公开(公告)号：US20080179607A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12001227

申请日：2007-12-11

申请人： Steven P. DenBaars ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Steven P. DenBaars ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

摘要： An (Al, Ga, In)N light emitting device, such as a light emitting diode (LED), in which high light generation efficiency is realized by fabricating the device on non-polar or semi-polar III-Nitride crystal geometries. Because non-polar and semi-polar emitting devices have significantly lower piezoelectric effects than c-plane emitting devices, higher efficiency emitting devices at higher current densities can be realized.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N发光器件，例如发光二极管（LED），其中通过以非极性或半极性III氮化物晶体几何形状制造器件来实现高发光效率。 因为非极性和半极性发射器件具有比c面发射器件显着更低的压电效应，所以可以实现在更高电流密度下的更高效率的发射器件。

公开(公告)号：US20080135853A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11852908

申请日：2007-09-10

申请人： Michael D. Craven ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael D. Craven ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0237 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth of non-polar III-nitride seed layers reduces threading dislocations in the non-polar III-nitride thin films. First, a thin patterned dielectric mask is applied to the seed layer. Second, a selective epitaxial regrowth is performed to achieve a lateral overgrowth based on the patterned mask. Upon regrowth, the non-polar III-nitride films initially grow vertically through openings in the dielectric mask before laterally overgrowing the mask in directions perpendicular to the vertical growth direction. Threading dislocations are reduced in the overgrown regions by (1) the mask blocking the propagation of dislocations vertically into the growing film and (2) the bending of dislocations through the transition from vertical to lateral growth.

摘要翻译： 非极性III族氮化物种子层的横向外延生长减少了非极性III族氮化物薄膜中的穿透位错。 首先，将薄的图案化电介质掩模施加到种子层。 其次，进行选择性外延再生长以实现基于图案化掩模的横向过度生长。 在再生长时，非极性III族氮化物膜在垂直于垂直生长方向的方向上横向过度生长掩模之前，首先垂直于介电掩模中的开口生长。 通过（1）掩模阻止位错垂直进入生长膜的扩散，以及（2）通过从垂直向侧向生长的过渡的位错弯曲，使得穿越位错在过度生长的区域中减少。

公开(公告)号：US20080083970A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11801053

申请日：2007-05-08

申请人： Derrick Kamber ,  Benjamin Haskell ,  Shuji Nakamura ,  Tadao Hashimoto

发明人： Derrick Kamber ,  Benjamin Haskell ,  Shuji Nakamura ,  Tadao Hashimoto

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L29/20

CPC分类号： C04B35/581 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

摘要： A method for growing III-nitride films containing aluminum using Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) is disclosed, and comprises using corrosion-resistant materials in an HVPE system, the region of the HVPE system containing the corrosion-resistant materials being an area that contacts an aluminum halide, heating a source zone with an aluminum-containing source above a predetermined temperature, and growing the III-nitride film containing aluminum within the HVPE system containing the corrosion-resistant material.

摘要翻译： 公开了使用氢化物​​气相外延（HVPE）生长含有铝的III族氮化物膜的方法，并且包括在HVPE系统中使用耐腐蚀材料，所述HVPE系统包含耐腐蚀材料的区域是接触 铝卤化物，将含铝源的源区加热到高于预定温度，并且在含有耐腐蚀材料的HVPE系统内生长含有铝的III族氮化物膜。

公开(公告)号：US20080042121A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11840057

申请日：2007-08-16

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing an improved quality device by depositing a low temperature (LT) magnesium (Mg) doped nitride semiconductor thin film. The low temperature Mg doped nitride semiconductor thin film may have a thickness greater than 50 nm. A multi quantum well (MQW) active layer may be grown at a growth temperature and the LT Mg doped nitride semiconductor thin film may deposited on the MQW active layer at a substrate temperature no greater than 150° C. above the growth temperature.

摘要翻译： 通过沉积低温（LT）镁（Mg）掺杂的氮化物半导体薄膜来生长改进的质量器件的方法。 低温Mg掺杂的氮化物半导体薄膜可以具有大于50nm的厚度。 可以在生长温度下生长多量子阱（MQW）有源层，并且在高于生长温度的衬底温度不超过150℃的温度下，可以将LT Mg掺杂氮化物半导体薄膜沉积在MQW有源层上。

公开(公告)号：US20080022163A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11503050

申请日：2006-08-11

申请人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

发明人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F12/1416 ,  G06F3/0601 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0866 ,  G06F2003/0694 ,  G06F2212/214 ,  G06F2212/262

摘要： To detect an address error in flash memory using a different data management unit from that in a hard disk drive. In cache memory, data read/written from/to a flash memory chip is managed in units of first data lengths. A page, which is the data management unit in a flash memory chip, includes a data section of a second data length from/to which a storage controller can read/write data; and a redundant section. When writing data, the storage controller creates a protection code enabling identification of a write destination page address, divides the data in the cache memory, which is managed in units of first data lengths, into pieces so that the size of each set composed of a piece of the divided write data and its protection code will be of a second data length, and writes the respective sets in a flash memory chip in units of second data lengths.

摘要翻译： 使用与硬盘驱动器不同的数据管理单元检测闪存中的地址错误。 在高速缓冲存储器中，从闪存芯片读取/写入的数据以第一数据长度为单位进行管理。 作为闪速存储器芯片中的数据管理单元的页面包括存储控制器可以从其读取/写入数据的第二数据长度的数据部分; 和冗余部分。 当写入数据时，存储控制器创建一个能识别写入目的地页面地址的保护代码，将以第一数据长度为单位管理的高速缓冲存储器中的数据划分成块，使得由 划分的写入数据及其保护代码的片段将具有第二数据长度，并将各个集合以第二数据长度为单位写入闪存芯片。

公开(公告)号：US20070280320A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11803472

申请日：2007-05-15

申请人： Daniel Feezell ,  Daniel Cohen ,  Robert Farrell ,  Masahiro Ishida ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel Feezell ,  Daniel Cohen ,  Robert Farrell ,  Masahiro Ishida ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/04

CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/32341

摘要： A vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) comprising a low-loss thin metal contact and current spreading layer within the optical cavity that provides for improved ohmic contact and lateral current distribution, a substrate including a plano-concave optical cavity, a (Ga,In,Al)N multiple quantum well (MQW) active region contained within the optical cavity that generates light when injected by an electrical current, and an integrated micromirror fabricated onto the substrate that provides for optical mode control of the light generated by the active region. A relatively simple process is used to fabricate the VCSEL.

摘要翻译： 一种垂直腔表面发射激光器（VCSEL），其包括光腔内的低损耗薄金属接触和电流扩展层，其提供改善的欧姆接触和横向电流分布;衬底，包括平凹光学腔，（ Ga，In，Al）N多量子阱（MQW）有源区，其包含在通过电流注入时产生光的光腔内;以及集成微镜，其被制造到基板上，该微镜提供对由 活跃区域。 使用相对简单的过程来制造VCSEL。

公开(公告)号：US20070271413A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11524907

申请日：2006-09-22

申请人： Akira Fujibayashi ,  Kazuhisa Fujimoto ,  Shuji Nakamura

发明人： Akira Fujibayashi ,  Kazuhisa Fujimoto ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0631 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0649 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0685 ,  Y02D10/154

摘要： A storage control apparatus according to the present invention includes a plurality of connecting units connected to one or more host computers and one or more hard disk drives as storage media for storing data, one or more non-volatile storage media which are of a different type from the hard disk drives and which store data WRITE requested from the host computer, a plurality of processing units for processing WRITE and READ requests from the host computer by using the hard disk drives or the non-volatile storage media and, a plurality of memory units for storing control information to be by the processing units.

摘要翻译： 根据本发明的存储控制装置包括连接到一个或多个主计算机和一个或多个硬盘驱动器的多个连接单元作为用于存储数据的存储介质，一个或多个不同类型的非易失性存储介质 从硬盘驱动器和从主计算机请求存储数据写入的多个处理单元，用于通过使用硬盘驱动器或非易失性存储介质来处理来自主计算机的写入和读取请求;以及多个存储器 用于存储处理单元所要控制信息的单元。

公开(公告)号：US20070252164A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11676999

申请日：2007-02-20

申请人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L31/0236 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0075 ,  Y02E10/50

摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.

摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。

公开(公告)号：US20070180188A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11389120

申请日：2006-03-27

申请人： Akira Fujibayashi ,  Shuji Nakamura ,  Mutsumi Hosoya

发明人： Akira Fujibayashi ,  Shuji Nakamura ,  Mutsumi Hosoya

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： H04L61/6013 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/067 ,  H04L29/12584 ,  H04L29/1282 ,  H04L29/12839 ,  H04L45/00 ,  H04L61/2596 ,  H04L61/6022 ,  H04L67/1097 ,  H04L67/2814 ,  H04L67/2842 ,  H04L69/40

摘要： Provided is a storage system having improved access performance. The storage system includes: a hard disk drive, and a storage controller for reading/writing data from/to the hard disk drive, the storage controller including: at least one interface connected to a host computer through a network; and a plurality of processors connected to the interface through an internal network. The storage system is characterized in that: the processor provides at least one logical access port to the host computer; and the interface stores routing information including a processor which processes an access request addressed to the logical access port, extracts an address from the received access request upon reception of the access request from the host computer, specifies the processor which processes the received access request based on the routing information and the extracted address, and transfers the received access request to the specified processor.

摘要翻译： 提供了具有改进的访问性能的存储系统。 所述存储系统包括：硬盘驱动器和用于从/向所述硬盘驱动器读取/写入数据的存储控制器，所述存储控制器包括：通过网络连接到主计算机的至少一个接口; 以及通过内部网络连接到接口的多个处理器。 存储系统的特征在于：处理器向主计算机提供至少一个逻辑访问端口; 并且接口存储包括处理寻址到逻辑访问端口的访问请求的处理器的路由信息​​，在从主计算机接收到访问请求时从接收的访问请求中提取地址，指定处理所接收的访问请求的处理器 关于路由信息和提取的地址，并将接收的访问请求传送到指定的处理器。

公开(公告)号：US20070126023A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。