ボンディング装置および半導体装置の製造方法
    4.
    发明申请
    ボンディング装置および半導体装置の製造方法 审中-公开
    用于制造半导体器件的接合装置和方法

    公开(公告)号:WO2013187292A1

    公开(公告)日:2013-12-19

    申请号:PCT/JP2013/065575

    申请日:2013-06-05

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要:  第一の貫通電極が設けられる第一の層の半導体チップ(20)の上に第一の貫通電極に対応する位置に第二の貫通電極が設けられる第二の層の半導体チップ(30)を積層ボンディングするフリップチップボンディング装置(500)において、半導体チップ(20),(30)の画像を撮像する二視野カメラ(16)と、制御部(50)と、を備え、制御部(50)は、積層ボンディングする前に二視野カメラ(16)によって撮像した第一の層の半導体チップ(20)の表面の第一の貫通電極の画像と、積層ボンディングした後に二視野カメラ(16)によって撮像した第二の層の半導体チップ(30)の表面の第二の貫通電極の画像とに基づいて積層ボンディングされた各層の半導体チップ(20),(30)の相対位置を検出する相対位置検出プログラム(53)を備える。これにより、簡便な方法で貫通電極を精度よく接続する。

    摘要翻译: 一种用于将其上设置有第二通电极的第二层半导体芯片(30)层压到第一层半导体芯片(20)的倒装焊接装置(500),第一通孔是第一通孔 设置在与所述第一贯通电极相对应的位置处,并配备有控制单元(50)和用于捕获所述半导体芯片(20,30)的图像的双视摄像机(16),其中,所述控制单元 )设置有相对位置检测程序(53),用于基于第一通孔的图像在第一通孔的表面上检测层结合层中的半导体芯片(20,30)的相对位置 在层结合之前由双视摄影机(16)拍摄的第一层半导体芯片(20)和第二层通过电极在第二层半导体芯片(30)的表面上被双重捕获的图像 -view相机(16)后进行层间粘接。 因此,通过使用简单的方法能够精确地连接电极。

    実装装置及びそのオフセット量補正方法
    10.
    发明申请
    実装装置及びそのオフセット量補正方法 审中-公开
    安装设备和偏移量校正方法

    公开(公告)号:WO2015119274A1

    公开(公告)日:2015-08-13

    申请号:PCT/JP2015/053534

    申请日:2015-02-09

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要:  上下二視野カメラ20によって基準用チップ12の上面の画像と補正用チップ13の下面の画像と取得して各チップ12,13の各位置を計算する第1のチップ位置計算工程と、各チップの各位置から計算した各チップ間のズレ量に基づいて各チップ間の離間距離が所定のオフセット量となる位置に基準用チップを移動させた後、補正用チップ13を吸着ステージ11に載置する第2のチップ移動工程と、補正用チップ13の上面の画像を取得して補正用チップ13の第2位置を計算する第2のチップ位置計算工程と、基準用チップの位置と補正用チップの第2位置とに基づいて所定のオフセット量の補正量を計算する補正量計算工程と、を含む。これにより、実装位置の経時的な位置ズレを抑制し実装品質の向上を図る。

    摘要翻译: 本发明包括:第一芯片位置计算步骤,其中通过使用上/下双视点相机(20)获取参考芯片的顶表面的图像来计算芯片(12,13)的位置, (12)和校正芯片(13)的底面的图像; 基于从芯片的位置计算出的芯片之间的偏差量,将参考芯片移动到使得芯片之间的间隔距离达到规定的偏移量的位置的第二芯片移动步骤 ,然后将校正芯片(13)安装在吸附台(11)上; 第二芯片位置计算步骤,其中通过获取校正芯片(13)的顶表面的图像来计算校正芯片(13)的第二位置; 以及校正量计算步骤,其中基于所述参考芯片的位置和所述校正芯片的所述第二位置来计算用于规定的偏移量的校正量。 由此,可以抑制安装位置随时间的位置偏差,实现安装质量的提高。