公开(公告)号：US08835315B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13371127

申请日：2012-02-10

申请人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

发明人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor dielectric can be between the storage node and the electrode layer. A supporting pattern can be connected to the storage node, where the supporting pattern can include at least one first pattern and at least one second pattern layered on one another, where the first pattern can include a material having an etch selectivity with respect to the second pattern.

摘要翻译： 电容器电介质可以在存储节点和电极层之间。 支撑图案可以连接到存储节点，其中支撑图案可以包括至少一个第一图案和彼此分层的至少一个第二图案，其中第一图案可以包括具有相对于第二图案的蚀刻选择性的材料 模式。

公开(公告)号：US08927389B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13369476

申请日：2012-02-09

申请人： Kyungmun Byun ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

发明人： Kyungmun Byun ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/945

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate including a first region and a second region, forming a first trench having a first width in the first region and a second trench having a second width in the second region, and the second width is greater than the first width. The method also includes forming a first insulation layer in the first and second trenches, removing the first insulation layer in the second trench to form a first insulation pattern that includes the first insulation layer remaining in the first trench, forming on the substrate a second insulation layer that fills the second trench, and the second insulation layer includes a different material from the first insulation layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供包括第一区域和第二区域的衬底，在第一区域中形成具有第一宽度的第一沟槽和在第二区域中具有第二宽度的第二沟槽，第二宽度为 大于第一宽度。 该方法还包括在第一沟槽和第二沟槽中形成第一绝缘层，去除第二沟槽中的第一绝缘层以形成第一绝缘图案，其包括残留在第一沟槽中的第一绝缘层，在衬底上形成第二绝缘层 层，其填充第二沟槽，并且第二绝缘层包括与第一绝缘层不同的材料。

公开(公告)号：US20120252182A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13369476

申请日：2012-02-09

申请人： Kyungmun BYUN ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

发明人： Kyungmun BYUN ,  Byoungdeog Choi ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/945

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate including a first region and a second region, forming a first trench having a first width in the first region and a second trench having a second width in the second region, and the second width is greater than the first width. The method also includes forming a first insulation layer in the first and second trenches, removing the first insulation layer in the second trench to form a first insulation pattern that includes the first insulation layer remaining in the first trench, forming on the substrate a second insulation layer that fills the second trench, and the second insulation layer includes a different material from the first insulation layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供包括第一区域和第二区域的衬底，在第一区域中形成具有第一宽度的第一沟槽和在第二区域中具有第二宽度的第二沟槽，第二宽度为 大于第一宽度。 该方法还包括在第一沟槽和第二沟槽中形成第一绝缘层，去除第二沟槽中的第一绝缘层以形成第一绝缘图案，其包括残留在第一沟槽中的第一绝缘层，在衬底上形成第二绝缘层 层，其填充第二沟槽，并且第二绝缘层包括与第一绝缘层不同的材料。

公开(公告)号：US20120217560A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13371127

申请日：2012-02-10

申请人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

发明人： Kyungmun Byun ,  Hyongsoo Kim ,  Eunkee Hong ,  Mansug Kang

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor dielectric can be between the storage node and the electrode layer. A supporting pattern can be connected to the storage node, where the supporting pattern can include at least one first pattern and at least one second pattern layered on one another, where the first pattern can include a material having an etch selectivity with respect to the second pattern.

摘要翻译： 电容器电介质可以在存储节点和电极层之间。 支撑图案可以连接到存储节点，其中支撑图案可以包括至少一个第一图案和彼此分层的至少一个第二图案，其中第一图案可以包括具有相对于第二图案的蚀刻选择性的材料 模式。

公开(公告)号：US20100230741A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12711033

申请日：2010-02-23

申请人： Jongwan Choi ,  Eunkee Hong ,  Bo-Young Lee ,  Tae-Jong Han ,  Juseon Goo ,  Kyungmun Byun

发明人： Jongwan Choi ,  Eunkee Hong ,  Bo-Young Lee ,  Tae-Jong Han ,  Juseon Goo ,  Kyungmun Byun

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0649

摘要： A tunnel insulating layer and a charge storage layer are sequentially stacked on a substrate. A recess region penetrates the charge storage layer, the tunnel insulating layer and a portion of the substrate. The recess region is defined by a bottom surface and a side surface extending from the bottom surface. A first dielectric pattern includes a bottom portion covering the bottom surface and inner walls extending from the bottom portion and covering a portion of the side surface of the recess region. A second dielectric pattern is in the recess region between the inner walls of the first dielectric pattern, and the second dielectric pattern enclosing an air gap. The air gap that is enclosed by the second dielectric pattern may extend through a major portion of the second dielectric pattern in a direction away from the bottom surface of the recess region.

摘要翻译： 隧道绝缘层和电荷存储层依次层叠在基板上。 凹陷区域穿透电荷存储层，隧道绝缘层和基底的一部分。 凹陷区域由底表面和从底表面延伸的侧表面限定。 第一电介质图案包括覆盖底面的底部和从底部延伸并覆盖凹部区域的侧表面的一部分的内壁。 第二电介质图案位于第一电介质图案的内壁之间的凹陷区域中，并且第二电介质图案包围气隙。 由第二电介质图案包围的空气间隙可以沿着远离凹部区域的底表面的方向延伸穿过第二电介质图案的主要部分。

公开(公告)号：US08697583B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13224737

申请日：2011-09-02

申请人： Kyung-seok Oh ,  Kyung-mun Byun ,  Shin-hye Kim ,  Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Eunkee Hong

发明人： Kyung-seok Oh ,  Kyung-mun Byun ,  Shin-hye Kim ,  Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Eunkee Hong

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76224

摘要： Provided according to embodiments of the present invention are an oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices. In some embodiments of the invention, the oxidation-promoting composition includes an oxidation-promoting agent having a structure of A-M-L, wherein L is a functional group that is chemisorbed to a surface of silicon, silicon oxide, silicon nitride, or metal, A is a thermally decomposable oxidizing functional group, and M is a moiety that allows A and L to be covalently bonded to each other.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案提供的是氧化促进组合物，形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。 在本发明的一些实施方案中，氧化促进组合物包括具有AML结构的氧化促进剂，其中L是化学吸附在硅表面，氧化硅，氮化硅或金属上的官能团，A是 一种可热分解的氧化官能团，M是允许A和L彼此共价结合的部分。

公开(公告)号：US20120058647A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13224737

申请日：2011-09-02

申请人： Kyung-seok Oh ,  Kyung-mun Byun ,  Shin-hye Kim ,  Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Eunkee Hong

发明人： Kyung-seok Oh ,  Kyung-mun Byun ,  Shin-hye Kim ,  Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Eunkee Hong

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76224

摘要： Provided according to embodiments of the present invention are an oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices. In some embodiments of the invention, the oxidation-promoting composition includes an oxidation-promoting agent having a structure of A-M-L, wherein L is a functional group that is chemisorbed to a surface of silicon, silicon oxide, silicon nitride, or metal, A is a thermally decomposable oxidizing functional group, and M is a moiety that allows A and L to be covalently bonded to each other.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案提供的是氧化促进组合物，形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。 在本发明的一些实施方案中，氧化促进组合物包括具有AML结构的氧化促进剂，其中L是化学吸附在硅表面，氧化硅，氮化硅或金属上的官能团，A是 一种可热分解的氧化官能团，M是允许A和L彼此共价结合的部分。

公开(公告)号：US08455985B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13019520

申请日：2011-02-02

申请人： Kyu-hee Han ,  Sang-hoon Ahn ,  Eunkee Hong

发明人： Kyu-hee Han ,  Sang-hoon Ahn ,  Eunkee Hong

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit device includes a plurality of stacked circuit layers, at least one of the plurality of circuit layers including a composite interlayer insulation layer including laterally adjacent first and second insulating material regions having different mechanical strengths and dielectric properties and a plurality of circuit components disposed in the composite interlayer insulation layer. The first insulating material region may have a lower dielectric constant and a lower mechanical strength than the second insulating material region such that, for example, the first insulating material region may be positioned near signal lines or other circuit features to reduce capacitance while using the second insulating material region near a location that is susceptible to localized mechanical stress, such as a fuse location, an external connection bonding location or a scribe line location.

摘要翻译： 集成电路器件包括多个堆叠电路层，所述多个电路层中的至少一个包括复合层间绝缘层，所述复合层间绝缘层包括具有不同机械强度和介电特性的横向相邻的第一和第二绝缘材料区域，以及设置的多个电路部件 在复合层间绝缘层中。 第一绝缘材料区域可以具有比第二绝缘材料区域更低的介电常数和更低的机械强度，使得例如第一绝缘材料区域可以位于信号线附近或其他电路特征处以在使用第二绝缘材料区域时降低电容 绝缘材料区域靠近容易受到局部机械应力的位置，诸如熔断器位置，外部连接接合位置或划线位置。

公开(公告)号：US08367535B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13053668

申请日：2011-03-22

申请人： Yong-Soon Choi ,  Ha-Young Yi ,  Gil-Heyun Choi ,  Eunkee Hong ,  Sang-Hoon Ahn

发明人： Yong-Soon Choi ,  Ha-Young Yi ,  Gil-Heyun Choi ,  Eunkee Hong ,  Sang-Hoon Ahn

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/7881

摘要： Example embodiments herein relate to a method of fabricating a semiconductor device. The method may include forming a liner insulating layer on a surface of a gate pattern to have a first thickness. Subsequently, a gap fill layer may be formed on the liner insulating layer by flowable chemical vapor deposition (FCVD) or spin-on-glass (SOG). The liner insulating layer and the gap fill layer may be recessed such that the liner insulating layer has a second thickness, which is smaller than the first thickness, in the region in which a metal silicide will be formed. Metal silicide may be formed on the plurality of gate patterns to have a relatively uniform thickness using the difference in thickness of the liner insulating layer.

摘要翻译： 本文的示例性实施例涉及制造半导体器件的方法。 该方法可以包括在栅极图案的表面上形成具有第一厚度的衬里绝缘层。 随后，可以通过可流动化学气相沉积（FCVD）或旋涂玻璃（SOG）在衬垫绝缘层上形成间隙填充层。 衬垫绝缘层和间隙填充层可以凹入，使得衬垫绝缘层在其中将形成金属硅化物的区域中具有小于第一厚度的第二厚度。 可以使用衬垫绝缘层的厚度差，在多个栅极图案上形成金属硅化物以具有相对均匀的厚度。

公开(公告)号：US20110281427A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13053668

申请日：2011-03-22

申请人： Yong-Soon Choi ,  Ha-Young Yi ,  Gil-Heyun Choi ,  Eunkee Hong ,  Sang-Hoon Ahn

发明人： Yong-Soon Choi ,  Ha-Young Yi ,  Gil-Heyun Choi ,  Eunkee Hong ,  Sang-Hoon Ahn

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/7881

摘要： Example embodiments herein relate to a method of fabricating a semiconductor device. The method may include forming a liner insulating layer on a surface of a gate pattern to have a first thickness. Subsequently, a gap fill layer may be formed on the liner insulating layer by flowable chemical vapor deposition (FCVD) or spin-on-glass (SOG). The liner insulating layer and the gap fill layer may be recessed such that the liner insulating layer has a second thickness, which is smaller than the first thickness, in the region in which a metal silicide will be formed. Metal silicide may be formed on the plurality of gate patterns to have a relatively uniform thickness using the difference in thickness of the liner insulating layer.

摘要翻译： 本文的示例性实施例涉及制造半导体器件的方法。 该方法可以包括在栅极图案的表面上形成具有第一厚度的衬里绝缘层。 随后，可以通过可流动化学气相沉积（FCVD）或旋涂玻璃（SOG）在衬垫绝缘层上形成间隙填充层。 衬垫绝缘层和间隙填充层可以凹入，使得衬垫绝缘层在其中将形成金属硅化物的区域中具有小于第一厚度的第二厚度。 可以使用衬垫绝缘层的厚度差，在多个栅极图案上形成金属硅化物以具有相对均匀的厚度。