公开(公告)号：US08492892B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12963139

申请日：2010-12-08

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Ekta Misra ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  George J. Scott

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Ekta Misra ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  George J. Scott

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/40 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： Solder bump connections and methods for fabricating solder bump connections. The method includes forming a layer stack containing first and second conductive layers, forming a dielectric passivation layer on a top surface of the second conductive layer, and forming a via opening extending through the dielectric passivation layer to the top surface of the second conductive layer. The method further includes forming a conductive plug in the via opening. The solder bump connection includes first and second conductive layers comprised of different conductors, a dielectric passivation layer on a top surface of the second conductive layer, a via opening extending through the dielectric passivation layer to the top surface of the second conductive layer, and a conductive plug in the via opening.

摘要翻译： 焊接凸块连接和制造焊料凸点连接的方法。 该方法包括形成包含第一和第二导电层的层叠层，在第二导电层的顶表面上形成电介质钝化层，以及形成延伸穿过介电钝化层的通孔至第二导电层的顶表面。 该方法还包括在通孔开口中形成导电塞。 焊料凸点连接包括由不同导体组成的第一和第二导电层，在第二导电层的顶表面上的介电钝化层，延伸穿过介电钝化层到第二导电层顶表面的通孔，以及 导电塞在通孔开口中。

公开(公告)号：US08227333B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12948092

申请日：2010-11-17

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A structure and a method of manufacturing a Pb-free Controlled Collapse Chip Connection (C4) with a Ball Limiting Metallurgy (BLM) structure for semiconductor chip packaging that reduce chip-level cracking during the Back End of Line (BEOL) processes of chip-join cool-down. An edge of the BLM structure that is subject to tensile stress during chip-join cool down is protected from undercut of a metal seed layer, caused by wet etch of the chip to remove metal layers from the chip's surface and solder reflow, by an electroplated barrier layer, which covers a corresponding edge of the metal seed layer.

摘要翻译： 用于半导体芯片封装的具有球限制冶金（BLM）结构的无铅控制崩溃芯片连接（C4）的结构和方法，其在芯片级后端（BEOL）工艺中减少芯片级开裂， 加入冷却。 在芯片连接冷却期间受到拉伸应力的BLM结构的边缘被保护以防止金属种子层的底切，由芯片的湿法蚀刻引起，以通过电镀从芯片的表面和焊料回流中去除金属层 阻挡层，其覆盖金属种子层的相应边缘。

公开(公告)号：US20120146212A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12963139

申请日：2010-12-08

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Ekta Misra ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  George J. Scott

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Ekta Misra ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  George J. Scott

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： Solder bump connections and methods for fabricating solder bump connections. The method includes forming a layer stack containing first and second conductive layers, forming a dielectric passivation layer on a top surface of the second conductive layer, and forming a via opening extending through the dielectric passivation layer to the top surface of the second conductive layer. The method further includes forming a conductive plug in the via opening. The solder bump connection includes first and second conductive layers comprised of different conductors, a dielectric passivation layer on a top surface of the second conductive layer, a via opening extending through the dielectric passivation layer to the top surface of the second conductive layer, and a conductive plug in the via opening.

摘要翻译： 焊接凸块连接和制造焊料凸块连接的方法。 该方法包括形成包含第一和第二导电层的层叠层，在第二导电层的顶表面上形成电介质钝化层，以及形成延伸穿过介电钝化层的通孔至第二导电层的顶表面。 该方法还包括在通孔开口中形成导电塞。 焊料凸点连接包括由不同导体组成的第一和第二导电层，在第二导电层的顶表面上的介电钝化层，延伸穿过介电钝化层到第二导电层顶表面的通孔，以及 导电塞在通孔开口中。

公开(公告)号：US20120108015A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13347087

申请日：2012-01-10

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Marie-Claude Paquet ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Marie-Claude Paquet ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/743 ,  H01L24/97 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： Underfill flow guide structures and methods of using the same are provided with a module. In particular the underfill flow guide structures are integrated with a substrate and are configured to prevent air entrapment from occurring during capillary underfill processes.

摘要翻译： 底部填充流动引导结构及其使用方法具有模块。 特别地，底部填充流动引导结构与基底一体化并且被构造成防止在毛细管底部填充过程期间发生空气滞留。

公开(公告)号：US07985671B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12344774

申请日：2008-12-29

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

摘要： Structures with improved solder bump connections and methods of fabricating such structures are provided herein. The method includes forming an upper wiring layer in a dielectric layer and depositing one or more dielectric layers on the upper wiring layer. The method further includes forming a plurality of discrete trenches in the one or more dielectric layers extending to the upper wiring layer. The method further includes depositing a ball limiting metallurgy or under bump metallurgy in the plurality of discrete trenches to form discrete metal islands in contact with the upper wring layer. A solder bump is formed in electrical connection to the plurality of the discrete metal islands.

摘要翻译： 具有改善的焊料凸点连接的结构和制造这种结构的方法在本文中提供。 该方法包括在电介质层中形成上布线层，并在上布线层上淀积一层或多层介电层。 该方法还包括在延伸到上布线层的一个或多个电介质层中形成多个离散的沟槽。 该方法还包括在多个离散的沟槽中沉积限制极限的冶金或凸块下的冶金，以形成与上部绞合层接触的离散的金属岛。 形成与多个离散金属岛电连接的焊料凸块。

公开(公告)号：US20100038780A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12190612

申请日：2008-08-13

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Marie-Claude Paquet ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Marie-Claude Paquet ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/743 ,  H01L24/97 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： Underfill flow guide structures and methods of using the same are provided with a module. In particular the underfill flow guide structures are integrated with a substrate and are configured to prevent air entrapment from occurring during capillary underfill processes.

摘要翻译： 底部填充流动引导结构及其使用方法具有模块。 特别地，底部填充流动引导结构与基底一体化并且被构造成防止在毛细管底部填充过程期间发生空气滞留。

公开(公告)号：US20090230547A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12046616

申请日：2008-03-12

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey S. Zimmerman

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey S. Zimmerman

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/05552

摘要： A design structure is embodied in a machine readable medium for designing, manufacturing, or testing a design. The design structure includes a dielectric material formed between a design sensitive structure and a passivation layer. The design sensitive structure comprising a lower wiring layer electrically and mechanically connected to a higher wiring level by a via farm. A method and structure is also provided.

摘要翻译： 设计结构体现在用于设计，制造或测试设计的机器可读介质中。 该设计结构包括在设计敏感结构和钝化层之间形成的电介质材料。 该设计敏感结构包括通过通孔连接器电连接和机械地连接到更高布线层的下布线层。 还提供了一种方法和结构。

公开(公告)号：US07541272B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11620541

申请日：2007-01-05

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/12 ,  B23K3/0623 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2224/13099

摘要： A system and method for forming a novel C4 solder bump for BLM (Ball Limiting Metallurgy) includes a novel damascene technique is implemented to eliminate the Cu undercut problem and improve the C4 pitch. In the process, a barrier layer metal stack is deposited above a metal pad layer. A top layer of the barrier layer metals (e.g., Cu) is patterned by CMP. Only bottom layers of the barrier metal stack are patterned by a wet etching. The wet etch time for the Cu-based metals is greatly reduced resulting in a reduced undercut. This allows the pitch of the C4 solder bumps to be reduced. An alternate method includes use of multiple vias at the solder bump terminal.

摘要翻译： 用于形成用于BLM（Ball Limite Metallurgy）的新型C4焊料凸块的系统和方法包括实现新颖的镶嵌技术以消除Cu底切问题并提高C4间距。 在该过程中，在金属焊盘层上方沉积阻挡层金属堆叠。 通过CMP对阻挡层金属（例如Cu）的顶层进行图案化。 仅通过湿蚀刻图案化阻挡金属叠层的底层。 Cu基金属的湿蚀刻时间大大降低，从而减少了底切。 这样可以减少C4焊料凸点的间距。 一种替代方法包括在焊料凸点端子处使用多个通孔。

公开(公告)号：US20090127710A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12357484

申请日：2009-01-22

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A system and method for eliminating undercut when forming a C4 solder bump for BLM (Ball Limiting Metallurgy) and improving the C4 pitch. In the process, a barrier layer metal stack is deposited above a metal pad layer. A top layer of the barrier layer metals (e.g., Cu) is patterned by CMP with a bottom conductive layer of the barrier metal stack removed by etching. The diffusion barrier and C4 solder bump may be formed by electroless plating, in one embodiment, using a maskless technique, or by an electroplating techniques using a patterned mask. This allows the pitch of the C4 solder bumps to be reduced.

摘要翻译： 一种用于在形成用于BLM（限流冶金）的C4焊料凸块并提高C4间距时消除底切的系统和方法。 在该过程中，在金属焊盘层上方沉积阻挡层金属堆叠。 通过CMP对阻挡层金属（例如Cu）的顶层进行图案化，通过蚀刻去除阻挡金属叠层的底部导电层。 扩散阻挡层和C4焊料凸点可以通过化学镀来形成，在一个实施例中，使用无掩模技术，或通过使用图案化掩模的电镀技术形成。 这样可以减少C4焊料凸点的间距。

公开(公告)号：US20080194095A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11673618

申请日：2007-02-12

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A system and method for eliminating undercut when forming a C4 solder bump for BLM (Ball Limiting Metallurgy) and improving the C4 pitch. In the process, a barrier layer metal stack is deposited above a metal pad layer. A top layer of the barrier layer metals (e.g., Cu) is patterned by CMP with a bottom conductive layer of the barrier metal stack removed by etching. The diffusion barrier and C4 solder bump may be formed by electroless plating, in one embodiment, using a maskless technique, or by an electroplating techniques using a patterned mask. This allows the pitch of the C4 solder bumps to be reduced.

摘要翻译： 一种用于在形成用于BLM（限流冶金）的C4焊料凸块并提高C4间距时消除底切的系统和方法。 在该过程中，在金属焊盘层上方沉积阻挡层金属堆叠。 通过CMP对阻挡层金属（例如Cu）的顶层进行图案化，通过蚀刻去除阻挡金属叠层的底部导电层。 扩散阻挡层和C4焊料凸点可以通过化学镀来形成，在一个实施例中，使用无掩模技术，或通过使用图案化掩模的电镀技术形成。 这样可以减少C4焊料凸点的间距。