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    Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition
    1.
    发明授权
    Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition 失效
    用于化学气相沉积的喷头中的孔的图案

    公开(公告)号：US6050506A

    公开(公告)日：2000-04-18

    申请号：US23437

    申请日：1998-02-13

    申请人： Xin Sheng Guo ,  Keith Koai ,  Ling Chen ,  Mohan K. Bhan ,  Bo Zheng

    发明人： Xin Sheng Guo ,  Keith Koai ,  Ling Chen ,  Mohan K. Bhan ,  Bo Zheng

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  B05B1/14

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455

    摘要： A showerhead used for dispensing gas over a wafer in chemical vapor deposition (CVD), especially for CVD of metals. The patterns of holes is tailored to compensate for thermal and other effects, in particular by increasing the density of holes toward the periphery of the wafer in three or more zones. Such a variable pattern is particularly useful for liquid precursors that are atomized in a carrier gas, in which case a second perforated plate in back of the showerhead face can be eliminated, thereby reducing the flow impedance and the required pressure of the liquid-entrained gas, which tends to deposit out at higher pressures. The reduce flow impedance is particularly useful for CVD of copper.

    摘要翻译： 用于在化学气相沉积（CVD）中分散气体在晶片上的喷头，特别是用于金属CVD。 孔的图案被定制以补偿热和其他效果，特别是通过在三个或更多个区域中增加朝向晶片周边的孔的密度。 这种可变图案对于在载气中被雾化的液体前体特别有用，在这种情况下可以消除喷头表面背面的第二个穿孔板，从而减少液体夹带气体的流动阻抗和所需的压力 ，其倾向于在较高压力下沉积。 减少流阻抗对于铜的CVD特别有用。

    Chemical vapor deposition of copper using profiled distribution of showerhead apertures
    2.
    发明授权
    Chemical vapor deposition of copper using profiled distribution of showerhead apertures 失效
    铜的化学气相沉积使用喷头孔的分布分布

    公开(公告)号：US06410089B1

    公开(公告)日：2002-06-25

    申请号：US09513723

    申请日：2000-02-24

    申请人： Xin Sheng Guo ,  Keith Koai ,  Ling Chen ,  Mohan K. Bhan ,  Bo Zheng

    发明人： Xin Sheng Guo ,  Keith Koai ,  Ling Chen ,  Mohan K. Bhan ,  Bo Zheng

    IPC分类号： C23C1680

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455

    摘要： A showerhead used for dispensing gas over a wafer in chemical vapor deposition (CVD), especially for CVD of copper in a thermal process using a precursor such as HFAC-Cu-TMVS. The patterns of holes is tailored to compensate for thermal and other effects, in particular by increasing the density of holes toward the periphery of the wafer in three or more zones. Such a variable pattern is particularly useful for liquid precursors that are atomized in a carrier gas, in which case a second perforated plate in back of the showerhead face can be eliminated, thereby reducing the flow impedance and the required pressure of the liquid-entrained gas, which tends to deposit out at higher pressures. The reduced flow impedance is particularly useful for CVD of copper.

    摘要翻译： 用于在化学气相沉积（CVD）中在晶片上分配气体的喷头，特别是使用诸如HFAC-Cu-TMVS的前体的热处理中的CVD CVD。 孔的图案被定制以补偿热和其他效果，特别是通过在三个或更多个区域中增加朝向晶片周边的孔的密度。 这种可变图案对于在载气中被雾化的液体前体特别有用，在这种情况下，可以消除喷头表面背面的第二多孔板，从而减少液体夹带气体的流动阻抗和所需的压力 ，其倾向于在较高压力下沉积。 减小的流阻抗对于铜的CVD是特别有用的。

    Deposition of copper with increased adhesion
    4.
    发明授权
    Deposition of copper with increased adhesion 有权
    沉积铜增加附着力

    公开(公告)号：US06355106B1

    公开(公告)日：2002-03-12

    申请号：US09706321

    申请日：2000-11-03

    申请人： Bo Zheng ,  Ling Chen ,  Alfred Mak ,  Mei Chang

    发明人： Bo Zheng ,  Ling Chen ,  Alfred Mak ,  Mei Chang

    IPC分类号： C23C1600

    CPC分类号： C23C16/0281 ,  C23C16/18

    摘要： A method and apparatus for improving the adhesion of a copper layer to an underlying layer on a wafer. The layer of copper is formed over a layer of material on a wafer and the copper layer impacted with ions to improve its adhesion to the underlying layer.

    摘要翻译： 一种用于改善铜层与晶片上的下层的粘合性的方法和装置。 铜层在晶片上的一层材料上形成，并且铜层与离子碰撞以改善其与下层的粘合性。

    Deposition of copper with increased adhesion
    5.
    发明授权
    Deposition of copper with increased adhesion 失效
    沉积铜增加附着力

    公开(公告)号：US06171661B2

    公开(公告)日：2001-01-09

    申请号：US09030555

    申请日：1998-02-25

    申请人： Bo Zheng ,  Ling Chen ,  Alfred Mak ,  Mei Chang

    发明人： Bo Zheng ,  Ling Chen ,  Alfred Mak ,  Mei Chang

    IPC分类号： B05D306

    CPC分类号： C23C16/0281 ,  C23C16/18

    摘要： A method and apparatus for improving the adhesion of a copper layer to an underlying layer on a wafer. The layer of copper is formed over a layer of material on a wafer and the copper layer impacted with ions to improve its adhesion to the underlying layer.

    摘要翻译： 一种用于改善铜层与晶片上的下层的粘合性的方法和装置。 铜层在晶片上的一层材料上形成，并且铜层与离子碰撞以改善其与下层的粘合性。

    Short Point-Of-Interest Title Generation
    8.
    发明申请
    Short Point-Of-Interest Title Generation 审中-公开
    短期利益标题生成

    公开(公告)号：US20120047175A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US13266614

    申请日：2009-04-29

    申请人： Jiang Qian ,  Vincent Zhou ,  Bo Zheng ,  Yu Zheng

    发明人： Jiang Qian ,  Vincent Zhou ,  Bo Zheng ,  Yu Zheng

    IPC分类号： G06F17/30

    CPC分类号： G06F17/2745

    摘要： Short POI titles are generated by removing unnecessary administrative area prefixes from existing POI titles and replacing necessary administrative area prefixes with shorter aliases. Administrative area prefixes are identified and analyzed to determine whether they are necessary. The analysis includes determining (1) whether the remainders with the prefixes excluded include a common suffix as a prefix, and (2) whether the remainders are unique in an applicable metropolis area. If a remainder does not include as a prefix a common suffix and is unique in the applicable metropolis area, the corresponding prefix is determined unnecessary and removed from the existing POI title to generate a short POI title. Otherwise, the corresponding prefix is determined necessary and replaced with a shorter alias to generate a short POI title.

    摘要翻译： 通过从现有POI标题中删除不必要的管理区域前缀，并用较短的别名替换必要的管理区域前缀来生成简短的POI标题。 对行政区域前缀进行识别和分析，以确定它们是否必要。 分析包括确定（1）排除前缀的余数是否包括作为前缀的公共后缀，以及（2）在适用的大都会区域中剩余部分是否是唯一的。 如果余数不包括作为前缀的公共后缀，并且在适用的大都市区域中是唯一的，则相应的前缀被确定为不必要的并且从现有POI标题中移除以生成短的POI标题。 否则，相应的前缀被确定为必需，并用较短的别名替换以生成短的POI标题。

    APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
    9.
    发明申请
    APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION 有权
    用于原子层沉积的装置和方法

    公开(公告)号：US20120000422A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13232317

    申请日：2011-09-14

    申请人： Hyman Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Hou Gong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

    发明人： Hyman Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Hou Gong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

    IPC分类号： C23C16/455 ,  F17D1/20

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32449 ,  Y10T137/87265

    摘要： Embodiments of the invention provide apparatuses and methods for atomic layer deposition (ALD), such as plasma-enhanced ALD (PE-ALD). In some embodiments, a PE-ALD chamber is provided which includes a chamber lid assembly coupled with a chamber body having a substrate support therein. In one embodiment, the chamber lid assembly has an inlet manifold assembly containing an annular channel encompassing a centralized channel, wherein the centralized channel extends through the inlet manifold assembly, and the inlet manifold assembly further contains injection holes extending from the annular channel, through a sidewall of the centralized channel, and to the centralized channel. The chamber lid assembly further contains a showerhead assembly disposed below the inlet manifold assembly, a water box disposed between the inlet manifold assembly and the showerhead assembly, and a remote plasma system (RPS) disposed above and coupled with the inlet manifold assembly, and in fluid communication with the centralized channel.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了诸如等离子体增强型ALD（PE-ALD）的原子层沉积（ALD）的装置和方法。 在一些实施例中，提供了一种PE-ALD室，其包括与其中具有基板支撑件的室主体耦合的室盖组件。 在一个实施例中，室盖组件具有入口歧管组件，其包含围绕集中通道的环形通道，其中集中通道延伸穿过入口歧管组件，并且入口歧管组件还包含从环形通道延伸的注入孔， 集中通道侧壁，集中通道。 腔室盖组件还包括设置在入口歧管组件下方的喷头组件，设置在入口歧管组件和喷头组件之间的水箱，以及设置在入口歧管组件上方并与入口歧管组件耦合的远程等离子体系统（RPS） 与集中通道的流体通信。