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公开(公告)号：TWI596713B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103105920
申请日：2014-02-21
发明人： 梶原良一 , KAJIWARA, RYOICHI , 中條卓也 , NAKAJO, TAKUYA , 新井克夫 , ARAI, KATSUO , 谷藤雄一 , YATO, YUICHI , 岡浩偉 , OKA, HIROI , 寶藏寺裕之 , HOZOJI, HIROSHI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49 , H01L21/50 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29294 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/3011 , H01L2224/3201 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45616 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48997 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83055 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10272 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01013 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/83205
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公开(公告)号：TW201529294A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103139044
申请日：2014-11-11
发明人： 巽宏平 , TATSUMI, KOHEI , 石川信二 , ISHIKAWA, SHINJI , 松原典惠 , MATSUBARA, NORIE , 田中將元 , TANAKA, MASAMOTO
CPC分类号： H01L24/32 , B22F7/08 , B22F2999/00 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/3033 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C19/00 , C22C21/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/03436 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/2741 , H01L2224/29083 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2949 , H01L2224/29639 , H01L2224/29644 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/83055 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83424 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/8384 , H01L2224/85207 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , B22F1/0018 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/0104 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/01047 , H01L2924/01015 , H01L2924/01079 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 本發明於使用金屬奈米粒子之同種或異種金屬接合中，當其中一被接合面金屬為Al系時，可藉由透過含Ni奈米粒子的接合層接合，來獲得具有優良接合強度的接合構造體。 而且，接合層是構成為以含金屬奈米粒子的2個接合層包夾金屬箔，而藉由透過該接合層接合同種或異種被接合面金屬，可緩和因2個具有被接合面金屬的被接合體之熱膨脹量差造成的熱應力。
简体摘要： 本发明于使用金属奈米粒子之同种或异种金属接合中，当其中一被接合面金属为Al系时，可借由透过含Ni奈米粒子的接合层接合，来获得具有优良接合强度的接合构造体。 而且，接合层是构成为以含金属奈米粒子的2个接合层包夹金属箔，而借由透过该接合层接合同种或异种被接合面金属，可缓和因2个具有被接合面金属的被接合体之热膨胀量差造成的热应力。
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公开(公告)号：TWI422069B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099101816
申请日：2010-01-22
申请人： 日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人： 藏本雅史 , KURAMOTO, MASAFUMI , 小川悟 , OGAWA, SATORU , 丹羽實輝 , NIWA, MIKI
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
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4.发明专利半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 审中-公开半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW201041188A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099101816
申请日：2010-01-22
申请人： 日亞化學工業股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
摘要： 本發明之目的在於提供一種製造導電性材料之方法,該導電性材料產生較低之電阻値,且係使用不含接著劑之廉價且穩定之導電性材料用組合物而獲得者。一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置係將施於基體表面之銀或氧化銀、與施於半導體元件表面之銀或氧化銀接合而成者,該方法係經過以下步驟而製造半導體裝置:以施於半導體元件表面之銀或氧化銀接觸於施於基體表面之銀或氧化銀上之方式配置半導體元件;對半導體元件或基體施加壓力或施加超音波振動,將半導體元件與基體暫時接合;以及對半導體元件及基體施加150℃~900℃之溫度,將半導體元件與基體正式接合。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种制造导电性材料之方法,该导电性材料产生较低之电阻値,且系使用不含接着剂之廉价且稳定之导电性材料用组合物而获得者。一种半导体设备之制造方法,该半导体设备系将施于基体表面之银或氧化银、与施于半导体组件表面之银或氧化银接合而成者,该方法系经过以下步骤而制造半导体设备:以施于半导体组件表面之银或氧化银接触于施于基体表面之银或氧化银上之方式配置半导体组件;对半导体组件或基体施加压力或施加超音波振动,将半导体组件与基体暂时接合;以及对半导体组件及基体施加150℃~900℃之温度,将半导体组件与基体正式接合。
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公开(公告)号：TW201603933A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104117827
申请日：2015-06-02
发明人： 沙佛 麥克 , 史密特 渥夫岡 , SCHMITT, WOLFGANG , 希爾曼 亞伯特 , HEILMANN, ALBERT , 納崔那 偵斯 , NACHREINER, JENS
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F7/064 , B22F2001/0066 , B23K35/025 , B23K35/34 , B23K35/3602 , B23K35/3618 , B23K35/365 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/2731 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27422 , H01L2224/29294 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/2949 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83211 , H01L2224/83424 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/0541 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01108 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0549 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本發明係關於一種金屬膠，其包含(A)75至90重量%之至少一種呈包含含有至少一種有機化合物之塗層之顆粒形式存在之金屬、及(B)6至20重量%之有機溶劑，其中該金屬膠進一步包含(C)2至10重量%之至少一種由式(NHR1R2R3)+(BF4)-表示之四氟硼酸銨，藉此，殘基R1、R2、及R3係相同或不同的選自H及各具有12個C原子之烴基之殘基。
简体摘要： 本发明系关于一种金属胶，其包含(A)75至90重量%之至少一种呈包含含有至少一种有机化合物之涂层之颗粒形式存在之金属、及(B)6至20重量%之有机溶剂，其中该金属胶进一步包含(C)2至10重量%之至少一种由式(NHR1R2R3)+(BF4)-表示之四氟硼酸铵，借此，残基R1、R2、及R3系相同或不同的选自H及各具有12个C原子之烃基之残基。
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公开(公告)号：TW201603917A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104114192
申请日：2015-05-04
发明人： 沙佛 麥克 , 史密特 渥夫岡 , SCHMITT, WOLFGANG
IPC分类号： B22F3/12
CPC分类号： B22F5/006 , B22F3/1003 , B22F3/24 , B22F7/04 , B22F2003/242 , B22F2301/255 , B22F2302/25 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C25D11/34 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05186 , H01L2224/27003 , H01L2224/27505 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29186 , H01L2224/2957 , H01L2224/29686 , H01L2224/32221 , H01L2224/83005 , H01L2224/8302 , H01L2224/83055 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/32 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/053
摘要： 本發明係關於一種連接組件之方法，其中提供各自包含至少一個金屬接觸面之至少兩個組件及在該等組件之間配置的呈具有金屬氧化物表面之金屬固體形式的金屬燒結劑之配置，且該配置經加壓燒結，從而該金屬燒結劑之金屬氧化物表面及該等組件之該等金屬接觸面各自形成接合接觸面，且從而(I)該加壓燒結在含有至少一種可氧化化合物之氛圍中進行及/或(II)該等金屬氧化物表面在形成相應接合接觸面之前具備至少一種可氧化有機化合物。
简体摘要： 本发明系关于一种连接组件之方法，其中提供各自包含至少一个金属接触面之至少两个组件及在该等组件之间配置的呈具有金属氧化物表面之金属固体形式的金属烧结剂之配置，且该配置经加压烧结，从而该金属烧结剂之金属氧化物表面及该等组件之该等金属接触面各自形成接合接触面，且从而(I)该加压烧结在含有至少一种可氧化化合物之氛围中进行及/或(II)该等金属氧化物表面在形成相应接合接触面之前具备至少一种可氧化有机化合物。
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公开(公告)号：TW201444031A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103105920
申请日：2014-02-21
发明人： 梶原良一 , KAJIWARA, RYOICHI , 中條卓也 , NAKAJO, TAKUYA , 新井克夫 , ARAI, KATSUO , 谷藤雄一 , YATO, YUICHI , 岡浩偉 , OKA, HIROI , 寶藏寺裕之 , HOZOJI, HIROSHI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49 , H01L21/50 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29294 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/3011 , H01L2224/3201 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45616 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48997 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83055 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10272 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01013 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/83205
摘要： 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，提高半導體裝置之可靠度。半導體裝置，具備：晶片焊墊6；SiC晶片1，搭載於晶片焊墊6；第1燒結Ag層16，將晶片焊墊6與SiC晶片1接合；以及補強樹脂部17，覆蓋第1燒結Ag層16的表面，且形成為填角狀。更具有：源極導線9，與SiC晶片1之源極電極2電性連接；閘極導線，與閘極電極3電性連接；汲極導線，與汲極電極4電性連接；以及密封體14，覆蓋SiC晶片1、第1燒結Ag層16及晶片焊墊6的一部分；補強樹脂部17，覆蓋SiC晶片1之側面1c的一部分。
简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及其制造方法，提高半导体设备之可靠度。半导体设备，具备：芯片焊垫6；SiC芯片1，搭载于芯片焊垫6；第1烧结Ag层16，将芯片焊垫6与SiC芯片1接合；以及补强树脂部17，覆盖第1烧结Ag层16的表面，且形成为填角状。更具有：源极导线9，与SiC芯片1之源极电极2电性连接；闸极导线，与闸极电极3电性连接；汲极导线，与汲极电极4电性连接；以及密封体14，覆盖SiC芯片1、第1烧结Ag层16及芯片焊垫6的一部分；补强树脂部17，覆盖SiC芯片1之侧面1c的一部分。
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公开(公告)号：TW201500327A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103101816
申请日：2014-01-17
申请人： 日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人： 児玉一宗 , KODAMA, MOTOMUNE , 內藤孝 , NAITO, TAKASHI , 藤枝正 , FUJIEDA, TADASHI , 沢井裕一 , SAWAI, YUICHI , 青柳拓也 , AOYAGI, TAKUYA , 宮城雅徳 , MIYAGI, MASANORI
CPC分类号： H01L24/29 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2237/10 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2731 , H01L2224/29082 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29169 , H01L2224/29209 , H01L2224/29211 , H01L2224/29213 , H01L2224/29218 , H01L2224/29224 , H01L2224/29239 , H01L2224/29244 , H01L2224/29247 , H01L2224/29269 , H01L2224/29288 , H01L2224/29294 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29369 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83487 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 不需金屬化處理，而將陶瓷、半導體、玻璃等基材在銲料材程度的處理溫度下接合。 接合構造體，係為複數個基材透過接合層而接合，且至少其中一方的基材為陶瓷、半導體、玻璃任一者之基材，接合材層中含有金屬與氧化物，氧化物含有V與Te，氧化物存在於金屬與基材之間。接合材，係為包含成分中含有V、Te之氧化物玻璃及金屬粒子以及溶媒之膏狀、或為埋入了成分中含有V、Te之氧化物玻璃粒子之箔或板狀、或為包含成分中含有V、Te之氧化物玻璃層以及金屬層之箔或板狀。
简体摘要： 不需金属化处理，而将陶瓷、半导体、玻璃等基材在焊料材程度的处理温度下接合。 接合构造体，系为复数个基材透过接合层而接合，且至少其中一方的基材为陶瓷、半导体、玻璃任一者之基材，接合材层中含有金属与氧化物，氧化物含有V与Te，氧化物存在于金属与基材之间。接合材，系为包含成分中含有V、Te之氧化物玻璃及金属粒子以及溶媒之膏状、或为埋入了成分中含有V、Te之氧化物玻璃粒子之箔或板状、或为包含成分中含有V、Te之氧化物玻璃层以及金属层之箔或板状。
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公开(公告)号：TWI382481B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098115572
申请日：2009-05-11
发明人： 余振華 , YU, CHENHUA , 邱文智 , CHIOU, WENCHIH , 吳文進 , WU, WENGJIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/74 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75705 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49124 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49135 , H01L2924/00
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10.发明专利整合式調整與接合系統 INTEGRATED ALIGNMENT AND BONDING SYSTEM 审中-公开集成式调整与接合系统 INTEGRATED ALIGNMENT AND BONDING SYSTEM
公开(公告)号：TW201021138A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098115572
申请日：2009-05-11
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/74 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75705 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49124 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49135 , H01L2924/00
摘要： 一種接合方法,包含下列步驟:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,掃描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判斷其厚度變化。其次,將第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度變化,調整第一晶粒與第二晶粒,使得第一表面與第二表面互相平行。最後,將第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,調整第一晶粒與第二晶粒之步驟包含傾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。
简体摘要： 一种接合方法,包含下列步骤:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化。其次,将第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度变化,调整第一晶粒与第二晶粒,使得第一表面与第二表面互相平行。最后,将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,调整第一晶粒与第二晶粒之步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。
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