公开(公告)号：WO2013140094A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/FR2013/050598

申请日：2013-03-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  MERMOZ, Sébastien ,  SANCHEZ, Loïc

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (32, 50) sur un support (19, 43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément (10) sur le support (19, 43) ainsi qu'un dispositif correpondant. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support (19, 43), une couche (28, 48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement (30, 44) du plot d'assemblage (32, 50), la couche (28, 48) ayant une épaisseur supérieure à 10 nm; et (b) exposer la couche (28, 48) et l'emplacement (30, 44) à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage (32, 50) audit emplacement (30, 44), une goutte de liquide (16) ayant un angle de contact statique sur le plot d'assemblage (32, 50) inférieur ou égal à 15°, la goutte de liquide (16) ayant, après l'étape (b), un angle de contact statique sur la couche (28, 48) supérieur ou égal à 100°.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在支撑件（19,43）上制造至少一个衬垫组件（32,50）的方法，所述衬垫组件旨在实现用于自组装支撑件（19,43）上的至少一个元件（10）的方法 ）和相应的设备。 制造方法包括以下连续步骤：（a）在支撑件（19,43）上形成围绕垫组件（32,44）的位置（30,44）的至少一种氟化材料的层（28,48） ，50），所述层（28,48）具有大于10nm的厚度; 和（b）在存在臭氧的情况下将层（28,48）和位置（30,44）暴露于紫外线处理，以在所述位置（30,44）处形成焊盘组件（32,50） 在所述焊盘组件（32,50）上具有小于或等于15°的静态接触角的液体（16）在步骤（b）之后具有在所述层上的静态接触角的液体（16） 28，48）大于或等于100°。

公开(公告)号：WO2012029381A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/JP2011/064231

申请日：2011-06-22

Applicant: シャープ株式会社 ,  柴田 晃秀 ,  根岸 哲 ,  小宮 健治 ,  矢追 善史 ,  塩見 竹史 ,  岩田 浩 ,  高橋 明

Inventor： 柴田　晃秀 ,  根岸　哲 ,  小宮　健治 ,  矢追　善史 ,  塩見　竹史 ,  岩田　浩 ,  高橋　明

IPC: H01L33/24 ,  F21S2/00 ,  G02F1/13357 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/20 ,  G02F1/133603 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1848 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15788 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 　この発光素子(１００)は、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)と、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)を覆うｐ型ＧａＮ半導体層(１２３)とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)は棒状半導体(１２１)にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。

Abstract translation: 该发光元件（100）包括：n型GaN半导体基底（113）; 多个n型GaN棒状半导体（121），其以垂直状态形成在n型GaN半导体基底（113）的顶部，并且间隔地相互分离; 和覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。 通过增加向棒状半导体（121）提供n形的杂质的量，可以容易地降低n型GaN棒状半导体（121）的电阻。 因此，抑制了n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增加，并且可以使半导体从n型GaN棒状半导体的基极到其尖端均匀地发光，甚至 如果n型GaN棒状半导体（121）的长度增加。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2012008253A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/JP2011/063558

申请日：2011-06-14

Applicant: シャープ株式会社 ,  柴田 晃秀 ,  根岸 哲 ,  小宮 健治 ,  矢追 善史 ,  塩見 竹史 ,  岩田 浩 ,  高橋 明

Inventor： 柴田　晃秀 ,  根岸　哲 ,  小宮　健治 ,  矢追　善史 ,  塩見　竹史 ,  岩田　浩 ,  高橋　明

IPC: H01L33/48 ,  G02F1/167 ,  G02F1/19 ,  G09F9/33

CPC classification number: C25D13/00 ,  H01L21/479 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/75655 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 　この微細な物体の配置方法は、基板準備工程で、第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)とが対向する場所で微細な物体(１２０)が配置される位置が規定される基板(１１０)を準備し、流体導入工程で、流体(１２１)を基板(１１０)上に導入する。流体(１２１)は、複数の微細な物体(１２０)を含む。微細な物体(１２０)は、誘電体で作製した表側層(１３０)と半導体で作製した裏側層(１３１)を配向構造として持つダイオード素子である。そして、微細物体配置工程で、第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)との間に交流電圧を印加することにより、微細な物体(１２０)を誘電泳動で第１の電極(１１１)と第２の電極(１１２)とが対向する場所(Ａ)で予め定められた位置、かつ表側層(１３０)を上向きに配置する。

Abstract translation: 本发明提供一种微细物体的配置方法，其特征在于，在基板准备工序中准备基板（110），所述基板具有指定的位置，在所述基板的第一电极（111）和 第二电极（112）彼此面对，并且在流体引入步骤中，流体（121）被引入到基板（110）上。 流体（121）包含多个细小物体（120）。 精细物体（120）是二极管元件，每个元件具有作为对准结构的由电介质材料构成的前侧层（130）和由半导体构成的后侧层（131）。 在微细物体配置步骤中，通过在第一电极（111）和第二电极（112）之间施加交流电压，通过介电电泳设置每个微细物体（120），其中前侧层（130）朝上 在第一电极（111）和第二电极（112）彼此面对的区域（A）中的预先确定的位置处。

公开(公告)号：WO2017021231A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/067827

申请日：2016-07-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： FOURNEL, Frank ,  BAILLIN, Xavier ,  CHERAMY, Séverine ,  LEDUC, Patrick ,  SANCHEZ, Loic

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442

Abstract: Procédé de collage direct d'une puce électronique (100) sur un substrat (102) ou sur une autre puce électronique, comportant les étapes de : - traitement hydrophile d'une partie (105) d'une face de la puce électronique et d'une partie (110) d'une face (108) du substrat ou de l'autre puce électronique; - dépôt d'un fluide aqueux (112) sur la partie de la face du substrat ou de la deuxième puce électronique; - dépôt de la partie de la face de la puce électronique sur le fluide aqueux; - séchage du fluide aqueux jusqu'à une solidarisation de la partie de la face de la puce électronique avec la partie de la face du substrat ou de l'autre puce électronique; et comportant en outre, pendant au moins une partie du séchage du fluide aqueux, une émission d'ultrasons dans le fluide aqueux à travers le substrat ou l'autre puce électronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将电子芯片（100）直接接合到基板（102）或另一电子芯片上的方法，所述方法包括以下步骤：对表面的一部分（105）进行亲水处理 所述电子芯片和所述基板或所述另一个电子芯片的表面（108）的一部分（110） 将水性流体（112）沉积在所述基底或所述第二电子芯片的所述表面的所述部分上; 将所述电子芯片的所述表面的所述部分沉积在所述水性流体上; 干燥含水流体直到电子芯片的表面部分刚性地连接到基板或另一个电子芯片表面的部分; 所述方法还在水性流体的至少部分干燥过程中还包括通过基底或其它电子芯片将超声发射到水性流体中。

公开(公告)号：WO2011132630A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/JP2011/059498

申请日：2011-04-18

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  野田 英之 ,  宇佐美 光雄 ,  寺崎 聡史

Inventor： 野田　英之 ,  宇佐美　光雄 ,  寺崎　聡史

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC classification number: G06K19/07745 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/80085 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80411 ,  H01L2224/80439 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80455 ,  H01L2224/80466 ,  H01L2224/83085 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 　経済性を重視するためには、ＩＣチップの小型化が必要である。しかし、ＩＣチップの小型化に伴い、要求される位置決めに精度が高くなり、位置決め装置のコストが高くなる。半導体基板より大きいサイズに生成された液滴を半導体搭載基板上に付着し、当該液滴上に半導体基板を付着させることにより半導体装置を製造する。液滴に付着された半導体基板は、液滴の蒸発と共に親水領域に誘導され、自己整合的に位置決めされる。

Abstract translation: 为了强调经济性，IC芯片需要减小。 然而，随着IC芯片的尺寸减小，所需的定位精度增加，从而增加了定位装置成本。 在所公开的制造方法中，如下制造半导体器件：将大于半导体衬底的液滴粘附到半导体安装衬底，然后将半导体衬底粘附到所述液滴。 当液滴蒸发时，粘附到其上的半导体衬底被拉伸到亲水区域并且以自对准的方式定位。

公开(公告)号：WO2009124921A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/EP2009/054115

申请日：2009-04-07

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: L' invention concerne un procédé de formation, en surface d'un substrat (2), d'au moins une zone d'attache hydrophile (12) en vue d'un auto-assemblage d'un composant ou d'une puce (3), dans lequel on réalise une zone hydrophobe (20), qui délimite ladite zone d'attache hydrophile.

Abstract translation: 本发明涉及一种在基材（2）的表面上形成至少一个亲水附着区（12），用于自组装组件或芯片（3）的方法，其中疏水区（ 20），其限定所述亲水性附着区。