超声波处理装置以及超声波处理方法

    公开(公告)号:CN112108453A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010556783.7

    申请日:2020-06-17

    Abstract: 本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法,能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置,用于对被处理物进行超声波处理,包含:处理槽,其装入第1液体;流路,其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触,并且流过被处理物以及第2液体;以及超声波谐振器,其被设置于所述处理槽,所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次,该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5%以内。

    安装结构体
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102281751B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201110138310.6

    申请日:2011-05-18

    Abstract: 本发明公开的安装结构体在利用SMT方式制作安装结构体时,抑制助焊剂的过热所引起的焊料流动,抑制焊球的产生。安装结构体(18)包括具有至少设置了一个电极缺口部(12)的基板电极(11)和抗蚀层(13)的绝缘基板(10)、具有与基板电极进行电接合的电子元器件电极(16)的电子元器件(15)、以及配置在基板电极的表面上以用于基板电极和电子元器件电极的焊料接合的焊料糊料(17),在设电极缺口部的宽度为h、深度为x时,电极缺口部(12)具有0<h(μm)≤x(μm)+75(μm)的关系,电极缺口部(12)形成为从位于电子元器件电极的下方的、基板电极的区域(100)的端部或基板电极的区域(100)的内侧到基板电极的外周侧面,电极缺口部(12)未到达位于电子元器件的下方的、基板电极的外周侧面。

    焊锡材料及电子部件接合体

    公开(公告)号:CN102066044A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201080001875.3

    申请日:2010-04-19

    Abstract: 本发明提供一种显示高耐热疲劳性,能有效地降低导致制品功能停止的连接不良发生的无铅焊锡材料。一种焊锡材料,其含有1.0~4.0重量%Ag、4.0~6.0重量%In、0.1~1.0重量%Bi、总计1重量%以下(其中不包括0重量%)的选自Cu、Ni、Co、Fe及Sb中的1种以上元素,余量为Sn。使用该焊锡材料在基板(1)的含铜的电极焊盘(1a)上接合电子部件(3)的含铜的电极部(3a)时,可以在焊锡接合部形成应力缓和性优异的部分(5b),使Cu-Sn金属间化合物(5a)从电极焊盘(1a)与电极部(3a)迅速地生长,可以形成牢固的封闭结构。由此,即使在严酷的温度环境下,也可以防止龟裂的发生及伸长,可以实现高耐热疲劳特性,从而可以降低连接不良的发生。

    焊锡材料及电子部件接合体

    公开(公告)号:CN102066044B

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201080001875.3

    申请日:2010-04-19

    Abstract: 本发明提供一种显示高耐热疲劳性,能有效地降低导致制品功能停止的连接不良发生的无铅焊锡材料。一种焊锡材料,其含有1.0~4.0重量%Ag、4.0~6.0重量%In、0.1~1.0重量%Bi、总计1重量%以下(其中不包括0重量%)的选自Cu、Ni、Co、Fe及Sb中的1种以上元素,余量为Sn。使用该焊锡材料在基板(1)的含铜的电极焊盘(1a)上接合电子部件(3)的含铜的电极部(3a)时,可以在焊锡接合部形成应力缓和性优异的部分(5b),使Cu-Sn金属间化合物(5a)从电极焊盘(1a)与电极部(3a)迅速地生长,可以形成牢固的封闭结构。由此,即使在严酷的温度环境下,也可以防止龟裂的发生及伸长,可以实现高耐热疲劳特性,从而可以降低连接不良的发生。

    安装结构体
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102281751A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110138310.6

    申请日:2011-05-18

    Abstract: 本发明公开的安装结构体在利用SMT方式制作安装结构体时,抑制助焊剂的过热所引起的焊料流动,抑制焊球的产生。安装结构体(18)包括具有至少设置了一个电极缺口部(12)的基板电极(11)和抗蚀层(13)的绝缘基板(10)、具有与基板电极进行电接合的电子元器件电极(16)的电子元器件(15)、以及配置在基板电极的表面上以用于基板电极和电子元器件电极的焊料接合的焊料糊料(17),在设电极缺口部的宽度为h、深度为x时,电极缺口部(12)具有0<h(μm)≤x(μm)+75(μm)的关系,电极缺口部(12)形成为从位于电子元器件电极的下方的、基板电极的区域(100)的端部或基板电极的区域(100)的内侧到基板电极的外周侧面,电极缺口部(12)未到达位于电子元器件的下方的、基板电极的外周侧面。

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