公开(公告)号：WO2007079456A2

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/US2007/000273

申请日：2007-01-05

Applicant: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION ,  HAUENSTEIN, Henning

Inventor： HAUENSTEIN, Henning

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/39 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

Abstract: A substrate on which a silicon device is mounted in accordance with an embodiment of the present invention includes a plurality of protrusions extending upward from a top surface of the substrate and a solder layer formed on the top of the substrate such that the plurality of protrusions extends through the solder layer and a top portion of each protrusion of the plurality of protrusions is stamped down to be level with a top surface of the solder layer such that the silicon device is supported on the plurality of protrusions when placed on the substrate. The protrusions are preferably gouged up from the surface of the substrate with a needle like tool. A stamper tool is used to stamp the protrusions down to their desired height such that they are properly positioned to support the silicon device. The solder layer may be a solder pre-form or may be a layer of solder paste. The solder layer is heated to form liquid solder to bond the substrate and the silicon device, however, the protrusions support the silicon device to prevent movement thereof when the solder is in liquid form.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，其上安装有硅器件的衬底包括从衬底的顶表面向上延伸的多个突起和形成在衬底的顶部上的焊料层，使得多个突起延伸 通过焊料层和多个突起中的每个突起的顶部被压下以与焊料层的顶表面平齐，使得硅器件在放置在衬底上时被支撑在多个突起上。 优选地，用针状工具从该基板的表面向上突出突起。 压模工具用于将突起压印至其期望的高度，使得它们被适当地定位以支撑硅器件。 焊料层可以是焊料预形式，或者可以是一层焊膏。 焊料层被加热以形成液体焊料以结合衬底和硅器件，然而，当焊料为液体形式时，突起支撑硅器件以防止其移动。

公开(公告)号：WO2003096417A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/DE2003/000052

申请日：2003-01-10

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HAUENSTEIN, Henning ,  BALSZUNAT, Dirk

Inventor： HAUENSTEIN, Henning ,  BALSZUNAT, Dirk

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L23/49548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Verbindungseinrichtung zum Kontaktieren eines Halbleiter-Baulementes mit mindestens einem weiteren Bauteil, wobei die Verbindungseinrichtung mindestens einen sich in einer Längsrichtung erstreckenden metallischen Verbindungsstreifen (2) mit einem Kontaktbereich (7) zur Aufbringung auf einem Anschlussbereich (4) des Halbleiter-Bauelementes (3) aufweist. Um eine kostengünstig herstellbare Kontaktierung zu erreichen, die dennoch mit höheren Stromdichten belastbar ist, wird eine Verbindungseinrichtung vorgeschlagen, deren Kontaktbereich (7) strukturiert und gegenüber Spannungen, die in einer zu dem Anschlussbereich (4) parallelen Anschlussebene verlaufen, nachgiebig ausgebildet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种连接装置用于半导体鲍勒Mentes其中所述连接装置至少在所述金属连接条带（2）具有用于应用的接触面积（7）的纵向方向延伸到终端部的部分（4）的半导体元件接触与至少一种另外的组分， （3）。 为了达到经济上可生产的接触，这仍然是装载有较高的电流密度下，连接装置被提出，（7），其在一延伸到所述端子部分（4）并联连接平面结构化和相反的电压形成的弹性，其接触面积。

公开(公告)号：WO2002095423A2

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：PCT/DE2002/001601

申请日：2002-05-03

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HAUENSTEIN, Henning

Inventor： HAUENSTEIN, Henning

IPC: G01R

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L43/065

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Vorrichtung (10), ein Magnetfeldsensor und ein Strommesser, wobei in einem Gebiet (20) eine Feldverteilung (50) eines ersten elektrischen Feldes derart vorgesehen ist, dass die x-Komponente des ersten elektrischen Feldes in X-Richtung betragsmässig monoton ansteigt.

Abstract translation: 公开了一种装置（10），磁场传感器和流量计，其特征在于，第一电场的场分布（50）以这样的方式在一个区域（20）提供的，在X方向绝对值的第一电场的x分量单调增加 ，

公开(公告)号：WO2002086432A1

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：PCT/DE2002/001436

申请日：2002-04-18

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HAUENSTEIN, Henning, M.

Inventor： HAUENSTEIN, Henning, M.

IPC: G01K11/00

CPC classification number: G01K11/00

Abstract: Zur Bestimmung einer Temperatur an einem Halbleiterbauelement (1) wird eine Abfragelichtwelle (7) auf einen Messpunkt an dem Halbleiterbauelement eingestrahlt, eine von dem Messpunkt abgestrahlte Antwortlichtwelle (8, 8') erfasst und die Temperatur des Messpunkt anhand einer Temperaturabhängigen Eigenschaft (R) der Antwortlichtwelle (8, 8') ermittelt.

Abstract translation: 为了确定一个半导体部件的温度（1）照射的查询光波（7）至所述半导体器件上的测量点，从测量点的响应光的轴（8,8“）所发出的光被检测和测量点的基础上的依赖于温度的特性（R）的温度 确定的响应光的轴（8,8“）。

公开(公告)号：WO02056045A2

公开(公告)日：2002-07-18

申请号：PCT/DE0104854

申请日：2001-12-21

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  HAUENSTEIN HENNING M

Inventor： HAUENSTEIN HENNING M

IPC: G01R15/20 ,  G01R33/06 ,  H01L29/82 ,  G01R33/00

CPC classification number: G01R33/06 ,  G01R15/20

Abstract: The invention relates to a device, a magnetic field meter and to an ammeter. The device is characterized in that it is provided with a first magnetic field sensor means (1, 101), a second magnetic field sensor means (201), and with a third magnetic field sensor means (301). A first output quantity (110) of the first magnetic field sensor means (101) is provided as a first input quantity (200). A second output quantity (120) of the first magnetic field sensor means (101) is provided as a second input quantity (300). The first input quantity (200) is provided as an input quantity for the second magnetic field sensor means (201), and the second input quantity (300) is provided as an input quantity for the third magnetic field sensor means (301).

Abstract translation: 公开了一种设备，一个磁强计和安培计，其特征在于，该装置的特征在于，设置的第一磁场传感器装置（1，101），第二磁场传感器装置（201）和第三磁场传感器装置（301），其中，第一输出变量（ 110设置）的第一磁场传感器装置（101）作为第一磁场传感器装置（101）作为第二输入变量（300），的第一输入变量（120）的方法，其中所述第一输入变量（200）（作为第二磁场传感器的输入变量装置提供201）和 其中，所述第二输入变量（300）被设置为用于所述第三磁场传感器装置（301）的输入变量。

公开(公告)号：WO2007130643A9

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/US2007010950

申请日：2007-05-04

Applicant: INT RECTIFIER CORP ,  HAUENSTEIN HENNING M ,  MARCINKOWSKI JACK ,  LIN HENY

Inventor： HAUENSTEIN HENNING M ,  MARCINKOWSKI JACK ,  LIN HENY

IPC: H01L23/24

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L23/049 ,  H01L23/4951 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: A high voltage semiconductor module has a leadframe with spaced pads which is connected to a heat sink plate by a curable insulation layer on the top of the plate. Semiconductor die may be soldered to the leadframe pads before or after assembly to the plate. The insulation layer may be a curable epoxy or a B stage IMS plate.

公开(公告)号：WO2007139852A2

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/US2007012328

申请日：2007-05-23

Applicant: INT RECTIFIER CORP ,  HAUENSTEIN HENNING M

Inventor： HAUENSTEIN HENNING M

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: Two DBC wafers have patterned first conductive surfaces which receive a semiconductor die in sandwich fashion. Lead frame terminally extending into the package interior and are connected to the die terminals. The outer conductive surfaces of each of the wafers are available for two-sided cooling of the semiconductor.

Abstract translation: 两个DBC晶片具有以三明治方式接收半导体管芯的第一导电表面。 引线框架终端延伸到封装内部并连接到管芯端子。 每个晶片的外部导电表面可用于半导体的双面冷却。

公开(公告)号：WO2007120769A2

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：PCT/US2007009037

申请日：2007-04-13

Applicant: INT RECTIFIER CORP ,  HAUENSTEIN HENNING M

Inventor： HAUENSTEIN HENNING M

IPC: H01L29/76

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/074 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: A power semiconductor package that includes at least two semiconductor devices electrically coupled to one another through a common metallic web.

Abstract translation: 一种功率半导体封装，其包括通过公共金属网而彼此电耦合的至少两个半导体器件。

公开(公告)号：WO2003096415A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/DE2003/000376

申请日：2003-02-10

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HAUENSTEIN, Henning ,  TOPP, Rainer ,  SEIBOLD, Jochen ,  BALSZUNAT, Dirk ,  ERNST, Stephan ,  FEILER, Wolfgang ,  KOESTER, Thomas ,  HORNUNG, Stefan ,  STREB, Dieter

Inventor： HAUENSTEIN, Henning ,  TOPP, Rainer ,  SEIBOLD, Jochen ,  BALSZUNAT, Dirk ,  ERNST, Stephan ,  FEILER, Wolfgang ,  KOESTER, Thomas ,  HORNUNG, Stefan ,  STREB, Dieter

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/482 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein einfach, schnell und dennoch sicher herstellbares Halbleiterbauelement, das insbesondere für Leistungsanwendungen verwend­bar ist und aufweist einen Halbleiter-Chip (2, 12), eine auf einer ersten Seite (2a) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete unte­re erste auptelektrodenschicht (3, 13), eine auf der ersten Seite (2a) ausgebildete untere Steuerelektrodenschicht (4, 14), eine auf der ersten Seite (2a) zwischen der unteren ersten Hauptelektroden­schicht (3, 13) und der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) ausgebildete Isolationsschicht (5, 15), die die untere erste Hauptelektrodenschicht-(3, 13) teilweise bedeckt, eine obere erste Hauptelektrodenschicht (6, 16), die auf der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) ausgebildet ist, eine obere Steuerelektrodenschicht (7, 17), die auf der unteren Steuerelektro­denschicht (4, 14) und der Isolationsschicht (5, 15) ausgebildet ist und sich auf der Isolationsschicht (5, 15) teilweise oberhalb der unteren ersteh Hauptelekt­rodenschicht (3, 13) erstreckt, und eine auf einer zweiten Seite (2b) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete zweite Hauptelektrodenschicht (9, 19).

Abstract translation: 本发明涉及一种简单，快速且还确保可生产半导体装置，其是用于功率应用中特别有用，并已形成在半导体芯片（2，12），在半导体芯片的第一侧面（2a）的（2，12）下 第一auptelektrodenschicht（3，13），一个在所述第一侧（2a）的形状的下部控制电极层（4,14），一个位于下侧的第一主电极层（3，13）和下控制电极层之间的第一侧（2a）的（4， 形成绝缘层（5,15）上14），所述下部第一Hauptelektrodenschicht-（3，13）部分地覆盖上部第一主电极层（6,16）（下侧的第一主电极层3，13）上形成，上 下部控制电极层（4,14）和所述绝缘层（5，15）上的控制电极层（7，17）和延伸的所述绝缘层（5，15）上部分之上的UNT 年长ersteh主电极层（3，13），和半导体芯片（2,12）形成的第二主电极层（9,19）的在第二侧（2b）的。

公开(公告)号：WO02095423A3

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/DE0201601

申请日：2002-05-03

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  HAUENSTEIN HENNING

Inventor： HAUENSTEIN HENNING

IPC: H01L43/06 ,  G01R33/07

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L43/065

Abstract: The invention relates to a device (10), a magnetic field sensor and an ammeter. According to the invention, a field distribution (50) of a first electrical field is provided in an area (20) whereby causing the magnitude of the x-component of the first electrical field to monotonously increase in the X-direction.

Abstract translation: 公开了一种装置（10），磁场传感器和流量计，其特征在于，第一电场的场分布（50）以这样的方式在一个区域（20）提供的，在X方向绝对值的第一电场的x分量单调增加 ，