公开(公告)号：US07648892B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12258194

申请日：2008-10-24

申请人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/24 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for depositing a microcrystalline silicon film layer with improved deposition rate and film quality are provided in the present invention. Also, a photovoltaic (PV) cell having a microcrystalline silicon film is provided. In one embodiment, the method produces a microcrystalline silicon film on a substrate at a deposition rate greater than about 20 nm per minute, wherein the microcrystalline silicon film has a crystallized volume between about 20 percent to about 80 percent.

摘要翻译： 在本发明中提供了具有改进的沉积速率和膜质量的沉积微晶硅膜层的方法。 此外，提供具有微晶硅膜的光伏（PV）电池。 在一个实施例中，该方法以大于约20nm /分钟的沉积速率在衬底上产生微晶硅膜，其中微晶硅膜的结晶体积在约20％至约80％之间。

公开(公告)号：US20090142878A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12263253

申请日：2008-10-31

申请人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

发明人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/186 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments of the present invention include an improved method of forming a thin film solar cell device using a plasma processing treatment between two or more deposition steps. Embodiments of the invention also generally provide a method and apparatus for forming the same. The present invention may be used to advantage to form other single junction, tandem junction, or multi-junction solar cell devices.

摘要翻译： 本发明的实施例包括使用在两个或更多个沉积步骤之间的等离子体处理处理来形成薄膜太阳能电池器件的改进方法。 本发明的实施例还通常提供用于形成该方法和装置的方法和装置。 本发明可用于形成其它单结，串联结或多结太阳能电池器件。

公开(公告)号：US20080245414A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11733184

申请日：2007-04-09

申请人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li ,  Soo Young Choi ,  Yanping Li ,  Joe Griffith Cruz

发明人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li ,  Soo Young Choi ,  Yanping Li ,  Joe Griffith Cruz

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： An improved PV solar cell structure and methods for manufacturing the same are provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a first photoelectric conversion unit, a first transparent conductive oxide layer and a first microcrystalline silicon layer disposed between and in contact with the photoelectric conversion unit and the transparent conductive oxide layer. In another embodiment, a method of forming a photovoltaic solar cell includes providing a substrate having a first transparent conductive oxide layer disposed thereon, depositing a first microcrystalline silicon layer on the transparent conductive oxide layer, and forming a first photoelectric conversion unit on the microcrystalline silicon layer.

摘要翻译： 提供了一种改进的PV太阳能电池结构及其制造方法。 在一个实施例中，光伏器件包括第一光电转换单元，第一透明导电氧化物层和设置在光电转换单元和透明导电氧化物层之间并与之接触的第一微晶硅层。 在另一实施例中，形成光伏太阳能电池的方法包括提供一个其上设置有第一透明导电氧化物层的衬底，在透明导电氧化物层上沉积第一微晶硅层，以及在微晶硅上形成第一光电转换单元 层。

公开(公告)号：US20070298590A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11426127

申请日：2006-06-23

申请人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

IPC分类号： H01L31/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/24 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for depositing a microcrystalline silicon film layer with improved deposition rate and film quality are provided in the present invention. Also, photovoltaic (PV) cell having a microcrystalline silicon film is provided. In one embodiment, the method produces a microcrystalline silicon film on a substrate at a deposition rate greater than about 20 nm per minute, wherein the microcrystalline silicon film has a crystallized volume between about 20 percent to about 80 percent.

摘要翻译： 在本发明中提供了具有改进的沉积速率和膜质量的沉积微晶硅膜层的方法。 此外，提供具有微晶硅膜的光伏（PV）电池。 在一个实施例中，该方法以大于约20nm /分钟的沉积速率在衬底上产生微晶硅膜，其中微晶硅膜的结晶体积在约20％至约80％之间。

公开(公告)号：US08225496B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12202199

申请日：2008-08-29

申请人： Robert Z. Bachrach ,  Yong-Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Nicholas G. J. De Vries ,  Yacov Elgar ,  Eric A. Englhardt ,  Michel R. Frei ,  Charles Gay ,  Parris Hawkins ,  Choi (Gene) Ho ,  James Craig Hunter ,  Penchala N. Kankanala ,  Liwei Li ,  Wing Hoo (Hendrick) Lo ,  Danny Cam Toan Lu ,  Fang Mei ,  Stephen P. Murphy ,  Srujal (Steve) Patel ,  Matthew J. B. Saunders ,  Asaf Schlezinger ,  Shuran Sheng ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Jeffrey S. Sullivan ,  David Tanner ,  Teresa Trowbridge ,  Brice Walker ,  John M. White ,  Tae K. Won

发明人： Robert Z. Bachrach ,  Yong-Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Nicholas G. J. De Vries ,  Yacov Elgar ,  Eric A. Englhardt ,  Michel R. Frei ,  Charles Gay ,  Parris Hawkins ,  Choi (Gene) Ho ,  James Craig Hunter ,  Penchala N. Kankanala ,  Liwei Li ,  Wing Hoo (Hendrick) Lo ,  Danny Cam Toan Lu ,  Fang Mei ,  Stephen P. Murphy ,  Srujal (Steve) Patel ,  Matthew J. B. Saunders ,  Asaf Schlezinger ,  Shuran Sheng ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Jeffrey S. Sullivan ,  David Tanner ,  Teresa Trowbridge ,  Brice Walker ,  John M. White ,  Tae K. Won

IPC分类号： H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L21/768 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L21/67236 ,  B23K26/364 ,  B26F3/002 ,  B26F3/004 ,  B65G49/064 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/03 ,  C03B33/033 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/075 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/548 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49355 ,  Y10T29/5196 ,  Y10T29/53113 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/5317 ,  Y10T29/53187 ,  Y10T29/53365 ,  Y10T29/53417 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/325 ,  Y10T225/329

摘要： The present invention generally relates to a system that can be used to form a photovoltaic device, or solar cell, using processing modules that are adapted to perform one or more steps in the solar cell formation process. The automated solar cell fab is generally an arrangement of automated processing modules and automation equipment that is used to form solar cell devices. The automated solar fab will thus generally comprise a substrate receiving module that is adapted to receive a substrate, one or more absorbing layer deposition cluster tools having at least one processing chamber that is adapted to deposit a silicon-containing layer on a surface of the substrate, one or more back contact deposition chambers, one or more material removal chambers, a solar cell encapsulation device, an autoclave module, an automated junction box attaching module, and one or more quality assurance modules that are adapted to test and qualify the completely formed solar cell device.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种可用于形成光伏器件或太阳能电池的系统，该系统使用适于在太阳能电池形成过程中执行一个或多个步骤的处理模块。 自动化太阳能电池制造厂通常是用于形成太阳能电池器件的自动化处理模块和自动化设备的布置。 因此，自动化太阳能工厂将通常包括适于接收衬底的衬底接收模块，一个或多个吸收层沉积簇工具，其具有至少一个适于在衬底的表面上沉积含硅层的处理室 ，一个或多个背接触沉积室，一个或多个材料去除室，太阳能电池封装装置，高压釜模块，自动接线盒附接模块和一个或多个质量保证模块，其适于测试和限定完全形成 太阳能电池装置。

公开(公告)号：US20090130827A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12263032

申请日：2008-10-31

申请人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

发明人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3321 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments of the present invention may include an improved thin film solar cell device that is formed by sequentially depositing an intrinsic amorphous silicon layer and an intrinsic microcrystalline silicon layer during the p-i-n or n-i-p junction formation process. Embodiments of the invention also generally provide a method and apparatus for forming the same. The present invention may be used to advantage to form other single junction, tandem junction, or multi-junction thin film solar cell devices.

摘要翻译： 本发明的实施例可以包括通过在p-i-n或n-i-p结形成过程期间依次沉积本征非晶硅层和本征微晶硅层而形成的改进的薄膜太阳能电池器件。 本发明的实施例还通常提供用于形成该方法和装置的方法和装置。 本发明可用于形成其它单结，串联结或多结薄膜太阳能电池器件。

公开(公告)号：US20090029502A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12178255

申请日：2008-07-23

申请人： Soo Young Choi ,  Ankur Kadam ,  Yong-kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Ankur Kadam ,  Yong-kee Chae

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/67236 ,  H01L21/67201

摘要： Embodiments of the invention generally provide apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing. In one embodiment a method for forming a thin film solar cell over a substrate is provided. The method comprises performing a temperature stabilization process on a substrate to pre-heat the substrate for a substrate stabilization time period in a first chamber, calculating a wait time period for a second chamber, wherein the wait time period is bases on the availability of the second chamber, the availability of a vacuum transfer robot adapted to transfer the substrate from the first chamber to the second chamber, or a combination of both the availability of the second chamber and the availability of the vacuum transfer robot, and adjusting the temperature stabilization time period to compensate for the loss of heat from the substrate during the wait time period.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供薄膜太阳能制造期间的基板温度控制的装置和方法。 在一个实施例中，提供了一种在衬底上形成薄膜太阳能电池的方法。 该方法包括在基板上执行温度稳定化处理以在第一室中对基板预热基板稳定时间段，计算第二室的等待时间段，其中等待时间段基于可用性 第二室，适于将基板从第一室转移到第二室的真空传送机器人的可用性，或第二室的可用性和真空传送机器人的可用性的组合，以及调节温度稳定时间 以补偿在等待时间段期间来自基板的热量的损失。

公开(公告)号：US20090020154A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12178289

申请日：2008-07-23

申请人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li

发明人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to solar cells and methods and apparatuses for forming the same. More particularly, embodiments of the present invention relate to thin film multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same. Embodiments of the present invention also include an improved thin film silicon solar cell, and methods and apparatus for forming the same, where one or more of the layers in the solar cell comprises at least one amorphous silicon layer that has improved electrical characteristics and mechanical properties, and is capable of being deposited at rates many times faster than conventional amorphous silicon deposition processes.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及太阳能电池及其形成方法和装置。 更具体地，本发明的实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和装置。 本发明的实施例还包括改进的薄膜硅太阳能电池及其形成方法和装置，其中太阳能电池中的一个或多个层包括至少一个具有改善的电特性和机械性能的非晶硅层 ，并且能够以比常规非晶硅沉积工艺快许多倍的速率沉积。

公开(公告)号：US07741144B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12263253

申请日：2008-10-31

申请人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

发明人： Soo Young Choi ,  Yong-Kee Chae ,  Shuran Sheng ,  Liwei Li

IPC分类号： H01L27/142

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/186 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments of the present invention include an improved method of forming a thin film solar cell device using a plasma processing treatment between two or more deposition steps. Embodiments of the invention also generally provide a method and apparatus for forming the same. The present invention may be used to advantage to form other single junction, tandem junction, or multi-junction solar cell devices.

摘要翻译： 本发明的实施例包括使用在两个或更多个沉积步骤之间的等离子体处理处理来形成薄膜太阳能电池器件的改进方法。 本发明的实施例还通常提供用于形成该方法和装置的方法和装置。 本发明可用于形成其它单结，串联结或多结太阳能电池器件。

公开(公告)号：US07655542B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11426127

申请日：2006-06-23

申请人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/24 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for depositing a microcrystalline silicon film layer with improved deposition rate and film quality are provided in the present invention. Also, photovoltaic (PV) cell having a microcrystalline silicon film is provided. In one embodiment, the method produces a microcrystalline silicon film on a substrate at a deposition rate greater than about 20 nm per minute, wherein the microcrystalline silicon film has a crystallized volume between about 20 percent to about 80 percent.

摘要翻译： 在本发明中提供了具有改进的沉积速率和膜质量的沉积微晶硅膜层的方法。 此外，提供具有微晶硅膜的光伏（PV）电池。 在一个实施例中，该方法以大于约20nm /分钟的沉积速率在衬底上产生微晶硅膜，其中微晶硅膜的结晶体积在约20％至约80％之间。