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    MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME
    44.
    发明申请
    MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME 有权
    具有（100）面板表面的合并FIN FINFET及其制造方法

    公开(公告)号：US20140027863A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13561352

    申请日：2012-07-30

    申请人： Thomas N. Adam ,  Keith E. Fogel ,  Jinghong Li ,  Alexander Reznicek

    发明人： Thomas N. Adam ,  Keith E. Fogel ,  Jinghong Li ,  Alexander Reznicek

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66795

    摘要： A merged fin finFET and method of fabrication. The finFET includes: two or more single-crystal semiconductor fins on a top surface of an insulating layer on semiconductor substrate, each fin of the two or more fins having a central region between and abutting first and second end regions and opposite sides, top surfaces and sidewalls of the two or more fins are (100) surfaces and the longitudinal axes of the two or more fins aligned with a [100] direction; a gate dielectric layer on each fin of the two or more fins; an electrically conductive gate over the gate dielectric layer over the central region of each fin of the of two or more fins; and a merged source/drain comprising an a continuous layer of epitaxial semiconductor material on ends of each fin of the two or more fins, the ends on a same side of the conductive gate.

    摘要翻译： 翅片finFET和其制造方法。 鳍状FET包括：在半导体衬底上的绝缘层的顶表面上的两个或多个单晶半导体鳍片，两个或更多鳍片的每个翅片具有位于第一和第二端部区域之间的中间区域和相对的两侧，顶表面 并且两个或更多个翅片的侧壁是（100）表面，并且两个或更多个翅片的纵向轴线与[100]方向对准; 在两个或更多个翅片的每个翅片上的栅介质层; 在两个或更多个翅片的每个翅片的中心区域上方的栅极电介质层上的导电栅极; 以及合并的源极/漏极，其包括在两个或更多个鳍片的每个鳍片的端部上的连续的外延半导体材料层，其端部位于导电栅极的同一侧。

    Single-junction photovoltaic cell
    45.
    发明授权
    Single-junction photovoltaic cell 有权
    单结光伏电池

    公开(公告)号：US08633097B2

    公开(公告)日：2014-01-21

    申请号：US12713572

    申请日：2010-02-26

    申请人： Stephen W. Bedell ,  Norma E. Sosa Cortes ,  Keith E. Fogel ,  Devendra Sadana ,  Davood Shahrjerdi ,  Brent A. Wacaser

    发明人： Stephen W. Bedell ,  Norma E. Sosa Cortes ,  Keith E. Fogel ,  Devendra Sadana ,  Davood Shahrjerdi ,  Brent A. Wacaser

    IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/38 ,  H01L21/385

    CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

    摘要： A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

    摘要翻译： 一种形成单结光伏电池的方法包括在半导体衬底的表面上形成掺杂剂层; 将掺杂剂层扩散到半导体衬底中以形成半导体衬底的掺杂层; 在所述掺杂层上形成金属层，其中所述金属层中的拉伸应力构造成在所述半导体衬底中引起断裂; 在断裂时从半导体衬底去除半导体层; 以及使用半导体层形成单结光伏电池。 单结光伏电池包括掺杂剂，该掺杂层包含扩散到半导体衬底中的掺杂剂; 形成在掺杂层上的图案化导电层; 半导体层，其包括位于掺杂层的与图案化导电层相对的表面上的掺杂层上的半导体衬底; 以及形成在半导体层上的欧姆接触层。