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21.

发明专利
封裝中的表面安裝裝置、整合式被動裝置及／或打線安裝审中-公开
简体标题：封装中的表面安装设备、集成式被动设备及／或打线安装

公开(公告)号：TW201633470A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104123038

申请日：2015-07-16

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 邱銘彥 , CHIU, MING YEN

IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/58

CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2224/32145 , H01L2924/00014

摘要： 本揭露係描述各種封裝結構與形成封裝結構的方法。根據一實施例，結構包含第一封裝以及藉由外部連接物而附接至第一封裝的封裝組件。第一封裝包括附接至第一墊與第二墊的裝置。該裝置係表面安裝裝置(surface mount device，SMD)、整合式被動裝置(integrated passive device，IPD)、或其組合。該裝置係經由介電層而附接至第一墊與第二墊。間隔物材料係側向位於第一墊與第二墊之間，並且係位於裝置與介電層之間。封裝物環繞裝置與間隔物材料。

简体摘要： 本揭露系描述各种封装结构与形成封装结构的方法。根据一实施例，结构包含第一封装以及借由外部连接物而附接至第一封装的封装组件。第一封装包括附接至第一垫与第二垫的设备。该设备系表面安装设备(surface mount device，SMD)、集成式被动设备(integrated passive device，IPD)、或其组合。该设备系经由介电层而附接至第一垫与第二垫。间隔物材料系侧向位于第一垫与第二垫之间，并且系位于设备与介电层之间。封装物环绕设备与间隔物材料。

22.

发明专利
一封裝中之記憶體模組有权
简体标题：一封装中之内存模块

公开(公告)号：TWI532040B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW101125193

申请日：2012-07-12

申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 柔伊華爾 , ZOHNI, WAEL , 柯斯伯理查狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 穆翰米德艾里亞斯 , MOHAMMED, ILYAS

IPC分类号： G11C11/401

CPC分类号： H01L23/481 , G11C5/04 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L2224/0401 , H01L2224/061 , H01L2224/091 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/301 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

23.

发明专利
具有中央接觸及改良式接地或功率分佈之增強型堆疊式微電子總成以及系統有权
简体标题：具有中央接触及改良式接地或功率分布之增强型堆栈式微电子总成以及系统

公开(公告)号：TWI528522B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW100138380

申请日：2011-10-21

申请人： 泰斯拉公司 , TESSERA, INC.

发明人： 哈巴貝爾格斯姆 , HABA, BELGACEM , 榮尼瓦爾 , ZHONI, WAEL , 柯斯伯理查狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT

IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535

CPC分类号： H05K1/11 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/50 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/06136 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49427 , H01L2224/73215 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1434 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19103 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K2201/10507 , H05K2201/10628 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

24.

发明专利
用於具有平行窗之多晶粒導線結合總成之短線最小化审中-公开
简体标题：用于具有平行窗之多晶粒导线结合总成之短线最小化

公开(公告)号：TW201611231A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104140296

申请日：2012-10-03

申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION

发明人： 柯斯伯理查狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 柔伊華爾 , ZOHNI, WAEL , 哈芭畢哥辛 , HABA, BELGACEM , 藍布里奇法蘭克 , LAMBRECHT, FRANK

IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52

CPC分类号： G06F1/16 , G06F1/18 , G11C5/04 , G11C5/063 , G11C5/066 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/06136 , H01L2224/06156 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19103 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一種微電子封裝10可包括：一基板20，其具有第一表面21及第二表面22以及在其間延伸之第一孔隙26a及第二孔隙26b；第一微電子元件30a及第二微電子元件30b，其各自具有面向該第一表面之一表面31；及端子25a，其在該第二表面處在該第二表面之一中心區23中曝露。該等孔隙26a、26b可具有在該等各別孔隙之長度之方向上延伸的平行之第一軸線29a及第二軸線29b。該第二表面22之該中心區23可安置於該第一軸線29a與該第二軸線29b之間。該等端子725a可包括安置於一理論第三軸線729c之一第一側上的一第一集合715a及安置於該第三軸線之與該第一側對置之一第二側上的一第二集合715b。該第一集合715a中之該等第一端子725a之信號指派可為該第二集合715b中之該等第一端子之信號指派的一鏡像。

简体摘要： 一种微电子封装10可包括：一基板20，其具有第一表面21及第二表面22以及在其间延伸之第一孔隙26a及第二孔隙26b；第一微电子组件30a及第二微电子组件30b，其各自具有面向该第一表面之一表面31；及端子25a，其在该第二表面处在该第二表面之一中心区23中曝露。该等孔隙26a、26b可具有在该等各别孔隙之长度之方向上延伸的平行之第一轴线29a及第二轴线29b。该第二表面22之该中心区23可安置于该第一轴线29a与该第二轴线29b之间。该等端子725a可包括安置于一理论第三轴线729c之一第一侧上的一第一集合715a及安置于该第三轴线之与该第一侧对置之一第二侧上的一第二集合715b。该第一集合715a中之该等第一端子725a之信号指派可为该第二集合715b中之该等第一端子之信号指派的一镜像。

25.

发明专利
高密度晶片對晶片連接技術审中-公开
简体标题：高密度芯片对芯片连接技术

公开(公告)号：TW201606975A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104117980

申请日：2015-06-03

申请人： 英特爾IP公司 , INTEL IP CORPORATION

发明人： 梅耶爾特羅斯登 , MEYER, THORSTEN

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/58

CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/568 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518 , H01L2224/8203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2924/15311

摘要： 一種裝置包括至少一第一IC晶粒及一第二IC晶粒。該第一IC晶粒及該第二IC晶粒之底表面包括第一多個連接襯墊，且該第一IC晶粒及該第二IC晶粒之頂表面包括第二多個連接襯墊。該裝置亦包括：一非傳導材料層，其覆蓋該第一IC晶粒及該第二IC晶粒之該等頂表面；多個通孔；在該等第一多個連接襯墊之至少一部分與至少一個通孔之間的第一傳導性互連件；以及在該非傳導材料層之一頂表面上的第二傳導性互連件，其提供該等第二多個連接襯墊之至少一部分與該等多個通孔中之至少一個通孔之間的電氣連續性。

简体摘要： 一种设备包括至少一第一IC晶粒及一第二IC晶粒。该第一IC晶粒及该第二IC晶粒之底表面包括第一多个连接衬垫，且该第一IC晶粒及该第二IC晶粒之顶表面包括第二多个连接衬垫。该设备亦包括：一非传导材料层，其覆盖该第一IC晶粒及该第二IC晶粒之该等顶表面；多个通孔；在该等第一多个连接衬垫之至少一部分与至少一个通孔之间的第一传导性互连件；以及在该非传导材料层之一顶表面上的第二传导性互连件，其提供该等第二多个连接衬垫之至少一部分与该等多个通孔中之至少一个通孔之间的电气连续性。