公开(公告)号：CN105576019A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510738310.8

申请日：2015-11-03

申请人： 德州仪器公司

发明人： 亨利·利茨曼·爱德华兹

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/735 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/067 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7302 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/06 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 本申请案涉及一种包含横向抑制二极管的双极晶体管。晶体管包含第一导电类型的射极(216a)、第二导电类型的基极(218a)、所述第一导电类型的集电极(214)及横向抑制二极管(250)的阴极(260)。所述射极安置于所述晶体管的顶部表面处且经配置以从外部源接收电流。所述基极经配置以将所述电流从所述集电极传导到所述射极。所述基极安置于所述晶体管的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间。所述集电极经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子。所述第一导电类型的所述阴极由所述基极环绕且安置于所述射极与所述集电极之间，且所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动。

公开(公告)号：CN105514103A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510632924.8

申请日：2015-09-29

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 ,  汉斯-马丁·里特

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/067 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L27/0248 ,  H01L23/60

摘要： 本公开涉及一种静电放电(ESD)保护器件。所述静电放电保护器件可以包括：半导体控制型整流器以及p-n二极管。在半导体衬底的主表面上横向一体布置所述半导体控制型整流器和所述二极管；并且所述半导体控制型整流器的电流通路与所述二极管的电流通路相分离。

公开(公告)号：CN103918085A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280051187.7

申请日：2012-10-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 山本浩贵

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L23/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/067 ,  H01L27/0722 ,  H01L27/1021 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/866 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供一种芯片二极管以及具备该芯片二极管的二极管封装件，即使对与外部电连接用的焊盘施加较大的应力，也能够防止形成在半导体层的pn结的破坏，或者抑制特性变动。芯片二极管(15)包括：外延层(21)，其形成了构成二极管元件(29)的pn结(28)；阳极电极(34)，其沿外延层(21)的表面(22)而配置，与作为pn结(28)的p侧极的二极管杂质区域(23)电连接，并且具有与外部电连接用的焊盘(37)；和阴极电极(41)，其与作为pn结(28)的n侧极的外延层(21)电连接，在芯片二极管(15)中，将焊盘(37)设置在离开了pn结(28)的正上方位置的位置。

公开(公告)号：CN108695322A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711249259.X

申请日：2017-12-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄乾燿

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/067 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/735 ,  H01L27/0922

摘要： 一种半导体装置，其包含第一传导型的第一井、位于第一井的第一传导型的第一区、位于第一井的第二传导型的多个第二区、位于第一井的第二传导型的第三区与第一阻抗负载。其中，位于第一井的第一传导型的第一区耦接至第一参考电压端子。位于第一井的第二传导型的多个第二区中，多个第二区的一区耦接至第一参考电压端子，以及该多个第二区与第一井包含在一结构内其操作为第一晶体管。第一阻抗负载耦接在第三区与第二参考电压端子之间。

公开(公告)号：CN107863342A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710706315.1

申请日：2017-08-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 前田真一

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/067 ,  H01L27/082 ,  H01L28/60 ,  H01L27/0647 ,  H01L28/40

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在具有电容元件的半导体器件中，通过减薄电容元件的电极之间的绝缘膜且增厚层间绝缘膜而避免由寄生MOSFET的产生导致的泄漏电流的增大。半导体器件具备包括：形成在电容元件区中的半导体衬底的主表面上的下电极；以及通过氮化硅膜和包括在不同于电容元件区的区域中的半导体衬底上的氧化硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜的层间绝缘膜，正好形成在下电极上的上电极。

公开(公告)号：CN103730486A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310487205.2

申请日：2013-10-18

申请人： 苏州贝克微电子有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/067

摘要： 一种横向PNP功率晶体管。适用于集成电路的大电流横向晶体管，并且是以一系列平行晶体管的形式焊接而成的。每个晶体管的发射极周围紧密环绕着与之相对的集电极，它们当中的半导体作为基极区域。平行连接的晶体管组位于中心线的两侧，并沿着中心线分布，中心线包括若干散布的穿接电阻元件。每一个晶体管组的两侧有一基极结点，该基极结点垂直于中心线延伸出去，并且由金属镀层连接至一个电阻元件上。电阻元件通过镇流装置对晶体管基极电流进行分流，由此产生合适的电流分配。因为电阻是氧化物，所以发射极和集电极金属镀层可以通过中心线区域，平行连接单个晶体管。

公开(公告)号：CN108091689A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711200350.2

申请日：2017-11-21

申请人： 安世有限公司

发明人： 斯特凡·伯格伦德 ,  森克·哈贝尼希特 ,  斯特芬·霍兰 ,  提姆·伯切尔

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/732 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L27/0658 ,  H01L27/067 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66287

摘要： 一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内且邻近主表面安置；以及集电极端子，位于半导体衬底的主表面上。该集电极端子包括：第一导电部分，电连接至集电极区域；电阻部分，电连接至第一导电部分；以及第二导电部分，用于允许与集电极端子进行外部电连接。第二导电部分经由电阻部分电连接至第一导电部分。

公开(公告)号：CN105409004A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480037778.8

申请日：2014-06-11

申请人： 剑桥微电子有限公司

发明人： V·帕蒂拉纳 ,  N·尤德戈姆波拉 ,  T·特拉伊科维奇

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L27/067 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7398

摘要： 本发明一般涉及例如在集成电路中的横向功率半导体晶体管。特别地，本发明涉及横向绝缘栅双极晶体管或其他横向双极设备例如PIN二极管。本发明还一般涉及增加横向双极功率半导体晶体管的开关速度的方法。本发明提供了横向双极功率半导体晶体管，其包括与阳极/漏极区横向间隔的第一导电型的第一悬浮半导体区和横向邻近于第一悬浮半导体区的第二导电型的第二悬浮半导体区，以及设置在第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区上面且与第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区直接接触的悬浮电极。

公开(公告)号：CN101960593B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980106941.0

申请日：2009-02-27

申请人： 韩国电子通信研究院

发明人： 金铉卓 ,  金俸准 ,  尹善真

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L27/06 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L23/62 ,  H01L27/067 ,  H01L27/082 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种包括金属绝缘体转变(MIT)装置(100)的高电流控制电路、和包括该高电流控制电路的系统，使得可以通过小尺寸的高电流控制电路来控制和切换高电流，并且可以解决热生成问题。该高电流控制电路包括：MIT装置，连接到电流驱动装置(500)，并且在预定的转变电压处经历突变MIT；以及切换控制晶体管(400)，连接在该电流驱动装置和该MIT装置之间，并且控制该MIT装置的开关切换。通过包括该金属绝缘体转变(MIT)装置，该高电流控制电路切换向该电流驱动装置输入或从该电流驱动装置输出的高电流。同样，该MIT装置与防热晶体管一起构成MIT-TR复合装置(1000)，该防热晶体管防止热生成并连接到该MIT装置。

公开(公告)号：CN101960592A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106377.2

申请日：2009-02-23

申请人： 韩国电子通信研究院

发明人： 金铉卓 ,  金俸准 ,  尹善真 ,  金大容

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L27/06 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L27/067 ,  H01L49/003

摘要： 提供了一种可解决MIT装置(100)的自发热问题的MIT装置自发热防止电路、以及用于制造MIT装置自发热防止电路集成装置的方法。所述MIT装置自发热防止电路包括：MIT装置(100)，在等于或大于临界温度的温度上发生突然MIT，并连接到电流驱动装置(500)以控制电流驱动装置的流动；晶体管(200)，连接到MIT装置(100)，以便在MIT装置中发生MIT之后控制MIT装置的自发热；以及电阻器(300)，连接到MIT装置和晶体管。