公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN108122769A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710718888.6

申请日：2017-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈佳政 ,  詹佳玲 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  高琬贻 ,  王立廷 ,  聂俊峰

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 提供鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。

公开(公告)号：CN107871711A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710676088.2

申请日：2017-08-09

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 岛本聪 ,  森谷敦

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/3115 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10844

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，提供能抑制半导体器件的特性不均的技术。为实现上述目的，半导体器件的制造方法具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成所述调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。

公开(公告)号：CN103377881B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310141578.4

申请日：2013-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 马蒂亚斯·施特歇尔 ,  安雅·吉西博尔 ,  马库斯·梅娜斯 ,  安德烈亚斯·藏克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/322 ,  H01L21/44 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了制造导线的方法，更具体地讲，公开了制造半导体组件的圆形导线的方法。在该方法中，提供部分完成的半导体组件。所述部分完成的半导体组件具有底面和顶面，所述顶面在垂直方向上与所述底面远距离间隔。还提供蚀刻剂。在所述顶面上设置介电层。所述介电层具有当利用所述蚀刻剂蚀刻时呈现不同蚀刻速率的至少两个不同的区域。随后，在所述介电层中形成沟槽，使得所述沟槽横穿所述不同的区域中的每个区域。然后，通过利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速率蚀刻沟槽来加宽该沟槽。通过用导电材料填充加宽的沟槽，形成导线。

公开(公告)号：CN101770943B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200910146987.7

申请日：2009-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/335 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/66795

摘要： 在一些实施例中，在感应等离子体腔体内对半导体晶片掺杂的方法包括：在感应等离子体腔体内产生具有相对于地电位的第一电压的等离子体，以及在感应等离子体腔体内对基座电极施加相对于地电位的射频(RF)电压。该正RF电压为基于所述等离子体的第一电压。

公开(公告)号：CN101681836B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880017976.2

申请日：2008-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐野正树 ,  石塚修一

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/3143 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115

摘要： 本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。

公开(公告)号：CN101770943A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910146987.7

申请日：2009-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/335 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/66795

摘要： 在一些实施例中，在感应等离子体腔体内对半导体晶片掺杂的方法包括：在感应等离子体腔体内产生具有相对于地电位的第一电压的等离子体，以及在感应等离子体腔体内对基座电极施加相对于地电位的射频(RF)电压。该正RF电压为基于所述等离子体的第一电压。

公开(公告)号：CN101681833A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN100568462C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN101388359A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC分类号： H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

摘要： 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。