公开(公告)号：US07041335B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10442668

申请日：2003-05-21

申请人： Hua Chung

发明人： Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76862

摘要： Methods and apparatus of forming titanium tantalum silicon nitride (TixTay(Si)Nz) layers are described. The titanium tantalum silicon nitride (TixTay(Si)Nz) layer may be formed using a cyclical deposition process by alternately adsorbing a titanium-containing precursor, a tantalum-containing precursor, a nitrogen-containing gas and a silicon-containing gas on a substrate. The titanium-containing precursor, the tantalum-containing precursor, the silicon-containing precursor and the nitrogen-containing precursor react to form the titanium tantalum silicon nitride (TixTay(Si)Nz) layer on the substrate. The formation of the titanium tantalum silicon nitride (TixTay(Si)Nz) layer is compatible with integrated circuit fabrication processes. In one integrated circuit fabrication process, the titanium tantalum silicon nitride (TixTay(Si)Nz) layer is used as a diffusion barrier for a copper metallization process.

摘要翻译： 描述了形成钛酸钽氮化硅（Ti x Si x Si（Si）N z z）层的方法和装置。 可以使用循环沉积工艺来形成钛钽氮化硅（Ti x Si x Si（Si）N z）层，这是通过交替吸附 含钛前体，含钽前体，含氮气体和含硅气体。 含钛前体，含钽前体，含硅前体和含氮前体反应形成钛钽硅氮化物（Ti x Si x Ta （Si）N z z）层。 形成钛钽氮化硅（Ti x Si x Si（Si）N z）层与集成电路制造工艺兼容。 在一个集成电路制造工艺中，使用钛钽硅氮化物（Ti x Si x Si y Si z N y Si z Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si x Si 用于铜金属化工艺的屏障。

公开(公告)号：US20050139948A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11064274

申请日：2005-02-22

申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Jick Yu ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58 ,  H01L27/095

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/903 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention generally relates to filling of a feature by depositing a barrier layer, depositing a seed layer over the barrier layer, and depositing a conductive layer over the seed layer. In one embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer. For example, the copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. In another embodiment, the seed layer comprises a copper alloy seed layer deposited over the barrier layer and a second seed layer deposited over the copper alloy seed layer. The copper alloy seed layer may comprise copper and a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper. In still another embodiment, the seed layer comprises a first seed layer and a second seed layer. The first seed layer may comprise a metal, such as aluminum, magnesium, titanium, zirconium, tin, and combinations thereof. The second seed layer may comprise a metal, such as undoped copper.

摘要翻译： 本发明一般涉及通过沉积阻挡层，在阻挡层上沉积种子层，以及在种子层上沉积导电层来填充特征。 在一个实施例中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层。 例如，铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 在另一个实施方案中，种子层包括沉积在阻挡层上的铜合金种子层和沉积在铜合金种子层上的第二籽晶层。 铜合金种子层可以包括铜和金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。 在另一个实施例中，种子层包括第一种子层和第二种子层。 第一种子层可以包括金属，例如铝，镁，钛，锆，锡及其组合。 第二种子层可以包括金属，例如未掺杂的铜。

公开(公告)号：US06905541B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10447255

申请日：2003-05-27

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Hua Chung ,  Christophe Marcadal ,  Seshadri Ganguli ,  Jenny Lin ,  Dien-Yeh Wu ,  Alan Ouye ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  C30B25/02

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： A precursor and method for filling a feature in a substrate. The method generally includes depositing a barrier layer, the barrier layer being formed from pentakis(dimethylamido)tantalum having less than about 5 ppm of chlorine. The method additionally may include depositing a seed layer over the barrier layer and depositing a conductive layer over the seed layer. The precursor generally includes pentakis(dimethylamido)tantalum having less than about 5 ppm of chlorine. The precursor is generated in a canister having a surrounding heating element configured to reduce formation of impurities.

摘要翻译： 用于填充衬底中的特征的前体和方法。 该方法通常包括沉积阻挡层，阻挡层由具有小于约5ppm氯的五（二甲基氨基）钽形成。 该方法另外可以包括在阻挡层上沉积种子层并在种子层上沉积导电层。 前体通常包括具有小于约5ppm氯的五（二甲基氨基）钽。 在具有周围加热元件的罐中产生前体，该加热元件被配置为减少杂质的形成。

公开(公告)号：US06849545B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US09885609

申请日：2001-06-20

申请人： Alfred W. Mak ,  Mei Chang ,  Jeong Soo Byun ,  Hua Chung ,  Ashok Sinha ,  Moris Kori

发明人： Alfred W. Mak ,  Mei Chang ,  Jeong Soo Byun ,  Hua Chung ,  Ashok Sinha ,  Moris Kori

IPC分类号： C23C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562

摘要： A system and method to form a stacked barrier layer for copper contacts formed on a substrate. The substrate is serially exposed to first and second reactive gases to form an adhesion layer. Then, the adhesion layer is serially exposed to third and fourth reactive gases to form a barrier layer adjacent to the adhesion layer. This is followed by deposition of a copper layer adjacent to the barrier layer.

摘要翻译： 一种在基板上形成用于铜触点的层叠阻挡层的系统和方法。 衬底连续地暴露于第一和第二反应气体以形成粘附层。 然后，粘附层连续地暴露于第三和第四反应气体，形成与粘合层相邻的阻挡层。 随后在阻挡层附近沉积铜层。

公开(公告)号：US06838125B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10193574

申请日：2002-07-10

申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/452

摘要： A method for depositing a film on a substrate is provided. In one aspect, the method includes providing a metal-containing precursor to an activation zone, and activating the metal-containing precursor to form an activated precursor. The activated precursor gas is transported to a reaction chamber, and a film is deposited on the substrate using a cyclical deposition process, wherein the activated precursor gas and a reducing gas are alternately adsorbed on the substrate. Also provided is a method of depositing a film on a substrate using an activated reducing gas.

公开(公告)号：US08980379B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US12870465

申请日：2010-08-27

申请人： Hiroji Hanawa ,  Kyawwin Maung ,  Hua Chung

发明人： Hiroji Hanawa ,  Kyawwin Maung ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  B08B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

摘要： During a deposition process, material may deposit not only on the substrate, but also on other chamber components. In a MOCVD chamber, one of those components is the gas distribution showerhead. The showerhead may be cleaned by bombarding the showerhead with radicals generated by a plasma that includes an inert gas and chlorine. In order to generate the plasma, the showerhead may be negatively biased or floating relative to the substrate support. The showerhead may comprise stainless steel and be coated with a ceramic coating.

摘要翻译： 在沉积过程中，材料不仅可以沉积在基底上，而且沉积在其它腔室部件上。 在MOCVD室中，其中一个部件是气体分配喷头。 可以通过用包括惰性气体和氯的等离子体产生的自由基轰击喷头来清洁喷头。 为了产生等离子体，喷头可以相对于基板支撑物被负偏置或浮动。 喷头可以包括不锈钢并涂覆有陶瓷涂层。

公开(公告)号：US08910644B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13041230

申请日：2011-03-04

申请人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J. K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

发明人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J. K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： B08B3/02 ,  B08B5/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： B08B5/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/905

摘要： Embodiments of the invention generally relate to apparatus and methods for cleaning chamber components using a cleaning plate. The cleaning plate is adapted to be positioned on a substrate support during a cleaning process, and includes a plurality of turbulence-inducing structures. The turbulence-inducing structures induce a turbulent flow of cleaning gas while the cleaning plate is rotated during a cleaning process. The cleaning plate increases the retention time of the cleaning gas near the showerhead during cleaning. Additionally, the cleaning plate reduces concentration gradients within the cleaning plate to provide a more effective clean. The method includes positioning a cleaning plate adjacent to a showerhead, and introducing cleaning gas to the space between the showerhead and the cleaning plate. A material deposited on the surface of the showerhead is then heated and vaporized in the presence of the cleaning gas, and then exhausted from the processing chamber.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及使用清洁板清洁腔室部件的设备和方法。 清洁板适于在清洁过程期间定位在基板支撑件上，并且包括多个湍流诱导结构。 湍流诱导结构在清洁过程中清洁板旋转时引起清洁气体的湍流。 在清洁过程中，清洁板增加了喷头附近清洁气体的停留时间。 此外，清洁板减少清洁板内的浓度梯度以提供更有效的清洁。 该方法包括将清洁板定位在与喷头相邻的位置，并将清洁气体引入到喷头和清洁板之间的空间。 然后将沉积在喷头表面上的材料在清洁气体的存在下加热和蒸发，然后从处理室中排出。

公开(公告)号：US08293328B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US11470915

申请日：2006-09-07

申请人： Ling Chen ,  Hua Chung ,  Barry L. Chin ,  Hong Zhang

发明人： Ling Chen ,  Hua Chung ,  Barry L. Chin ,  Hong Zhang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

摘要： A method for depositing a refractory metal nitride barrier layer having a thickness of about 20 angstroms or less is provided. In one aspect, the refractory metal nitride layer is formed by introducing a pulse of a metal-containing compound followed by a pulse of a nitrogen-containing compound. The refractory metal nitride barrier layer provides adequate barrier properties and allows the grain growth of the first metal layer to continue across the barrier layer into the second metal layer thereby enhancing the electrical performance of the interconnect.

摘要翻译： 提供了一种沉积具有约20埃或更小厚度的难熔金属氮化物阻挡层的方法。 一方面，难熔金属氮化物层是通过引入含金属化合物的脉冲，随后是含氮化合物的脉冲而形成的。 难熔金属氮化物阻挡层提供了足够的阻挡性能，并且允许第一金属层的晶粒生长继续穿过阻挡层进入第二金属层，从而增强了互连的电性能。

公开(公告)号：USD664170S1

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US29386850

申请日：2011-03-04

申请人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J. K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

设计人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J. K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

公开(公告)号：US20120052216A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13154060

申请日：2011-06-06

申请人： Hiroji Hanawa ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hua Chung ,  Jie Cui ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Hiroji Hanawa ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hua Chung ,  Jie Cui ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： C23C16/48

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Embodiments of the present invention provide methods and apparatus for surface coatings applied to process chamber components utilized in chemical vapor deposition processes. In one embodiment, the apparatus provides a showerhead apparatus comprising a body, a plurality of conduits extending through the body, each of the plurality of conduits having an opening extending to a processing surface of the body, and a coating disposed on the processing surface, the coating being about 50 microns to about 200 microns thick and comprising a coefficient of emissivity of about 0.8, an average surface roughness of about 180 micro-inches to about 220 micro-inches, and a porosity of about 15% or less.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了应用于化学气相沉积工艺中使用的处理腔室部件的表面涂层的方法和装置。 在一个实施例中，该装置提供一种喷头装置，其包括主体，延伸穿过主体的多个导管，多个导管中的每一个具有延伸到主体的处理表面的开口，以及设置在处理表面上的涂层， 该涂层为约50微米至约200微米厚，并且包括约0.8的发射率系数，约180微英寸至约220微英寸的平均表面粗糙度，以及约15％或更小的孔隙率。