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公开(公告)号:CN107134438A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710102855.9
申请日:2017-02-24
申请人: 商升特公司
CPC分类号: H01L24/94 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/96 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/0331 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05562 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/03 , H01L23/3121 , H01L21/563
摘要: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片,该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除,到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片,以分离半导体管芯。
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公开(公告)号:CN102696104B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201080059283.7
申请日:2010-12-21
申请人: 联合单片半导体有限公司
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/4827 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/0508 , H01L2224/051 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05644 , H01L2224/291 , H01L2224/32221 , H01L2224/83101 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要: 对于具有GaAs半导体衬底(HS)的电子构件,在该GaAs半导体衬底的正面上构造有半导体器件(BE),并且在该GaAs半导体衬底的背面设有多层的背面金属化部(RM),提出了背面金属化部的层序列的一种有利构造,尤其是背面金属化部具有Au层作为粘附层。
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公开(公告)号:CN102696104A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201080059283.7
申请日:2010-12-21
申请人: 联合单片半导体有限公司
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/4827 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/0508 , H01L2224/051 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05644 , H01L2224/291 , H01L2224/32221 , H01L2224/83101 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要: 对于具有GaAs半导体衬底(HS)的电子构件,在该GaAs半导体衬底的正面上构造有半导体器件(BE),并且在该GaAs半导体衬底的背面设有多层的背面金属化部(RM),提出了背面金属化部的层序列的一种有利构造,尤其是背面金属化部具有Au层作为粘附层。
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公开(公告)号:CN101681859B
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN200880020280.5
申请日:2008-06-13
申请人: 罗姆股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/13 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05027 , H01L2224/05541 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05561 , H01L2224/05583 , H01L2224/0569 , H01L2224/10122 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/1356 , H01L2224/16 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种可防止可靠性降低的半导体器件。所述的半导体器件包括:电极焊盘部分(2),所述电极焊盘部分形成在半导体衬底(1)的上表面上;钝化层(3),所述钝化层被形成在半导体衬底(1)的上表面上以与电极焊盘部分(2)的一部分重叠,并具有第一开口部分(3a),在所述第一开口部分处,电极焊盘部分(2)的上表面被暴露;隔离金属层(5),所述隔离金属层形成在电极焊盘部分(2)上;以及焊料隆起焊盘(6),所述焊料隆起焊盘形成在隔离金属层(5)上。隔离金属层(5)被形成为当在平面图中观看时,其外周端(5b)位于钝化层(3)的第一开口部分(3a)内。
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公开(公告)号:CN104681541B
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201410709725.8
申请日:2014-11-28
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 小山英寿
IPC分类号: H01L23/532
CPC分类号: H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034
摘要: 本发明提供一种半导体装置,其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b),在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成,以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部,与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
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公开(公告)号:CN104681541A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201410709725.8
申请日:2014-11-28
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 小山英寿
IPC分类号: H01L23/532
CPC分类号: H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034
摘要: 本发明提供一种半导体装置,其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b),在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成,以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部,与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
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公开(公告)号:CN103579099A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310328965.9
申请日:2013-07-31
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/488
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05558 , H01L2224/05561 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05655 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/381 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/01023 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01058 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 一种具有多凸点式电气互连件的半导体器件及其制造方法,所述制造半导体器件的方法可以包括:提供具有芯片焊盘的衬底;在所述衬底上形成焊料叠层,所述焊料叠层包括堆叠的至少两个焊料层和插入在所述至少两个焊料层之间的至少一个中间层。可以对所述焊料叠层进行回流焊,从而形成与所述芯片焊盘电连接的凸点叠层。所述凸点叠层可以包括堆叠的至少两个焊料凸点和插入在所述至少两个焊料凸点之间的至少一个中间层。本发明还公开了相关的结构。
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公开(公告)号:CN107134438B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201710102855.9
申请日:2017-02-24
申请人: 商升特公司
CPC分类号: H01L24/94 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/96 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/0331 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05562 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/03
摘要: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片,该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除,到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片,以分离半导体管芯。
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公开(公告)号:CN104617142B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201410610653.1
申请日:2014-11-04
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/772 , H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC分类号: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/28575 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76852 , H01L23/532 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/8083 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04042 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05188 , H01L2224/05551 , H01L2224/05561 , H01L2224/05566 , H01L2224/05599 , H01L2224/05688 , H01L2224/45099 , H01L2224/85375 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/0496 , H01L2924/01042 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 半导体器件和用于生产其的方法。半导体器件包括:具有前端面和后端面的半导体主体,其具有位于前端面处的有源区;具有前端面和指向有源区的后端面的前表面金属化层,前表面金属化层被提供在半导体主体的前端面上并电连接到有源区;以及包括非晶金属氮化物的第一阻挡层,其位于有源区和金属化层之间。此外,提供了用于生产这样的器件的方法。
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公开(公告)号:CN105280598A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201410364624.1
申请日:2014-07-29
申请人: 矽品精密工业股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/162 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05015 , H01L2224/05016 , H01L2224/05078 , H01L2224/0519 , H01L2224/05561 , H01L2224/05582 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/06132 , H01L2224/06181 , H01L2224/11825 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13671 , H01L2224/1369 , H01L2224/1401 , H01L2224/141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/0635 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体封装件及其制法,该半导体封装件包括:第一半导体装置,其具有相对的第一顶面与第一底面;多个导通球,其形成于该第一顶面;第二半导体装置,其具有相对的第二顶面与第二底面,且该第二底面为面向该第一顶面;以及多个导电柱,其形成于该第二底面,并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体装置,且该导电柱的高度小于300微米。藉此,本发明可易于控制该半导体封装件的高度,并用于具有更精细间距的导通球的半导体封装件上。
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