n连接，其中n是上面定义的。