公开(公告)号：CN104637938B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410120740.9

申请日：2014-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东村 ,  黄睿政 ,  温清华 ,  郑钧文 ,  刘怡劭

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/336 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其选择性加热，提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域，其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜，以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度，选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度，从而促进半导体器件的期望操作，诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。

公开(公告)号：CN103579114B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310173218.2

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  郑钧文 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  朱家骅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。

公开(公告)号：CN104053082B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201310686811.7

申请日：2013-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭荣辉 ,  朱家骅 ,  黄耀德 ,  卓晋逸 ,  洪丽闵 ,  郑钧文

IPC: H04R1/08

Abstract: 本发明提供一种集成麦克风结构的一个实施例。集成麦克风结构包括：图案化为第一板的第一硅衬底；形成在第一硅衬底的一侧面上的氧化硅层；第二硅衬底以及膜件，其中，第二硅衬底通过氧化硅层接合至第一衬底，从而使氧化硅层夹在第一和第二硅衬底之间，膜件固定在氧化硅层上且设置在第一和第二硅衬底之间，其中，第一板和膜件被配置为形成电容麦克风。本发明还公开了集成麦克风的结构和方法。

公开(公告)号：CN107010593A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710028585.1

申请日：2017-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  李久康

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B7/02

Abstract: 器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。

公开(公告)号：CN104045047B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310245334.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G11C11/419 ,  B81B3/0051 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00253 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0764 ,  B81C2203/0778 ,  G11C5/063 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116

Abstract: 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。

公开(公告)号：CN103803479B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310039862.0

申请日：2013-01-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘怡劭 ,  赖飞龙 ,  郑创仁 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01N27/4145 ,  B01L3/502707 ,  B01L9/527 ,  B01L2200/025 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/143 ,  B01L2300/0645 ,  G01N21/75 ,  G01N27/3271 ,  G01N27/3275 ,  G01N33/5438 ,  Y10T29/49

Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。

公开(公告)号：CN106495086A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610600300.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/12

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792 ,  G01L9/0041 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0048 ,  G01N27/123 ,  B81B7/0096 ,  B81C3/001 ,  G01N27/00 ,  G01N27/128

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN104045050B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310359584.7

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。

公开(公告)号：CN104045048B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410093116.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/00 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN104051385A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310376915.8

申请日：2013-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种堆叠式半导体结构及其形成方法。堆叠式半导体结构包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸至深度D处。活动结构设置在第二衬底的正面上方并悬置在腔上方。活动结构包括介电膜、位于介电膜上方的金属单元和位于金属单元上方的覆盖介电层。第二接合部件位于覆盖介电层上方并接合至第一接合部件。第二接合部件延伸穿过覆盖介电层并电连接至金属单元。