利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

120 条记录 (耗时 0.017 秒)

    Method Of Manufacturing High Electron Mobility Transistor
    91.
    发明申请
    Method Of Manufacturing High Electron Mobility Transistor 有权
    制造高电子迁移率晶体管的方法

    公开(公告)号：US20110212582A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US13017361

    申请日：2011-01-31

    申请人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    发明人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A method of manufacturing a High Electron Mobility Transistor (HEMT) may include forming first and second material layers having different lattice constants on a substrate, forming a source, a drain, and a gate on the second material layer, and changing the second material layer between the gate and the drain into a different material layer, or changing a thickness of the second material layer, or forming a p-type semiconductor layer on the second material layer. The change in the second material layer may occur in an entire region of the second material layer between the gate and the drain, or only in a partial region of the second material layer adjacent to the gate. The p-type semiconductor layer may be formed on an entire top surface of the second material layer between the gate and the drain, or only on a partial region of the top surface adjacent to the gate.

    摘要翻译： 制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法可以包括在衬底上形成具有不同晶格常数的第一和第二材料层，在第二材料层上形成源极，漏极和栅极，以及改变第二材料层 在栅极和漏极之间形成不同的材料层，或改变第二材料层的厚度，或在第二材料层上形成p型半导体层。 第二材料层的变化可以在栅极和漏极之间的第二材料层的整个区域中发生，或者仅在与栅极相邻的第二材料层的部分区域中发生。 p型半导体层可以形成在栅极和漏极之间的第二材料层的整个顶表面上，或者仅形成在与栅极相邻的顶表面的部分区域上。

    Light emitting device using plasma discharge
    93.
    发明申请
    Light emitting device using plasma discharge 失效
    使用等离子体放电的发光器件

    公开(公告)号：US20100026163A1

    公开(公告)日：2010-02-04

    申请号：US12585972

    申请日：2009-09-30

    申请人： Young-dong Lee ,  Hidekazu Hatanaka ,  Seung-hyun Son ,  Jai-kwang Shin ,  Young-mo Kim

    发明人： Young-dong Lee ,  Hidekazu Hatanaka ,  Seung-hyun Son ,  Jai-kwang Shin ,  Young-mo Kim

    IPC分类号： H01J63/04

    CPC分类号： H01J11/40 ,  H01J11/12 ,  H01J11/28 ,  H01J11/38 ,  H01J61/54

    摘要： A plasma-discharge light emitting device is provided. The plasma-discharge light emitting device may include: rear and front panels separated from each other in a predetermined interval, wherein at least one discharge cell may be provided between the rear and front panels, and wherein plasma discharge may be generated in the discharge cells; a pair of discharge electrodes provided on at least one of the rear and front panels for each of the discharge cells; a trench provided as a portion of each of the discharge cells between the pair of the discharge electrodes; and electron-emitting material layers provided on both sidewalls of the trench.

    摘要翻译： 提供了一种等离子体放电发光器件。 等离子体放电发光器件可以包括：以预定间隔彼此分开的后面板和前面板，其中可以在后面板和前面板之间设置至少一个放电单元，并且其中可以在放电单元中产生等离子体放电 ; 一对放电电极，设置在每个放电单元的后面板和前面板中的至少一个上; 设置在所述一对放电电极之间的每个放电单元的一部分的沟槽; 以及设置在沟槽的两个侧壁上的电子发射材料层。

    Catalyst for cathode in fuel cell
    94.
    发明授权
    Catalyst for cathode in fuel cell 有权
    燃料电池阴极催化剂

    公开(公告)号：US07566514B2

    公开(公告)日：2009-07-28

    申请号：US10685797

    申请日：2003-10-16

    申请人： Sung-hoon Lee ,  Chan-ho Pak ,  Hyuk Chang ,  Jai-kwang Shin

    发明人： Sung-hoon Lee ,  Chan-ho Pak ,  Hyuk Chang ,  Jai-kwang Shin

    IPC分类号： H01M4/44

    CPC分类号： H01M4/926 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/921

    摘要： A catalyst particle having high oxygen reduction reactivity and low methanol oxidation reactivity, a supported catalyst comprising the catalyst particle, and a fuel cell using a cathode comprising the supported catalyst are provided. The whole catalyst particle or at least the surface of the catalyst particle includes an alloy of two or more metals selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, and Cd. The alloy has a stronger oxygen-binding force than platinum or a weaker hydrogen-binding force than platinum.

    摘要翻译： 提供具有高氧还原反应性和低甲醇氧化反应性的催化剂颗粒，包含催化剂颗粒的负载催化剂和使用包含负载催化剂的阴极的燃料电池。 整个催化剂颗粒或至少催化剂颗粒的表面包括选自Fe，Co，Ni，Rh，Pd，Pt，Cu，Ag，Au，Zn和Cd中的两种或更多种金属的合金。 该合金具有比铂更强的氧结合力或比铂更弱的氢结合力。

    Apparatus and method for generating ions of an ion implanter
    95.
    发明授权
    Apparatus and method for generating ions of an ion implanter 有权
    用于产生离子注入机离子的装置和方法

    公开(公告)号：US07476868B2

    公开(公告)日：2009-01-13

    申请号：US11453075

    申请日：2006-06-15

    申请人： Seong Gu Kim ,  Jai Kwang Shin ,  Jae Joon Oh

    发明人： Seong Gu Kim ,  Jai Kwang Shin ,  Jae Joon Oh

    IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/30

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/3171

    摘要： An ion generator of an ion implanter, the ion generator includes: an arc chamber provided with a slit for ion extraction and forming an equipotential surface with a first voltage; a filament installed inside of the arc chamber, heated to a predetermined temperature and generating electrons; magnetic field devices provided outside of the arc chamber and supplied with a current from a current source and generating a magnetic field in the arc chamber; a gas discharge device injecting a predetermined gas into the arc chamber; and an electrode positioned opposite to the slit and supplied with a second voltage having a high voltage than the first voltage from a voltage source and generating a magnetic field in the arc chamber.

    摘要翻译： 离子注入机的离子发生器，所述离子发生器包括：电弧室，设置有用于离子提取的狭缝并形成具有第一电压的等电位面; 安装在电弧室内的灯丝，加热到预定温度并产生电子; 磁场装置设置在电弧室外部，并从电流源提供电流并在电弧室中产生磁场; 将预定气体注入到电弧室中的气体放电装置; 以及电极，与所述狭缝相对设置，并且从电压源提供具有比所述第一电压高的电压的第二电压并在所述电弧室中产生磁场。

    Apparatus and method for generating ions of an ion implanter
    96.
    发明申请
    Apparatus and method for generating ions of an ion implanter 有权
    用于产生离子注入机离子的装置和方法

    公开(公告)号：US20070152165A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11453075

    申请日：2006-06-15

    申请人： Seong Gu Kim ,  Jai Kwang Shin ,  Jae Joon Oh

    发明人： Seong Gu Kim ,  Jai Kwang Shin ,  Jae Joon Oh

    IPC分类号： H01J27/00

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/3171

    摘要： An ion generator of an ion implanter, the ion generator includes: an arc chamber provided with a slit for ion extraction and forming an equipotential surface with a first voltage; a filament installed inside of the arc chamber, heated to a predetermined temperature and generating electrons; magnetic field devices provided outside of the arc chamber and supplied with a current from a current source and generating a magnetic field in the arc chamber; a gas discharge device injecting a predetermined gas into the arc chamber; and an electrode positioned opposite to the slit and supplied with a second voltage having a high voltage than the first voltage from a voltage source and generating a magnetic field in the arc chamber.

    摘要翻译： 离子注入机的离子发生器，所述离子发生器包括：电弧室，设置有用于离子提取的狭缝并形成具有第一电压的等电位面; 安装在电弧室内的灯丝，加热到预定温度并产生电子; 磁场装置设置在电弧室外部，并从电流源提供电流并在电弧室中产生磁场; 将预定气体注入到电弧室中的气体放电装置; 以及电极，与所述狭缝相对设置，并且从电压源提供具有比所述第一电压高的电压的第二电压并在所述电弧室中产生磁场。

    Power electronic device and method of manufacturing the same
    99.
    发明授权
    Power electronic device and method of manufacturing the same 有权
    电力电子装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08835985B2

    公开(公告)日：2014-09-16

    申请号：US13208671

    申请日：2011-08-12

    申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

    摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。