用於低溫接合的結構和方法
    85.
    发明专利
    用於低溫接合的結構和方法 审中-公开
    用于低温接合的结构和方法

    公开(公告)号:TW201830537A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW106134536

    申请日:2017-10-06

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/498

    摘要: 一種製造組件之方法,其可包含將在第一基板的第一表面處的第一電性傳導元件的頂表面與在第二基板的主要表面處的第二電性傳導元件的頂表面並置。其中為下列中之一者:所述第一傳導元件的所述頂表面可下凹至所述所述第一表面之下,或所述第二基板的所述頂表面可下凹至所述主要表面之下。電性傳導奈米粒子是被設置在所述第一傳導元件和所述第二傳導元件的所述頂表面之間。所述傳導奈米粒子具有的長度尺寸是小於100奈米。所述方法亦可包含至少在所述經並置的第一傳導元件和第二傳導元件的界面處提高溫度到一結合溫度,在所述結合溫度時所述傳導奈米粒子可造成冶金結合形成於所述經並置的第一傳導元件和第二傳導元件之間。

    简体摘要: 一种制造组件之方法,其可包含将在第一基板的第一表面处的第一电性传导组件的顶表面与在第二基板的主要表面处的第二电性传导组件的顶表面并置。其中为下列中之一者:所述第一传导组件的所述顶表面可下凹至所述所述第一表面之下,或所述第二基板的所述顶表面可下凹至所述主要表面之下。电性传导奈米粒子是被设置在所述第一传导组件和所述第二传导组件的所述顶表面之间。所述传导奈米粒子具有的长度尺寸是小于100奈米。所述方法亦可包含至少在所述经并置的第一传导组件和第二传导组件的界面处提高温度到一结合温度,在所述结合温度时所述传导奈米粒子可造成冶金结合形成于所述经并置的第一传导组件和第二传导组件之间。