公开(公告)号：CN108511426B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201711289180.X

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希 ,  史朝文 ,  吴凯强 ,  张守仁

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/52

Abstract: 一种实施例封装包括：集成电路管芯，包封在包封体中；贴片式天线，位于所述集成电路管芯之上；以及介电特征，设置在所述集成电路管芯与所述贴片式天线之间。所述贴片式天线在俯视图中与所述集成电路管芯交叠。所述介电特征的厚度是根据所述贴片式天线的工作带宽。

公开(公告)号：CN114725073A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210312302.7

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN109273433A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710771489.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。

公开(公告)号：CN108122872A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710777057.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  谢佑生 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  B81C99/005 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/091

Abstract: 本揭示提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包含：感测元件，其经配置以从感测目标接收信号；模塑物，其环绕所述感测元件；贯穿通路，其位于所述模塑物中；前侧重布层，其放置于所述感测元件的前侧处且电连接到所述前侧；及后侧重布层，其放置于所述感测元件的后侧处，所述前侧重布层及所述后侧重布层由所述贯穿通路电连接。本揭示还提供一种用于制造本文中所阐述的所述半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN107689351A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610999383.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  吴凱强 ,  陈颉彦 ,  王彦评 ,  张守仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/16

Abstract: 一种封装结构，包含封装、至少一第一模制材料与至少一第二半导体元件。封装包含至少一第一半导体元件于其中，封装具有顶表面。第一模制材料位于封装的顶表面，并具有至少一开口于其中。封装的顶表面的至少一区域被第一模制材料的开口所暴露。第二半导体元件位于封装的顶表面，并被第一模制材料所模制。

公开(公告)号：CN107437536A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610895679.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  万厚德 ,  谢佑生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/04 ,  H01Q21/065 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381

Abstract: 揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。

公开(公告)号：CN106992160A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611187390.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  汤子君 ,  吕俊麟 ,  陈韦廷 ,  陈颉彦 ,  张守仁 ,  吴凯强

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/66 ,  H01L21/98 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/18 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L23/3135 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明的实施例公开了封装的半导体器件以及封装半导体器件的方法。在一些实施例中，封装的半导体器件包括集成电路管芯、设置在集成电路管芯周围的第一模制材料以及设置在第一模制材料内的通孔。再分布层(RDL)的第一侧连接至集成电路管芯、通孔以及第一模制材料。第二模制材料设置在RDL的第二侧上方，RDL的第二侧与RDL的第一侧相对。该封装的半导体器件包括在第二模制材料上方的天线。

公开(公告)号：CN106486442A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610061363.5

申请日：2016-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤子君 ,  张守仁 ,  陈韦廷 ,  林胤藏 ,  陈颉彦 ,  王垂堂 ,  吴凯强 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/60

Abstract: 一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合物层的模塑件，其中，密封环配置为接地。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103456736A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210553820.4

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  张志豪 ,  张守仁 ,  柯志欣 ,  奧野泰利 ,  巫凯雄

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L29/6656 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件和用于制作半导体器件的方法。一种示例性半导体器件包括包含有源区域的半导体衬底，有源区域包括多个器件区域。半导体衬底还包括：第一器件，设置于多个器件区域中的第一器件区域中，第一器件包括第一栅极结构、在第一栅极结构的侧壁上设置的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件。半导体衬底还包括：第二器件，设置于多个器件区域中的第二器件区域中，第二器件包括第二栅极结构、在第二栅极结构的侧壁上设置的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。第二和第一源极和漏极部件具有公共的源极和漏极部件以及接触部件。共同接触部件是自对准接触件。

公开(公告)号：CN114743887A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210393961.8

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  庄南卿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括至少一个管芯、天线元件以及至少一个层间穿孔。所述天线元件位于所述至少一个管芯上。所述至少一个层间穿孔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述天线元件经由所述至少一个层间穿孔电连接到所述至少一个管芯。