公开(公告)号：US20080038520A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11641939

申请日：2006-12-20

申请人： Yaoling Pan ,  Xiangfeng Duan ,  Robert Dubrow ,  Jay Goldman ,  Shahriar Mostarshed ,  Chunming Niu ,  Linda Romano ,  David Stumbo ,  Alice Fischer-Colbrie ,  Vijendra Sahi ,  Virginia Robbins

发明人： Yaoling Pan ,  Xiangfeng Duan ,  Robert Dubrow ,  Jay Goldman ,  Shahriar Mostarshed ,  Chunming Niu ,  Linda Romano ,  David Stumbo ,  Alice Fischer-Colbrie ,  Vijendra Sahi ,  Virginia Robbins

IPC分类号： B32B15/02 ,  B05D5/12

CPC分类号： C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  Y10T428/24917

摘要： The present invention is directed to systems and methods for nanowire growth and harvesting. In an embodiment, methods for nanowire growth and doping are provided, including methods for epitaxial oriented nanowire growth using a combination of silicon precursors, as well as us of patterned substrates to grow oriented nanowires. In a further aspect of the invention, methods to improve nanowire quality through the use of sacrifical growth layers are provided. In another aspect of the invention, methods for transferring nanowires from one substrate to another substrate are provided.

公开(公告)号：US07951422B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US11641939

申请日：2006-12-20

申请人： Yaoling Pan ,  Xiangfeng Duan ,  Robert S. Dubrow ,  Jay Goldman ,  Shahriar Mostarshed ,  Chunming Niu ,  Linda T. Romano ,  David P. Stumbo ,  Alice Fischer-Colbrie ,  Vijendra Sahi ,  Virginia Robbins

发明人： Yaoling Pan ,  Xiangfeng Duan ,  Robert S. Dubrow ,  Jay Goldman ,  Shahriar Mostarshed ,  Chunming Niu ,  Linda T. Romano ,  David P. Stumbo ,  Alice Fischer-Colbrie ,  Vijendra Sahi ,  Virginia Robbins

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  Y10T428/24917

摘要： The present invention is directed to systems and methods for nanowire growth and harvesting. In an embodiment, methods for nanowire growth and doping are provided, including methods for epitaxial oriented nanowire growth using a combination of silicon precursors, as well as us of patterned substrates to grow oriented nanowires. In a further aspect of the invention, methods to improve nanowire quality through the use of sacrifical growth layers are provided. In another aspect of the invention, methods for transferring nanowires from one substrate to another substrate are provided.

摘要翻译： 本发明涉及用于纳米线生长和收获的系统和方法。 在一个实施例中，提供了用于纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的外延取向纳米线生长的方法，以及我们用于生长取向的纳米线的图案化衬底。 在本发明的另一方面，提供了通过使用牺牲生长层来提高纳米线质量的方法。 在本发明的另一方面，提供了将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：US20070034853A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11203917

申请日：2005-08-15

申请人： Virginia Robbins ,  Steven Lester ,  Jeffrey Miller ,  David Bour

发明人： Virginia Robbins ,  Steven Lester ,  Jeffrey Miller ,  David Bour

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01S5/305

摘要： A light-emitting device comprises an active region configured to generate light in response to injected charge, and an n-type material layer and a p-type material layer, wherein at least one of the n-type material layer and the p-type material layer is doped with at least two dopants, at least one of the dopants having an ionization energy higher than the ionization energy level of the other dopant.

摘要翻译： 发光装置包括响应于注入的电荷而被配置为产生光的有源区，以及n型材料层和p型材料层，其中n型材料层和p型材料层中的至少一种 材料层掺杂有至少两种掺杂剂，所述掺杂剂中的至少一种具有高于另一种掺杂剂的电离能级的电离能。

公开(公告)号：US20070023761A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11189286

申请日：2005-07-26

申请人： Virginia Robbins

发明人： Virginia Robbins

IPC分类号： H01L31/0312 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0211

摘要： A substrate for an electronic device formed in a group III nitride material system comprises a layer of silicon carbon and a layer of silicon carbon germanium over the layer of silicon carbon, the layer of silicon carbon and the layer of silicon carbon germanium forming a substrate for a device formed in the group III nitride material system.

摘要翻译： 形成在III族氮化物材料体系中的电子器件的衬底包括在硅层上方的硅碳层和硅碳锗层，硅碳层和硅碳锗层形成衬底 在III族氮化物材料体系中形成的器件。

公开(公告)号：US20070278622A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11838467

申请日：2007-08-14

申请人： Steven Lester ,  Virginia Robbins ,  Scott Corzine

发明人： Steven Lester ,  Virginia Robbins ,  Scott Corzine

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A gallium nitride device substrate comprises a layer of gallium nitride containing an additional lattice parameter altering element located over a substitute substrate.

摘要翻译： 氮化镓器件衬底包括含有位于替代衬底上的附加晶格参数改变元件的氮化镓层。

公开(公告)号：US20070069380A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11234993

申请日：2005-09-26

申请人： Jeffrey Miller ,  David Bour ,  Virginia Robbins ,  Steven Lester

发明人： Jeffrey Miller ,  David Bour ,  Virginia Robbins ,  Steven Lester

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An ohmic contact in accordance with the invention includes a layer of p-type GaN-based material. A first layer of a group II-VI compound semiconductor is located adjacent to the layer of p-type GaN-based material. The ohmic contact further includes a metal layer that provides metal contact. A second layer of a different II-VI compound semiconductor is located adjacent to the metal layer.

摘要翻译： 根据本发明的欧姆接触包括一层p型GaN基材料。 II-VI族化合物半导体的第一层位于邻近p型GaN基材料层的位置。 欧姆接触还包括提供金属接触的金属层。 不同的II-VI化合物半导体的第二层位于金属层附近。

公开(公告)号：US20070029555A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11197010

申请日：2005-08-04

申请人： Steven Lester ,  Virginia Robbins ,  Jeffrey Miller ,  Scott Corzine

发明人： Steven Lester ,  Virginia Robbins ,  Jeffrey Miller ,  Scott Corzine

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0756 ,  H01L25/075 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/64 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Edge-emitting LED light source, and method for fabricating an edge-emitting LED light source. The edge-emitting LED light source has a plurality of edge-emitting LEDs arranged in close proximity to one another to define an array of edge-emitting LEDs. Light beams separately emitted by each of the plurality of edge-emitting LEDs in the array together form a single light beam that has a generally two-dimensional cross-sectional shape, for example, a square or other rectangular shape, and an increased overall light flux.

摘要翻译： 边缘发光LED光源，以及制造边缘发光LED光源的方法。 边缘发射LED光源具有彼此靠近布置的多个边缘发射LED，以限定边缘发射LED的阵列。 阵列中的多个边缘发光LED中的每一个单独发射的光束一起形成具有大致二维横截面形状的单个光束，例如正方形或其它矩形形状，以及增加的整体光线 助焊剂

公开(公告)号：US20150086871A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：US14234565

申请日：2012-07-24

申请人： Wanqing Cao ,  Virginia Robbins

发明人： Wanqing Cao ,  Virginia Robbins

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  C30B29/06 ,  H01M4/04 ,  C30B25/00 ,  C01B33/021 ,  H01M4/62

CPC分类号： H01M4/366 ,  B01J21/18 ,  B01J23/72 ,  B01J37/0211 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/029 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/64 ,  C30B11/12 ,  C30B25/005 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/0495 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  H01M4/386 ,  H01M4/622

摘要： Methods for producing nanostructures from copper-based catalysts on porous substrates, particularly silicon nanowires on carbon-based substrates for use as battery active materials, are provided. Related compositions are also described. In addition, novel methods for production of copper-based catalyst particles are provided. Methods for producing nanostructures from catalyst particles that comprise a gold shell and a core that does not include gold are also provided.

摘要翻译： 提供了由多孔基材上的铜基催化剂制备纳米结构的方法，特别是用作电池活性材料的碳基基板上的硅纳米线。 还描述了相关组合物。 另外，提供了生产铜基催化剂颗粒的新方法。 还提供了从包含金壳和不包括金的核的催化剂颗粒生产纳米结构的方法。

公开(公告)号：US20080038521A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11641946

申请日：2006-12-20

申请人： Virginia Robbins

发明人： Virginia Robbins

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C30B25/04 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  Y10T428/24917

摘要： The present invention is directed to systems and methods for nanowire growth and harvesting. In an embodiment, methods for nanowire growth and doping are provided, including methods for epitaxial oriented nanowire growth using a combination of silicon precursors, as well as us of patterned substrates to grow oriented nanowires. In a further aspect of the invention, methods to improve nanowire quality through the use of sacrifical growth layers are provided. In another aspect of the invention, methods for transferring nanowires from one substrate to another substrate are provided.

摘要翻译： 本发明涉及用于纳米线生长和收获的系统和方法。 在一个实施例中，提供了用于纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的外延取向纳米线生长的方法，以及我们用于生长取向的纳米线的图案化衬底。 在本发明的另一方面，提供了通过使用牺牲生长层来提高纳米线质量的方法。 在本发明的另一方面，提供了将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：US06771680B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10278003

申请日：2002-10-22

申请人： David P. Bour ,  Jeffrey N. Miller ,  Steve Lester ,  Virginia Robbins

发明人： David P. Bour ,  Jeffrey N. Miller ,  Steve Lester ,  Virginia Robbins

IPC分类号： H01S500

CPC分类号： H01S5/18341 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/18397 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/426 ,  H01S2301/176

摘要： An electrically-pumped vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) has multiple active regions. Embodiments of the invention provide an electrically-pumped VCSEL having a number of different p-i-n junction and electrode arrangements, which, in various embodiments, allow independent biasing of the multiple active regions, and, in other embodiments, allow simplified electrical connections.

摘要翻译： 电泵浦垂直腔表面发射激光器（VCSEL）具有多个有源区域。 本发明的实施例提供具有多个不同p-i-n结和电极布置的电泵浦VCSEL，其在各种实施例中允许多个有源区域的独立偏置，并且在其它实施例中允许简化的电连接。