公开(公告)号：US20090017624A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11775113

申请日：2007-07-09

申请人： Chih-Hung Liao ,  Hung-Wen Su ,  Chun-Chieh Lin

发明人： Chih-Hung Liao ,  Hung-Wen Su ,  Chun-Chieh Lin

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1865 ,  C23C18/1868 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849

摘要： An electroless plating method and the apparatus for performing the same are provided. The method includes providing a plating solution; contacting a front surface of the wafer with the plating solution; and incurring a plating reaction substantially simultaneously on an entirety of the front surface of the wafer. The step of incurring a plating reaction substantially simultaneously includes lift-dispense electroless plating and face-down immersion.

摘要翻译： 提供一种化学镀方法及其执行装置。 该方法包括提供电镀液; 使晶片的前表面与电镀溶液接触; 并且在晶片的整个前表面上基本上同时施加电镀反应。 基本上同时进行电镀反应的步骤包括提升分配化学镀和面朝下浸渍。

公开(公告)号：US07332435B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11072038

申请日：2005-03-04

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming a semiconductor device comprising: forming a gate dielectric layer over a channel region; forming a gate electrode on the gate dielectric layer; forming source/drain regions substantially aligned with respective edges of the gate electrode with the channel region therebetween; forming a thin metal layer on the source/drain regions; forming a metal alloy layer on the thin metal layer; and transforming the thin metal layer into a low resistance metal silicide.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：在沟道区上形成栅介电层; 在所述栅极电介质层上形成栅电极; 形成与所述栅电极的各个边缘基本对准的源极/漏极区域，其间具有沟道区域; 在源/漏区上形成薄金属层; 在所述薄金属层上形成金属合金层; 并将薄金属层转变成低电阻金属硅化物。

公开(公告)号：US20060205214A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11072038

申请日：2005-03-04

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming a semiconductor device comprising: forming a gate dielectric layer over a channel region; forming a gate electrode on the gate dielectric layer; forming source/drain regions substantially aligned with respective edges of the gate electrode with the channel region therebetween; forming a thin metal layer on the source/drain regions; forming a metal alloy layer on the thin metal layer; and transforming the thin metal layer into a low resistance metal silicide.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：在沟道区上形成栅介电层; 在所述栅极电介质层上形成栅电极; 形成与所述栅电极的各个边缘基本对准的源极/漏极区域，其间具有沟道区域; 在源/漏区上形成薄金属层; 在所述薄金属层上形成金属合金层; 并将薄金属层转变成低电阻金属硅化物。

公开(公告)号：US20060202346A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11075072

申请日：2005-03-08

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shau-Lin Shue

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48757 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48857 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

摘要： A conductive polymer between two metallic layers acts a glue layer, a barrier layer or an activation seed layer. The conductive polymer layer is employed to encapsulate a copper interconnection structure to prevent copper diffusion into any overlying layers and improve adhesive characteristics between the copper and any overlying layers.

公开(公告)号：US20100230816A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12787559

申请日：2010-05-26

申请人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods for forming the same in which damages to a low-k dielectric layer therein can be reduced or even prevented are provided. A semiconductor device is provided, comprising a substrate. A dielectric layer with at least one conductive feature therein overlies the substrate. An insulating cap layer overlies the top surface of the low-k dielectric layer adjacent to the conductive feature, wherein the insulating cap layer comprises metal ions.

摘要翻译： 提供了可以减少或甚至防止对其中低k电介质层的损坏的用于形成其的半导体器件及其制造方法。 提供了一种半导体器件，包括衬底。 其中具有至少一个导电特征的电介质层覆盖在衬底上。 绝缘覆盖层覆盖邻近导电特征的低k电介质层的顶表面，其中绝缘帽层包括金属离子。

公开(公告)号：US07597787B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11072137

申请日：2005-03-04

申请人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： C25D3/06

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841

摘要： Methods and apparatuses for electrochemically depositing a metal layer onto a substrate. An electrochemical deposition apparatus comprises a substrate holder assembly including a substrate chuck and a relatively soft cathode contact ring. The cathode contact ring comprises an inner portion and an outer portion, wherein the inner portion directly contacts the substrate. An anode is disposed in an electrolyte container. A power supply connects the substrate holder assembly and the anode.

摘要翻译： 将金属层电化学沉积到基底上的方法和装置。 一种电化学沉积设备包括一个衬底保持器组件，该衬底保持器组件包括衬底卡盘和相对软的阴极接触环 阴极接触环包括内部部分和外部部分，其中内部部分直接接触基板。 阳极设置在电解质容器中。 电源连接衬底保持器组件和阳极。

公开(公告)号：US07749896B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11210226

申请日：2005-08-23

申请人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods for forming the same in which damages to a low-k dielectric layer therein can be reduced or even prevented are provided. A semiconductor device is provided, comprising a substrate. A dielectric layer with at least one conductive feature therein overlies the substrate. An insulating cap layer overlies the top surface of the low-k dielectric layer adjacent to the conductive feature, wherein the insulating cap layer comprises metal ions.

摘要翻译： 提供了可以减少或甚至防止对其中低k电介质层的损坏的用于形成其的半导体器件及其制造方法。 提供了一种半导体器件，包括衬底。 其中具有至少一个导电特征的电介质层覆盖在衬底上。 绝缘覆盖层覆盖邻近导电特征的低k电介质层的顶表面，其中绝缘帽层包括金属离子。

公开(公告)号：US07091126B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10422443

申请日：2003-04-24

申请人： Han-Hsin Kuo ,  Hung-Wen Su ,  Wen-Chih Chiou ,  Tsu Shih ,  Hsien-Ming Lee

发明人： Han-Hsin Kuo ,  Hung-Wen Su ,  Wen-Chih Chiou ,  Tsu Shih ,  Hsien-Ming Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： An improvement in a copper damascene process is disclosed. The improvement comprises the step of projecting an electron beam on to a chemical mechanically polished material surface having copper filled etched trenches at a known angle of incidence with respect to the material surface for a known period of time, the electron beam having a beamwidth substantially covering the material surface and a known intensity.

摘要翻译： 披露了铜镶嵌工艺的改进。 该改进包括将电子束投射到具有铜填充的蚀刻沟槽的化学机械抛光的材料表面上的步骤，其具有相对于材料表面已知的入射角已知的时间段，电子束具有基本覆盖的波束宽度 材料表面和已知的强度。

公开(公告)号：US20050224359A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10814175

申请日：2004-04-01

申请人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D21/02

摘要： Apparatus and method for metal electroplating. The apparatus for metal electroplating includes an electroplating tank for containing an electrolyte at a first temperature, a substrate holder for holding a semiconductor substrate, and a heater for heating the portion of the electrolyte adjacent to the substrate holder to a second temperature higher than the first temperature.

摘要翻译： 金属电镀设备及方法 用于金属电镀的设备包括用于在第一温度下容纳电解质的电镀槽，用于保持半导体衬底的衬底保持器和用于将邻近衬底保持器的部分电解质加热至高于第一温度的第二温度的加热器 温度。

公开(公告)号：US09123781B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US12787559

申请日：2010-05-26

申请人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods for forming the same in which damages to a low-k dielectric layer therein can be reduced or even prevented are provided. A semiconductor device is provided, comprising a substrate. A dielectric layer with at least one conductive feature therein overlies the substrate. An insulating cap layer overlies the top surface of the low-k dielectric layer adjacent to the conductive feature, wherein the insulating cap layer comprises metal ions.

摘要翻译： 提供了可以减少或甚至防止对其中低k电介质层的损坏的用于形成其的半导体器件及其制造方法。 提供了一种半导体器件，包括衬底。 其中具有至少一个导电特征的电介质层覆盖在衬底上。 绝缘覆盖层覆盖邻近导电特征的低k电介质层的顶表面，其中绝缘帽层包括金属离子。