公开(公告)号：WO2012029381A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/JP2011/064231

申请日：2011-06-22

Applicant: シャープ株式会社 ,  柴田 晃秀 ,  根岸 哲 ,  小宮 健治 ,  矢追 善史 ,  塩見 竹史 ,  岩田 浩 ,  高橋 明

Inventor： 柴田　晃秀 ,  根岸　哲 ,  小宮　健治 ,  矢追　善史 ,  塩見　竹史 ,  岩田　浩 ,  高橋　明

IPC: H01L33/24 ,  F21S2/00 ,  G02F1/13357 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/20 ,  G02F1/133603 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1848 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15788 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 　この発光素子(１００)は、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)と、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)を覆うｐ型ＧａＮ半導体層(１２３)とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)は棒状半導体(１２１)にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。

Abstract translation: 该发光元件（100）包括：n型GaN半导体基底（113）; 多个n型GaN棒状半导体（121），其以垂直状态形成在n型GaN半导体基底（113）的顶部，并且间隔地相互分离; 和覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。 通过增加向棒状半导体（121）提供n形的杂质的量，可以容易地降低n型GaN棒状半导体（121）的电阻。 因此，抑制了n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增加，并且可以使半导体从n型GaN棒状半导体的基极到其尖端均匀地发光，甚至 如果n型GaN棒状半导体（121）的长度增加。

公开(公告)号：WO2014091836A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/JP2013/079844

申请日：2013-11-05

Applicant: オリンパス株式会社

Inventor： 齊藤　晴久

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08135 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置の製造方法は、回路と、前記回路に電気的に接続された電極とを有する複数のウェハが積層されたウェハ積層体を形成するウェハ積層体形成工程と、前記ウェハ積層体をダイシングするダイシング工程とを有する。前記ウェハ積層体形成工程は、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも高い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第１のウェハを形成する第１のウェハ形成工程と、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも低い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第２の穴部を形成し、前記第２の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第２のウェハを形成する第２のウェハ形成工程を有する。

Abstract translation: 这种半导体器件制造方法包括用于形成包括多个层压晶片的晶片层压体形成步骤的晶片层压体形成步骤，该层叠晶片包括电路和电连接到该电路的电极，以及用于切割晶片层叠体的切割步骤。 晶片层叠体形成步骤包括：第一晶片形成步骤，其中通过形成覆盖多个电路并在高于树脂膜的玻璃化转变温度的温度下加热的树脂膜形成第一晶片，形成延伸的第一孔 从树脂膜的表面到电路的布线，并且在第一孔中提供与布线电连接的电极; 以及第二晶片形成步骤，其中通过形成覆盖所述多个电路并在低于所述树脂膜的玻璃化转变点的温度下加热的树脂膜形成第二晶片，形成从所述树脂的表面延伸的第二孔 电路到电路的布线，并且在第二孔中提供电连接到布线的电极。

公开(公告)号：WO2014052012A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/US2013/059256

申请日：2013-09-11

Applicant: GOOGLE INC.

Inventor： ETZKORN, James

IPC: G02C7/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: G02C11/10 ,  A61B5/6821 ,  A61B2562/12 ,  B29D11/00048 ,  B29D11/00807 ,  G02C7/04 ,  G02C7/049 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/8085 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

Abstract: A contact lens having a thin silicon chip integrated therein is provided along with methods for assembling the silicon chip within the contact lens. In an aspect, a method includes creating a plurality of lens contact pads on a lens substrate and creating a plurality of chip contact pads on a chip. The method further involves applying assembly bonding material to the each of the plurality of lens contact pads or chip contact pads, aligning the plurality of lens contact pads with the plurality of chip contact pads, bonding the chip to the lens substrate via the assembly bonding material using flip chip bonding, and forming a contact lens with the lens substrate.

Abstract translation: 集成有薄硅芯片的隐形眼镜与隐形眼镜中的硅芯片的组装方法一起提供。 一方面，一种方法包括在透镜基板上形成多个透镜接触焊盘并在芯片上产生多个芯片接触焊盘。 该方法还包括将组装接合材料施加到多个透镜接触焊盘或芯片接触焊盘中的每一个上，将多个透镜接触焊盘与多个芯片接触焊盘对准，通过组装接合材料将芯片粘合到透镜基板 使用倒装芯片接合，并且与透镜基板形成隐形眼镜。