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31.

发明专利
半導體組件及製造方法有权
简体标题：半导体组件及制造方法

公开(公告)号：TWI469280B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW097129919

申请日：2008-08-06

申请人： 艾斯堤維聖資產有限責任公司 , ESTIVATION PROPERTIES LLC

发明人： 丹尼爾D 莫蘭 , MOLINE, DANIEL D.

IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/34

CPC分类号： H01L23/49562 , H01L21/568 , H01L23/047 , H01L23/3107 , H01L23/49531 , H01L24/16 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/13099 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

32.

发明专利
多晶片積體電路有权
简体标题：多芯片集成电路

公开(公告)号：TWI463625B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW099138910

申请日：2010-11-12

申请人： 吉林克斯公司 , XILINX, INC.

发明人： 瑞曼阿利弗 , RAHMAN, ARIFUR , 穆拉立帆克特桑 , MURALI, VENKATESAN

IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768

CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/08137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2902 , H01L2224/29187 , H01L2224/30181 , H01L2224/30183 , H01L2224/32137 , H01L2224/73267 , H01L2224/80006 , H01L2224/80896 , H01L2224/83005 , H01L2224/83896 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/14 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/145 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/19 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/83

33.

发明专利
四方扁平無引腳封裝有权
简体标题：四方扁平无引脚封装

公开(公告)号：TWI462252B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW098101388

申请日：2009-01-15

申请人： 南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 沈更新 , SHEN, GENG SHIN , 林峻瑩 , LIN, CHUN YING , 周世文 , CHOU, SHIH WEN

IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00

34.

发明专利
多晶片封裝有权
简体标题：多芯片封装

公开(公告)号：TWI459536B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW099124924

申请日：2010-07-28

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 蘇毅 , SU, YI , 格雷大衛 , GREY, DAVID

IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48824

35.

发明专利
帶有堆疊式互聯承載板頂端散熱的半導體封裝及其方法有权
简体标题：带有堆栈式互联承载板顶端散热的半导体封装及其方法

公开(公告)号：TWI456708B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW098140544

申请日：2009-11-27

申请人： 萬國半導體有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 劉凱 , LIU, KAI , 赫伯特弗朗索瓦 , HEBERT, FRANCOIS , 石磊 , SHI, LEI

IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/34 , H01L21/56

CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/50 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/73263 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099

36.

发明专利
半導體裝置及製造該半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：半导体设备及制造该半导体设备之方法

公开(公告)号：TW201431027A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102138054

申请日：2013-10-22

申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED

发明人： 清水浩三 , SHIMIZU, KOZO , 作山誠樹 , SAKUYAMA, SEIKI , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/538

CPC分类号： H01L24/13 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2201/40 , H01L21/76843 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/73204 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81815 , H01L2924/0103 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K3/3494 , H05K2201/10734 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/00

摘要： 一種製造一半導體裝置之方法包括：在一佈線基板之一第一電極及一半導體元件之一第二電極之至少一電極的一表面上形成一障壁金屬膜；在該等第一與第二電極之間提供一連接端子，且該連接端子係由含錫、鉍及鋅之焊料構成；及加熱該連接端子且保持該連接端子之溫度在不低於該焊料之一熔點之一固定溫度一段時間，藉此接合該連接端子與該障壁金屬膜。

简体摘要： 一种制造一半导体设备之方法包括：在一布线基板之一第一电极及一半导体组件之一第二电极之至少一电极的一表面上形成一障壁金属膜；在该等第一与第二电极之间提供一连接端子，且该连接端子系由含锡、铋及锌之焊料构成；及加热该连接端子且保持该连接端子之温度在不低于该焊料之一熔点之一固定温度一段时间，借此接合该连接端子与该障壁金属膜。