Methods for forming silicon-based hermetic thermal solutions
    24.
    发明授权
    Methods for forming silicon-based hermetic thermal solutions 有权
    形成硅基密封热解决方案的方法

    公开(公告)号:US09391000B2

    公开(公告)日:2016-07-12

    申请号:US13445734

    申请日:2012-04-12

    IPC分类号: H01L23/473 H01L21/48

    摘要: A method includes forming a first oxide layer on a surface of an integrated heat spreader, and forming a second oxide layer on top surfaces of fins, wherein the fins are parts of a heat sink. The integrated heat spreader is bonded to the heat sink through the bonding of the first oxide layer to the second oxide layer.

    摘要翻译: 一种方法包括在集成散热器的表面上形成第一氧化物层,并且在翅片的顶表面上形成第二氧化物层,其中散热片是散热片的一部分。 集成散热器通过第一氧化物层与第二氧化物层的结合而结合到散热器。