公开(公告)号：WO2017161130A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/US2017/022733

申请日：2017-03-16

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： HEALY, Christopher James ,  HOLMES, John Patrick ,  SOLIMANDO, Michael James ,  YUN, Sun ,  STONE, William Michael ,  PENDSE, Rajendra

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00015

摘要： Disclosed is a die packaging structure comprising a semiconductor die, an encapsulant layer disposed around the semiconductor die, wherein a backside surface of the semiconductor die is exposed, and a conductive layer coupled to the semiconductor die, the conductive layer comprising a plurality of conductive pillar bumps, wherein a bump density of the plurality of conductive pillar bumps is greater than 5%, wherein the encapsulant layer is further disposed between the plurality of conductive bumps, and wherein the encapsulant layer is disposed between the plurality of conductive bumps using a mold underfill (MUF) process. A method of forming the same is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种管芯封装结构，其包括半导体管芯，设置在半导体管芯周围的密封剂层，其中半导体管芯的背侧表面被暴露，以及耦合到半导体管芯的导电层， 所述导电层包括多个导电柱状凸块，其中所述多个导电柱状凸块的凸块密度大于5％，其中所述包封层进一步设置在所述多个导电凸块之间，并且其中所述包封层设置在所述多个导电柱状凸块之间 使用模具底部填充（MUF）工艺来形成多个导电凸块。 还公开了一种形成它的方法。

公开(公告)号：WO2017024140A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/US2016/045566

申请日：2016-08-04

申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

发明人： CHANG, Randy, Li-Kai ,  PARRIS, Gene, Everad ,  CHEN, Hsiu, Mei ,  LEE, Yi-chia ,  LIU, Wen, Dar ,  CHEN, Tianniu ,  MATZ, Laura, M. ,  LO, Ryback, Li Chang ,  MENG, Ling-Jen

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/34 ,  C11D3/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05614 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047

摘要： It is disclosed a photoresist cleaning composition for stripping a photoresist pattern having a film thickness of 3-150 μm, which contains (a) quaternary ammonium hydroxide (b) a mixture of water-soluble organic solvents (c) at least one corrosion inhibitor and (d) water, and a method for treating a substrate therewith.

摘要翻译： 公开了一种用于剥离膜厚度为3-150μm的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂清洁组合物，其包含（a）季铵氢氧化物（b）水溶性有机溶剂（c），至少一种腐蚀抑制剂和 （d）水，以及用于处理基材的方法。

公开(公告)号：WO2015198838A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/JP2015/066349

申请日：2015-06-05

申请人： ソニー株式会社

发明人： 村井　誠 ,  高岡　裕二

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/12 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 　半導体チップは、チップ本体と、チップ本体の素子形成面に設けられたはんだを含む複数の電極とを有する。パッケージ基板は、基板本体と、基板本体の表面に設けられた複数の配線およびソルダレジスト層とを有し、ソルダレジスト層は、基板本体の表面および複数の配線の上に連続層として設けられると共に、複数の配線の各々の上に開口を有する。はんだを含む複数の電極は、少なくとも一つの間隔制御電極を含み、少なくとも一つの間隔制御電極は、チップ本体の側から、柱状金属層と、はんだ層とを順に有すると共に、開口の開口端の一部または全部に、柱状金属層とソルダレジスト層とが重なるオーバーラップ領域を有する。

摘要翻译： 本发明的半导体芯片包括主芯片体和设置在所述主芯片体的元件形成表面上的多个焊料包含电极。 封装基板包括：主基板主体; 以及设置在所述主基板主体的表面上的多根导线和阻焊层。 阻焊层设置为主基板主体和多根电线表面上方的连续层，并且在每个所述电线上方具有开口。 多个含焊料的电极包括一个或多个间隔控制电极。 所述间隔控制电极中的每一个包括柱状金属层和焊料层，从相应于主芯片主体的一侧开始，并且在开口的全部或部分开口端具有重叠区域， 柱状金属层与上述阻焊层重叠。

公开(公告)号：WO2015175557A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030413

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/22 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模制形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 在一些实施例中，焊料连接（210）还可以通过焊膏印刷和/或焊球喷射放置形成在电介质层（2210）（可光成像的聚合物或无机）中的开口（2220）中，然后回流以使焊料 沉入开口（2220）的底部，可能重复该过程并可能在不同步骤中使用不同的焊料。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如，集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板 ），其上晶片（HOB）被倒装连接。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以彼此不同，特别是在高度上可以不同，其可用于将结构（HOB）与不同高度的柱（1240）连接或用于附接两个结构（HOB，HOC） 在阶梯形状的电介质层的情况下，结构（HOC）中的一个可能被放置得高于其他结构（HOB）。 在一些实施例中，可以在结合到结构（HOB，HOC）之后去除结构（HOA），并且可以形成再分布层（3210），以提供将焊接连接（210）连接到接触焊盘的连接线（3220） 120R），并且可能在焊料连接（210）和/或接触焊盘（120R）之间互连。

公开(公告)号：WO2015159579A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/JP2015/054123

申请日：2015-02-16

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 吉田　基 ,  遠藤　加寿代 ,  藤田　淳 ,  岡部　博明 ,  須賀原　和之

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 　本発明は、高温動作においてもＣｕ配線の酸化を抑制する半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、主面を有する基板１と、基板１の主面の側に選択的に形成されたＣｕ電極８と、Ｃｕ電極８の上面にその端部を除いて形成された酸化防止膜１４と、基板１の主面上に形成され、Ｃｕ電極８の側面および上面の端部を覆う有機樹脂膜１０と、有機樹脂膜１０と基板１の主面との間、並びに有機樹脂膜１０とＣｕ電極８の側面および上面の端部との間に、両者に接して形成される拡散防止膜１１と、を備える。

摘要翻译： 本发明的目的在于提供即使在高温运转时也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。 根据本发明的半导体器件具有：具有主表面的衬底（1）; 选择性地形成在基板（1）的主表面侧上的Cu电极（8）; 除了上表面的边缘部分之外，形成在Cu电极（8）的上表面上的防氧化膜（14） 形成在基板（1）的主面上并覆盖Cu电极（8）的上表面的侧面和边缘部分的有机树脂膜（10）; 和形成在所述有机树脂膜（10）和所述基板（1）的主面之间且所述有机树脂膜（10）与所述侧面和所述上表面的边缘部分之间的扩散防止膜（11） 的铜电极（8）的上表面的侧面和边缘部分与所述有机树脂膜（10）接触。

公开(公告)号：WO2014203807A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/JP2014/065687

申请日：2014-06-13

申请人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  辻 大輔

发明人： 辻　大輔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 　本発明の半導体装置は、それぞれが複数のバンプ電極を有する複数の半導体チップが積層され、前記複数の半導体チップは、それぞれの側面に形成された認識部を備え、前記半導体チップのそれぞれにおいて、前記複数のバンプ電極は同様に配置され、前記認識部は、前記複数のバンプ電極のうち、特定の箇所に設けられた基準とされるバンプ電極との位置関係が等しくなるように形成され、前記複数の半導体チップは、それぞれに設けられたバンプ電極が半導体チップの積層順に電気的に接続されるとともに、前記認識部が形成された側面が同じ方向を向くように積層されている。

摘要翻译： 该半导体装置通过堆叠多个半导体芯片形成，每个半导体芯片具有多个凸起电极，多个半导体芯片中的每一个设置有形成在各个侧面上的识别部。 每个半导体芯片对于其多个凸起电极具有类似的布置，并且每个识别部分形成为使得与设置在各个凸起电极中的特定位置处的各个基准凸块电极的位置关系在每个半导体中是相同的 芯片。 多个半导体芯片被堆叠，使得其上设置的突起电极以半导体芯片堆叠的顺序电连接，而其上形成有识别部分的侧面朝向相同的方向。

公开(公告)号：WO2014098174A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/JP2013/084042

申请日：2013-12-19

申请人： 株式会社新川

发明人： 瀬山　耕平

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/00 ,  B23K37/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75801 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 　ベース（１２）とボンディングステージ（２０）と、ベース（１２）に取り付けられ、ボンディングステージ（２０）の下面（２２）に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構（３０）と、ベース（１２）とボンディングステージ（２０）を接続する板ばね機構（４０）と、を備え、板ばね機構（４０）は、ボンディングステージ（２０）の表面（２１）に沿ったＸ軸の方向と、Ｘ軸と直交するＹ軸の方向とについてのベース（１２）に対するボンディングステージ（２０）の相対移動を拘束し、且つ、ベース（１２）に対するボンディングステージ（２０）のＸ軸周りの第一の捩りと、Ｙ軸周りの第二の捩りと、ベース（１２）に対するボンディングステージ（２０）の上下方向の移動とを許容する。これにより、フリップチップボンダにおいて、ボンディング品質の向上と高速化を図る。

摘要翻译： 本发明提供有：基座（12）; 接合台（20）; 多个垂直位置调整支撑机构（30），用于分别在垂直方向上支撑设置在接合台（20）的下表面（22）的多个支撑点，并且调节每个支撑件 点，垂直位置调节支撑机构（30）安装在基座（12）上; 以及用于连接基座（12）和接合台（20）的板簧机构（40）。 板簧机构（40）在与接合台（20）的表面（21）对准的X轴方向和Y轴方向上抑制接合台（20）相对于基座（12）的移动 并且允许接合台（20）围绕X轴相对于基座（12）的第一次扭转，以及接合台（20）围绕Y轴的第二次扭转， 以及接合台（20）相对于基座（12）的垂直运动。 因此，在倒装芯片接合机中可以获得接合质量的提高和速度的提高。

公开(公告)号：WO2014091836A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/JP2013/079844

申请日：2013-11-05

申请人： オリンパス株式会社

发明人： 齊藤　晴久

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08135 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体装置の製造方法は、回路と、前記回路に電気的に接続された電極とを有する複数のウェハが積層されたウェハ積層体を形成するウェハ積層体形成工程と、前記ウェハ積層体をダイシングするダイシング工程とを有する。前記ウェハ積層体形成工程は、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも高い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第１のウェハを形成する第１のウェハ形成工程と、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも低い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第２の穴部を形成し、前記第２の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第２のウェハを形成する第２のウェハ形成工程を有する。

摘要翻译： 这种半导体器件制造方法包括用于形成包括多个层压晶片的晶片层压体形成步骤的晶片层压体形成步骤，该层叠晶片包括电路和电连接到该电路的电极，以及用于切割晶片层叠体的切割步骤。 晶片层叠体形成步骤包括：第一晶片形成步骤，其中通过形成覆盖多个电路并在高于树脂膜的玻璃化转变温度的温度下加热的树脂膜形成第一晶片，形成延伸的第一孔 从树脂膜的表面到电路的布线，并且在第一孔中提供与布线电连接的电极; 以及第二晶片形成步骤，其中通过形成覆盖所述多个电路并在低于所述树脂膜的玻璃化转变点的温度下加热的树脂膜形成第二晶片，形成从所述树脂的表面延伸的第二孔 电路到电路的布线，并且在第二孔中提供电连接到布线的电极。

公开(公告)号：WO2014088966A2

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly includes a first substrate having a surface and a first conductive element and a second substrate having a surface and a second conductive element. The assembly further includes an electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements. First and second materials of the alloy mass each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.

摘要翻译： 微电子组件包括具有表面和第一导电元件的第一基板和具有表面和第二导电元件的第二基板。 组件还包括连接到第一和第二导电元件的导电合金块。 合金质量的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到朝向第二导电元件的相对较低的量，并且第二材料的浓度在浓度上从相对较高的量在 朝向第二导电元件朝向第一导电元件朝向相对较小的量设置的位置。

公开(公告)号：WO2014074933A2

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/US2013069319

申请日：2013-11-08

申请人： INVENSAS CORP

发明人： HABA BELGACEM ,  MCELREA SIMON

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L23/373 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly may include a microelectronic element having a surface and a plurality of contacts at the surface; a first element consisting essentially of at least one of semiconductor or dielectric material, the first element having a surface facing the surface of the microelectronic element and a plurality of first element contacts at the surface of the first element; electrically conductive masses each joining a contact of the plurality of contacts of the microelectronic element with a respective first element contact of the plurality of first element contacts; a thermally and electrically conductive material layer between the surface of the microelectronic element and the surface of the first element and adjacent conductive masses of the conductive masses; and an electrically insulating coating electrically insulating the conductive masses and the surfaces of the microelectronic element and the first element from the thermally and electrically conductive material layer.

摘要翻译： 微电子组件可以包括具有表面和在表面处的多个触点的微电子元件; 第一元件，其基本上由半导体或电介质材料中的至少一种组成，所述第一元件具有面向所述微电子元件的表面的表面和在所述第一元件的所述表面处的多个第一元件触点; 导电块，每个导电块将所述微电子元件的所述多个触点的触点与所述多个第一元件触点中的相应的第一元件触点连接; 在微电子元件的表面与第一元件的表面和导电块的相邻导电块之间的导热和导电材料层; 以及使导电块和微电子元件以及第一元件的表面与导热导电材料层电绝缘的电绝缘涂层。