公开(公告)号：WO2013032472A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/US2011/050083

申请日：2011-08-31

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  LIANG, Di

Inventor： LIANG, Di

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/02 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/222 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/176

Abstract: A thermal shunt is to transfer heat from a sidewall of a device to a silicon substrate. The device is associated with a Silicon-On-Insulator (SOI) including a buried oxide layer. The thermal shunt extends through the buried oxide layer to the silicon substrate.

Abstract translation: 热分流器将热量从器件的侧壁传递到硅衬底。 该器件与包括掩埋氧化物层的绝缘体上硅（SOI）相关联。 热分流器延伸穿过掩埋氧化物层到硅衬底。

公开(公告)号：WO2012101686A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/JP2011/003840

申请日：2011-07-05

Applicant: パナソニック株式会社 ,  萩野 裕幸 ,  左文字 克哉

Inventor： 萩野　裕幸 ,  左文字　克哉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/024 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体発光素子１００は、基板１０１の上に形成された窒化物半導体層１０３と、絶縁膜１０５と、第１電極１７１及び第２電極１７２とを備えている。窒化物半導体層１０３は、ストライプ状のリッジ部１０３Ａを有する第２クラッド層１３５を含む。絶縁膜１０５は、リッジ部１０３Ａの側面上及び第２クラッド層１３５におけるリッジ部１０３Ａと接する部分の上に跨り、且つ第２クラッド層におけるリッジ部を除く領域の一部を露出するように形成されている。第１電極１７１は、リッジ部１０３Ａの上面に接して形成されている。第２電極１７３は第１電極１７１の上面、絶縁膜１０５の上面及び第２クラッド層１３５の絶縁膜１０５から露出した部分と接するように形成されている。

Abstract translation: 半导体发光元件（100）包括形成在基板（101）上的氮化物半导体层（103），绝缘膜（105）和第一电极（171）和第二电极（172）。 氮化物半导体层（103）包括具有条状脊部（103A）的第二覆层（135）。 绝缘膜（105）形成为跨越脊部（103A）的侧面并且与第二包层（135）中的脊部（103A）连接的部分，并且暴露出部分 不包括第二包覆层中的脊部的区域。 第一电极（171）形成为与脊部（103A）的上表面接触。 第二电极（173）形成为与第一电极（171）的上表面，绝缘膜（105）的上表面和从第二包层的绝缘膜（105）露出的部分接触 （135）。

公开(公告)号：WO2011073027A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/EP2010/068548

申请日：2010-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  FEHRER, Michael ,  SCHLENKER, Tilman ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  MÜLLER, Martin

Inventor： LELL, Alfred ,  FEHRER, Michael ,  SCHLENKER, Tilman ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  MÜLLER, Martin

IPC: H01L33/44 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/20 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das zumindest ein anorganisches optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement (10) mit einem aktiven Bereich (3), der geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (7) ein mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachtes Versiegelungsmaterial (6), das den Oberflächenbereich (7) hermetisch dicht bedeckt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种光电子器件，包括具有有源区（3），这是适合于在操作发射光或接收，并通过原子层沉积在至少一个表面区域（7）施加的密封材料的至少一个无机光电子有源半导体器件（10） （6）的表面区域（7）气密地覆盖了。 此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2010057955A3

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/EP2009065488

申请日：2009-11-19

Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ECKSTEIN HANS-CHRISTOPH ,  ZEITNER UWE D ,  SCHMID WOLFGANG

Inventor： ECKSTEIN HANS-CHRISTOPH ,  ZEITNER UWE D ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12 ,  H01S5/16 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2036 ,  H01S2301/176

Abstract: An edge-centering semiconductor laser is provided, comprising a semiconductor body (1) having a wave guide area (2). The wave guide area (2) comprises a lower cover layer (3a), a lower wave guide layer (4a), an active layer (5) for generating laser radiation, an upper wave guide layer (4b) and an upper cover layer (3b). The wave guide area (2) also comprises at least one structured laser radiation scattering area (6) in which a lateral base laser radiation mode experiences less scattering losses than the radiation of higher laser modes.

Abstract translation: 有一个边发射半导体激光器包括具有（2）所示的波导区域的半导体主体（1）。 波导区域（2）具有下包层（3a）中，下波导层（4a）中，用于产生激光辐射，上波导层（4b）的和的上包层（3b）中的有源层（5）。 此外，波导区（2）上的至少一个结构化的区域（6）用于散射激光辐射，其中激光辐射的横向基本模式经历高于激光模式的辐射损耗少。

公开(公告)号：WO2009143462A2

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：PCT/US2009045041

申请日：2009-05-22

Applicant: VI SYSTEMS GMBH ,  LOTT JAMES ,  LEDENTSOV NIKOLAI ,  SHCHUKIN VITALY

Inventor： LOTT JAMES ,  LEDENTSOV NIKOLAI ,  SHCHUKIN VITALY

IPC: H01S5/026 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/95 ,  H01L25/16 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/028 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for the hybrid integration of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and/or other optical device components with silicon-based integrated circuits, based on a series of attachment steps, is described. The method is applicable when a multitude of individual VCSELs or optical devices are processed on the surface of a compound semiconductor wafer and then transferred to a silicon-based integrated circuit. The technique is realized by employing a specific sacrificial or removable separation layer between the optical components and the mother semiconductor substrate, followed by the transfer of the optical components to a carrier substrate, and the subsequent elimination of the sacrificial or separation layer and simultaneous removal of the mother substrate. This procedure is followed by the attachment and interconnection of the optical components to the surface of, or embedded within the upper layers of, an integrated circuit, followed by the release of the components from the carrier substrate. The distinction of this method is the ability to place and interconnect VCSELs directly within the physical structure of the integrated circuit, thus greatly reducing the power requirements, the distance of interconnecting lines, and the resultant operational speed. Selected variations of the method are proposed including the selective placement of groups of physically-connected VCSELs, and the collection and placement of large numbers of fabricated VCSELs onto foreign substrates using a vacuum plating tool.

Abstract translation: 描述了基于一系列附接步骤的垂直腔表面发射激光器（VCSEL）和/或其他光学器件部件与基于硅的集成电路的混合集成的方法。 当多个单独的VCSEL或光学器件在化合物半导体晶片的表面上被处理然后转移到硅基集成电路时，该方法是可应用的。 该技术通过在光学部件和母体半导体衬底之间采用特定的牺牲或可移除的分离层，随后将光学部件转移到载体衬底，随后消除牺牲层或分离层并同时去除 母基板。 该过程之后是将光学部件附接到其集成电路的表面或嵌入集成电路的上层中，随后从载体基板释放部件。 该方法的区别在于可以直接在VCS集成电路的物理结构内放置和连接VCSEL，从而大大降低了功率需求，互连线的距离以及最终的工作速度。 提出了该方法的选择的变型，包括物理连接的VCSEL的组的选择性放置，以及使用真空电镀工具将大量制造的VCSEL收集和放置到异质衬底上。

公开(公告)号：WO2009133966A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/JP2009/058733

申请日：2009-04-28

Applicant: RICOH COMPANY, LTD. ,  JIKUTANI, Naoto ,  SATO, Shunichi ,  SUGAWARA, Satoru ,  MOTOMURA, Hiroshi

Inventor： JIKUTANI, Naoto ,  SATO, Shunichi ,  SUGAWARA, Satoru ,  MOTOMURA, Hiroshi

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18361 ,  B41J2/442 ,  B41J2/473 ,  H01L33/10 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: A disclosed vertical cavity surface emitting laser device emits light orthogonally in relation to a substrate and includes a resonator structure including an active layer; and semiconductor multilayer reflectors disposed in such a manner as to sandwich the resonator structure between them and including a confinement structure which confines an injected current and transverse modes of oscillation light at the same time. The confinement structure has an oxidized region which surrounds a current passage region. The oxidized region is formed by oxidizing a part of a selective oxidation layer which includes aluminum and includes at least an oxide. The selective oxidation layer is at least 25 nm in thickness. The semiconductor multilayer reflectors include an optical confinement reducing section which reduces optical confinement in a transverse direction. The optical confinement reducing section is disposed on the substrate side in relation to the resonator structure.

Abstract translation: 所公开的垂直腔表面发射激光器装置相对于衬底正交地发光，并且包括包括有源层的谐振器结构; 以及半导体多层反射器，以将谐振器结构夹在它们之间并且包括同时限制注入的电流和横向振荡模式的约束结构的方式设置。 限制结构具有围绕电流通道区域的氧化区域。 通过氧化包括铝的部分选择性氧化层并至少包含一种氧化物而形成氧化区。 选择性氧化层的厚度至少为25nm。 半导体多层反射器包括减少横向光学限制的光限制减少部分。 光限制减少部分相对于谐振器结构设置在衬底侧。

公开(公告)号：WO2009060802A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/JP2008/069914

申请日：2008-10-31

Applicant: 日亜化学工業株式会社 ,  園部 真也 ,  枡井 真吾

Inventor： 園部 真也 ,  枡井 真吾

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/168 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/166 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 　高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰ形状を得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 　第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層からなる積層体と、前記第２導電型半導体層に接触して共振器方向に平行なストライプ状の溝部を有し、絶縁体からなる第２埋込層とを有し、前記溝部の共振器端面側に誘電体からなる第１埋込層が埋め込まれており、前記溝部の内側に導電層が埋め込まれている半導体レーザ素子。

Abstract translation: 提供一种半导体激光元件，即使半导体激光元件具有高功率，也能够将谐振器端面产生的热抑制到最小，提高COD水平，具有优异的FFP形状，高可靠性和长使用寿命。 半导体激光元件具有由第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层构成的层叠体。 半导体激光元件还具有由与第二导电型半导体层接触并与谐振器方向平行的条状槽部的绝缘体构成的第二嵌入层。 由电介质材料制成的第一嵌入层嵌入在槽部的谐振器端侧，并且导电层嵌入槽部内。

公开(公告)号：WO2004070899A3

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：PCT/EP0312968

申请日：2003-11-19

Applicant: VERTILAS GMBH ,  AMANN MARKUS CHRISTIAN

Inventor： AMANN MARKUS CHRISTIAN

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: The aim of the invention is to produce a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor layer having an active zone (3) and a tunnel contact (7) on the p-side of the active zone (3), which borders a second n-doped semiconductor layer (8). To this end, the invention provides that, in a first epitaxial growth process, an n-doped barrier layer (6, 6a) is applied to a p-doped semiconductor layer (5) and is subsequently removed in part whereby forming an aperture (10). In a second epitaxial growth process, the layer provided for the tunnel contact (7) is then applied to the remaining barrier layer (6, 6a) and the aperture (10). By varying the thickness of this barrier layer (6, 6a), the lateral wave guiding and mode selection can be continuously adjusted.

公开(公告)号：WO0173903A9

公开(公告)日：2003-09-04

申请号：PCT/US0109014

申请日：2001-03-20

Applicant: AEGIS SEMICONDUCTOR ,  WAGNER SIGURD ,  MA EUGENE Y ,  PAYNE ADAM M

Inventor： WAGNER SIGURD ,  MA EUGENE Y ,  PAYNE ADAM M

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01S5/0683 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01S5/02284 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: Materials suitable for fabricating optical monitors include amorphous, polycrystalline and microcrystalline materials. Semitransparent photodetector materials may be based on silicon or silicon and germanium alloys. Conductors for connecting to and contacting the photodetector may be made from various transparent oxides, including zinc oxide, tin oxide and indium tin oxide. Optical monitor structures based on PIN diodes take advantage of the materials disclosed. Various contact, lineout, substrate and interconnect structures optimize the monitors for integration with various light sources, including vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Complete integrated structures include a light source, optical monitor and either a package or waveguide into which light is directed.

Abstract translation: 适用于制造光学显示器的材料包括无定形，多晶和微晶材料。 半透射光电探测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光电检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监视器结构利用所公开的材料。 各种接触，线路，基板和互连结构优化了监视器，以与各种光源（包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列）集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器以及光引导的封装或波导。

公开(公告)号：WO2003010771A1

公开(公告)日：2003-02-06

申请号：PCT/US2002/014364

申请日：2002-05-06

Applicant: MOTOROLA, INC. A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE

Inventor： WILSON, Peter, J. ,  PANDYA, Mihir, A.

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C7/1006 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: An apparatus includes a memory system (400) having multiple memory subsystems (1311-314) that are operable to concurrently service memory transactions. The memory system has an interface arrangement (321-324) with an interconnection network (330) that allows for independent access to each memory subsystem, and logic blocks(341-343) that support the servicing and distribution or routing of memory transactions. Preferably, the apparatus is formed on a semiconductor structure having a combination of compound semiconductor material and Group IV semiconductor material.

Abstract translation: 一种装置包括具有可同时操作存储器事务的多个存储器子系统（1311-314）的存储器系统（400）。 存储器系统具有允许独立访问每个存储器子系统的互连网络（330）和支持存储器事务的维护和分发或路由的逻辑块（341-343）的接口布置（321-324）。 优选地，该装置形成在具有化合物半导体材料和IV族半导体材料的组合的半导体结构上。