公开(公告)号：US20060278865A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11472033

申请日：2006-06-21

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20050040385A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10413690

申请日：2003-04-15

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L31/072

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20050214992A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11123805

申请日：2005-05-06

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/938

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20070111488A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11621479

申请日：2007-01-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20070126023A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20060008941A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10537385

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Shigemasa Matsuda ,  Michael Craven ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Shigemasa Matsuda ,  Michael Craven ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

摘要： Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）生长高平面非极性a面GaN膜。 所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长

公开(公告)号：US20060128124A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20070267654A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11801283

申请日：2007-05-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Kwang-Choong Kim ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Kwang-Choong Kim ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing reduced defect density planar gallium nitride (GaN) films is disclosed. The method includes the steps of (a) growing at least one silicon nitride (SiNx) nanomask layer over a GaN template, and (b) growing a thickness of a GaN film on top of the SiNx nanomask layer.

摘要翻译： 公开了一种用于生长减少缺陷密度的平面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法包括以下步骤：（a）在GaN模板上生长至少一个氮化硅（SiN x N）纳米掩模层，以及（b）在SiN的顶部生长GaN膜的厚度， SUB> x 纳米掩模层。

公开(公告)号：US20070218703A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/12 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地对基片进行杂交，将基底加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基底，沉积In x 在加热的衬底上的N-X成核层，在In N x Ga 1-x N成核层上沉积半极性氮化物半导体薄膜，并冷却 底物在氮气过压下。