公开(公告)号：CN104091807B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201410276903.2

申请日：2014-06-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 王骁

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32133 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78636

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决像素电极与漏极搭接后容易形成断层的问题。所述阵列基板包括：位于衬底基板上的栅极、有源层、源极和漏极，位于所述漏极上方与所述漏极搭接的像素电极，该像素电极上与漏极搭接的区域为像素电极的搭接部；还包括位于所述像素电极下方且与所述漏极接触的第一绝缘层，所述第一绝缘层沿着从所述搭接部的边缘向远离所述搭接部的方向延伸，所述第一绝缘层上露出待与所述搭接部相接触的漏极，所述第一绝缘层上表面所在的平面低于所述漏极上表面所在的平面。

公开(公告)号：CN105551954A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610055250.4

申请日：2016-01-27

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 封铁柱

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/3205

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法，首先在真空反应腔体中，只通入少量四氯化钛气体，在一定高温和等离子的共同作用下，将四氯化钛分解成氯离子，氯离子在辅助气体的作用下，清除半导体结构表面的氧化物，反应副产物依靠气泵的作用下抽出反应腔体；而后，继续通入四氯化钛气体和氨气，在高温和等离子体的共同作用下，反应生成所需要氮化钛薄膜。即采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。

公开(公告)号：CN102856175B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210352952.0

申请日：2012-09-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。

公开(公告)号：CN103325789A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210559085.8

申请日：2012-12-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陆湘台 ,  林志贤

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C16/02

CPC分类号： H01L27/11521 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/225 ,  G11C29/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3205 ,  H01L22/14 ,  H01L27/11558

摘要： 本发明涉及非易失性半导体存储器的UV编程系统和方法，半导体存储器存储器件包括设置在半导体衬底中的第一掺杂类型的第一和第二掺杂区域。第一类型的第一和第二掺杂区域彼此横向隔开。栅极电介质在第一和第二掺杂区域之间的半导体衬底的上方延伸，并且浮栅设置在栅极电介质上。紫外线(UV)光阻隔材料垂直设置在浮栅之上并具有覆盖浮栅的大小，使得在半导体存储器器件暴露于UV光之后浮栅保持充电。

公开(公告)号：CN102856175A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210352952.0

申请日：2012-09-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。

公开(公告)号：CN1575102A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045309.9

申请日：2004-05-21

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 平井利充

IPC分类号： H05K3/12

CPC分类号： H05K3/1258 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76838 ,  H05K3/125 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2203/1173

摘要： 一种薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备，该薄膜图形形成方法，通过在基板(P)上配置功能液而形成薄膜图形，其特征在于，具有：在所述基板(P)上突出设置与所述薄膜图形对应的围堰(B)的围堰形成工序(S1)；在所述围堰(B)上通过四氟化碳等离子处理而赋予疏液性的疏液化处理工序(S3)；在赋予所述疏液性的所述围堰(B)之间配置所述功能液的材料配置工序(S4)。因此，能够良好地实现细线化。

公开(公告)号：CN108140577B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201680055999.7

申请日：2016-02-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 出口善宣 ,  渡边彰信

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体器件具有半导体衬底(SB)和形成在半导体衬底(SB)的主面上的布线构造。布线构造所包含的多个布线层中的最上方的第1布线层包含焊盘(PD)，焊盘(PD)具有用于接合铜导线的第1区域、和用于使探针接触的第2区域。布线构造所包含的多个布线层中的比第1布线层低一层的第2布线层包含配置在焊盘(PD)的正下方的布线(M6)，布线(M6)配置在焊盘(PD)的第1区域以外的区域的正下方，在焊盘(PD)的第1区域的正下方，没有形成与布线(M6)同层的导体图案。

公开(公告)号：CN109417085A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780042242.9

申请日：2017-07-20

申请人： 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

发明人： 广濑遥平 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  茂木英昭 ,  坂东雅史 ,  榎修

IPC分类号： H01L27/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L51/42 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L31/10 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/008 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/4273 ,  H04N5/369 ,  Y02E10/549

摘要： 根据本发明的实施例的第一固态摄像元件设置有：下电极；上电极，其与下电极相对设置；光电转换层，其设置在下电极与上电极之间，并含有第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在上电极与光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度在0体积％以上且0.05体积％以下。

公开(公告)号：CN108807208A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810383978.9

申请日：2013-03-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 船矢琢央 ,  五十岚孝行

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01015

摘要： 公开了一种半导体装置。在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

公开(公告)号：CN108780747A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019215.X

申请日：2017-03-16

申请人： 株式会社ADEKA

发明人： 大宫大辅 ,  青木珠美

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

摘要： 一种蚀刻液组合物，其即使不含有氯化氢，也对于能形成下述细线的氧化铟系层的蚀刻有用，所述细线由蚀刻导致的变细宽度少、直线性良好且具有期望的宽度，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)(C-1)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％、或(C-2)氨基酸化合物0.01～20质量％；及水。