公开(公告)号：CN105987957A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510860140.0

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雨青 ,  余青芳 ,  林俊宏 ,  秦圣基 ,  许庭豪 ,  张庆祥

IPC: G01N29/12

CPC classification number: G03F1/84 ,  G03F1/62 ,  G01N29/12

Abstract: 检测系统以及检测方法。一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。

公开(公告)号：CN103107152B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。

公开(公告)号：CN102737960B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210032012.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游智任 ,  林俊宏 ,  钟学易 ,  滕立功 ,  张克文

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G06F17/50 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625

Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括：提供通过光刻工具处理的现有晶圆；从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆，先前通过光刻工具处理该处理的晶圆，选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点；通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模；在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局；使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图；以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光，从而在现有晶圆上形成新芯片设计。

公开(公告)号：CN103107152A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。

公开(公告)号：CN101261285A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710106561.X

申请日：2007-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玮仓 ,  林俊宏 ,  陈聪贤

IPC: G01R1/06 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2891

Abstract: 本发明公开了自动管理探针记号偏移的系统和方法。由测试数据确定在一晶片上的一晶粒是否有缺陷。于该晶片上执行一探针记号确认，以确定一探针记号是否偏移。对应于偏移的该探针记号执行一必须的恢复动作。在该探针记号确认中，从该测试数据中选取多个探针记号位置。并确定该多个探针记号位置中是否有至少一个违反一工程规则。

公开(公告)号：CN100349282C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510076835.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  黄鸿仪 ,  范彧达

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，具体为在氮气或其它厌氧气体中，对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火，或是在室温下作长时间退火。还有一种改善方式是将晶种层暴露于具有表面活性剂与化学成分的溶液中，将污染物溶解。晶种层的沉积可调整成一种更适合电镀的表面型态，而后续对晶种层的表面处理，可改善镀覆其上铜金属层的品质。

公开(公告)号：CN1767169A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510076835.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  黄鸿仪 ,  范彧达

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，具体为在氮气或其它厌氧气体中，对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火，或是在室温下作长时间退火。还有一种改善方式是将晶种层暴露于具有表面活性剂与化学成分的溶液中，将污染物溶解。晶种层的沉积可调整成一种更适合电镀的表面型态，而后续对晶种层的表面处理，可改善镀覆其上铜金属层的品质。

公开(公告)号：CN1661770A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410097842.X

申请日：2004-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  刘晓强 ,  滕立功 ,  廖启宏 ,  谢汉铭 ,  宋易偿 ,  蒋欣俊

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G03F9/7026 ,  G01N2021/8416 ,  G03F7/70533

Abstract: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统，其使用一水平感测装置，通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形，来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移，聚焦点偏移对应于一高度，此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着，转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点，以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后，在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片，此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点，仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。