公开(公告)号：US20120273796A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13459963

申请日：2012-04-30

申请人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： A Group-III nitride optoelectronic device fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a Gallium Nitride (GaN) substrate is characterized by a high Indium uptake and a high polarization ratio.

摘要翻译： 在氮化镓（GaN）衬底的半极（20-2-1）平面上制造的III族氮化物光电子器件的特征在于高的铟吸收和高的偏振比。

公开(公告)号：US08211723B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12030117

申请日：2008-02-12

申请人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang-Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel F. Feezell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang-Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating AlxGa1-xN-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

摘要翻译： 一种制造Al x Ga 1-x N不包覆非极性III族氮化物基激光二极管或发光二极管的方法。 由于在非极性晶面中没有极化场，这些非极性器件具有用作光波导的厚量子阱，以有效地将光学模式限制在有源区，并且不需要含Al波导覆层。

公开(公告)号：US20120107991A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13279121

申请日：2011-10-21

申请人： Chia-Yen Huang ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： Chia-Yen Huang ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01S5/343 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L33/08 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333

摘要： A III-nitride-based light emitting device having a multiple quantum well (MQW) structure and a method for fabricating the device, wherein at least one barrier in the MQW structure is doped with magnesium (Mg). The Mg doping of the barrier is accomplished by introducing a bis(cyclopentadienyl)magnesium (Cp2Mg) flow during growth of the barrier using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The barriers of the MQW structure may be undoped, fully Mg-doped or partially Mg-doped. When the barrier is partially Mg-doped, only portions of the barrier are Mg-doped to prevent Mg diffusion into quantum wells of the MQW structure. The Mg-doped barriers preferably are high Al composition AlGaN barriers in nonpolar or semipolar devices.

摘要翻译： 具有多量子阱（MQW）结构的III族氮化物系发光器件及其制造方法，其中MQW结构中的至少一个势垒掺杂有镁（Mg）。 通过使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在势垒生长期间引入双（环戊二烯基）镁（Cp2Mg）流来实现势垒的Mg掺杂。 MQW结构的障碍可以是未掺杂的，完全Mg掺杂的或部分Mg掺杂的。 当势垒部分Mg掺杂时，只有部分势垒是Mg掺杂的，以防止Mg扩散到MQW结构的量子阱中。 Mg掺杂的栅极优选是非极性或半极性器件中的高Al组分AlGaN屏障。

公开(公告)号：US20120104412A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13349342

申请日：2012-01-12

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。

公开(公告)号：US20120097919A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13281775

申请日：2011-10-26

申请人： James S. Speck ,  Anurag Tyagi ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： James S. Speck ,  Anurag Tyagi ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： A method of fabricating a substrate for a semipolar III-nitride device, comprising patterning and forming one or more mesas on a surface of a semipolar III-nitride substrate or epilayer, thereby forming a patterned surface of the semipolar III-nitride substrate or epilayer including each of the mesas with a dimension/along a direction of a threading dislocation glide, wherein the threading dislocation glide results from a III-nitride layer deposited heteroepitaxially and coherently on a non-patterned surface of the substrate or epilayer.

摘要翻译： 一种制造用于半极性III族氮化物器件的衬底的方法，包括在半极性III族氮化物衬底或外延层的表面上图案化和形成一个或多个台面，从而形成半极性III族氮化物衬底或外延层的图案化表面，包括 每个台面具有穿过位错滑移方向的尺寸/尺寸，其中所述穿透位错滑移来自在所述基底或外延层的非图案化表面上异质外延和相干沉积的III族氮化物层。

公开(公告)号：US20120074425A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13309380

申请日：2011-12-01

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20120061645A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13300977

申请日：2011-11-21

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US08084763B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12610945

申请日：2009-11-02

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US20110278585A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12947453

申请日：2010-11-16

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20110170569A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12908478

申请日：2010-10-20

申请人： Anurag Tyagi ,  Robert M. Farrell ,  Chia-Yen Huang ,  Po Shan Hsu ,  Daniel A. Haeger ,  Kathryn M. Kelchner ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： Anurag Tyagi ,  Robert M. Farrell ,  Chia-Yen Huang ,  Po Shan Hsu ,  Daniel A. Haeger ,  Kathryn M. Kelchner ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/02 ,  H01L33/60 ,  H01S5/00 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

摘要： A semipolar {20-21} III-nitride based laser diode employing a cavity with one or more etched facet mirrors. The etched facet mirrors provide an ability to arbitrarily control the orientation and dimensions of the cavity or stripe of the laser diode, thereby enabling control of electrical and optical properties of the laser diode.

摘要翻译： 采用具有一个或多个蚀刻小面镜的空腔的半极性{20-21} III族氮化物基激光二极管。 蚀刻刻面镜提供了任意控制激光二极管的空腔或条纹的取向和尺寸的能力，从而能够控制激光二极管的电学和光学性质。